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公开(公告)号：CN119478735A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411515709.5
申请日：2024-10-29
Applicant: 深圳市锦嘉电子有限公司 , 东华理工大学
IPC: G06V20/17 , G06V10/44 , G06V10/774 , G06V10/80 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明提出的一种基于改进YOLOv8的高空航拍图像的小目标检测方法，涉及深度学习与目标检测技术领域，该方法首先获取并预处理数据集，随后对传统的YOLOv8模型进行关键性改进，改进方法包括：在模型的骨干网络中引入先进的FocNeXt模块，以增强特征提取能力；采用RepBiFPN结构优化特征融合过程；设计了一种高效且轻量化的检测头LAEH，以提升模型的运算效率；并引入Shape‑IoU作为损失函数，以优化模型的预测准确性，经过上述改进，模型在保持快速检测的同时，显著提升了检测精度，验证了其在高空航拍图像小目标检测中的有效性和优越性。
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公开(公告)号：CN117727828A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311697655.4
申请日：2023-12-12
Applicant: 东华理工大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明涉及核辐射探测技术领域，具体的说是一种CsPbBr3核辐射探测器及其提高稳定性的制备方法，该探测器包括金属电极层，钝化层、CsPbBr3吸收层、PCB板基座及金属管脚，所述的钝化层在CsPbBr3吸收层一侧热蒸发材料粉末所得，并与CsPbBr3形成异质结，所述金属电极层是利用电子束或热蒸发工艺在所得的钝化层与CsPbBr3吸收层两侧沉积金属电极层，所述PCB板基座的阳极通过金线与钝化层顶部金属电极层相连，且PCB板基座的阴极利用金丝球焊机与CsPbBr3吸收层一侧的底部金属电极相连；本发明所述的提高CsPbBr3核辐射探测器稳定性的制备方法，可以有效提升其稳定性，有效地延长了核辐射探测器的工作寿命。
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公开(公告)号：CN112462412B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202011174878.9
申请日：2020-10-28
IPC: G01T3/08 , H01L31/115 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种GaN中子探测器用的10B4C中子转换层制备方法，包含以下步骤：在GaN体材料的两面分别沉积Cr/Pt/Au复合金属层并退火，制备成GaN器件；将10B4C粉末、丙酮和异丙醇形成的混合液装入胶管滴管中并超声混合均匀；将10B4C混合液分别滴在被匀胶机托盘吸附的GaN器件的正表面和背表面，启动匀胶机并加热，使10B4C中子转换材料均匀凝固在GaN器件的正表面和北表面；将聚酰亚胺悬涂在含有10B4C中子转换层的GaN器件正表面和背表面并烘烤固化，完成GaN中子探测器用的10B4C中子转换层制备，本发明具有制备工艺简单、制备周期短、原材料利用率高和厚膜厚度可控等优点，在热中子探测中实现了高的探测效率和高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN106546378A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201611107700.6
申请日：2016-12-06
Applicant: 东华理工大学
IPC: G01L21/12
CPC classification number: G01L21/12
Abstract: 本发明公开了一种二氧化钒薄膜真空计，该真空计的核心是二氧化钒薄膜，二氧化钒薄膜可以通过管式炉在SiO2/Si、Si3N4/Si、石英、蓝宝石等衬底上生长得到。将生长好的二氧化钒薄膜贴合电极金属模板放入到电子束蒸发镀膜机沉积铬层，而后利用刻蚀金属模板，在感应耦合等离子体刻蚀系统中刻蚀没有被模板保护的二氧化钒薄膜；再放入电子束蒸发镀膜机，用刻蚀好的二氧化钒薄膜贴合电极金属模板进行沉积金层；最后，用快速热退火技术消除二氧化钒薄膜表面残余应力和组织缺陷，从而得到二氧化钒薄膜器件。将二氧化钒薄膜器件与微控制器、光源控制电路、电压源、电流采集电路和显示电路连接到一起，构成一个完整的真空计。由于二氧化钒薄膜材料对于温度和红外光照都极其敏感，这种真空计具有测量范围较宽，易于使用、成本低和体积小的特点。
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公开(公告)号：CN102592403A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210045151.X
申请日：2012-02-27
Applicant: 东华理工大学
Abstract: 本发明涉及一种微电脑视力保护语音提示器。它采用单片机3为核心，包括超声波发射电路4、超声波反射接收电路5和光照度检测电路6，其特征是：单片机3由具有A/D采集功能的第一I/O口控制脚P1.2与照度检测电路6连接，光照度检测电路6包括光敏传感器16和取样电路17，光敏传感器16与取样电路17构成串联电路，从光敏传感器16与取样电路17之间的连接点接入到单片机3的第一I/O口控制脚P1.2作单片机3内A/D转换器的信号输入端。本发明还包括按键输入电路7、语音输出控制电路8、电池电压采样电路9和电源及电池充放电管理电路11。本发明在看书阅读过程中能及时提醒读者视距和光照。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118248769A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410562835.X
申请日：2024-05-08
Applicant: 江西誉鸿锦材料科技有限公司 , 东华理工大学
IPC: H01L31/117 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种GaN基PIN型核探测器及其制备方法，其中探测器，包括衬底1、GaN缓冲层、n‑GaN层4、i‑GaN层5、p‑GaN层6、N型欧姆接触电极7、P型欧姆接触电极8和SiO2钝化层9，其特征在于，GaN缓冲层2与n‑GaN层4之间设有Si线性渐变掺杂浓度层3，所述Si线性渐变掺杂浓度层3为自低掺杂浓度到高掺杂浓度依次线性变化掺入，其掺浓度杂范围在1016cm‑3~1020cm‑3，生长厚度为500~600nm。本发明在PIN型外延结构中引入Si线性渐变掺杂浓度层，通过掺杂浓度的变化引起势垒的变化，这一设计相当于在复合界面形成了一层电子反射层，有效减少了复合界面中电子‑空穴对的复合现象，并且其生长工艺简单，大大减少了材料生长成本，提升了器件性能。
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公开(公告)号：CN114883442A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210517450.2
申请日：2022-05-12
Applicant: 东华理工大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/02 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 一种CsPbBr3核辐射探测器，包括CsPbBr3单晶衬底、能够提高探测稳定性的复合金属电极、PCB板基座及金属管脚，其中，所述复合金属电极由分别沉积在CsPbBr3单晶衬底相对两侧的一层高功函数金属电极和一层低功函数金属电极合金化形成，所述CsPbBr3单晶衬底包裹在复合金属电极内，所述CsPbBr3单晶衬底一侧固定在PCB板基座的阴极区；且所述复合金属电极上侧与PCB板基座的阳极区连接，所述PCB板基座的阴极区与金属管脚阴极连接，所述PCB板基座的阳极区与金属管脚阳极连接；本发明的CsPbBr3半导体核辐射探测器能在室温下探测到核信号，且在长时间工作偏压下具有较高的探测稳定特性，误差率小。
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公开(公告)号：CN109449068B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201811248124.6
申请日：2018-10-25
Applicant: 东华理工大学
Abstract: 本发明公开了一种负电子亲和势变带隙AlGaAs/GaAs电注入阴极，以n型GaAs作为衬底层，首先在该衬底层上顺序生长Al组分由0开始呈线性递增和n型掺杂浓度按指数递减的n型变带隙AlGaAs电子提供层，再依次生长n型AlGaAs电子提供层、p型AlGaAs电子注入层，随后生长Al组分由高到低呈线性递减至0和p型掺杂浓度按指数递增的p型变带隙AlGaAs电子发射层，最后依次生长p型GaAs电子发射层、As保护层。该阴极利用了晶体管的电子注入和变带隙AlGaAs的内建电场，实现了一种不同于传统光电发射的电子发射形式—无需激发光源的电注入电子发射。
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公开(公告)号：CN111477524A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010342767.8
申请日：2020-04-27
Applicant: 东华理工大学
Abstract: 一种衬底-有源层复合纳米光子学结构碱金属化合物光电阴极，由下至上依次包括衬底、纳米阵列和碱金属化合物有源层，利用纳米阵列与入射光作用产生的光学共振效应，能够降低光反射率并提升光电子的产生与输运效率，从而有效提升光电阴极的性能。本发明制备的复合纳米光子学结构碱金属化合物光电阴极，其有源层直接沉积制备于纳米阵列的上表面以避免对光电发射面的刻蚀，纳米阵列采用纳米压印或自组装纳米球等较成熟的工艺直接刻蚀衬底进行制备，制备工艺简单、稳定性好，可应用于微弱信号探测与成像、生物医疗、加速器电子源、先进光源等领域。
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公开(公告)号：CN106637404B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201611107754.2
申请日：2016-12-06
Applicant: 东华理工大学
Abstract: 本发明公开了一种利用管式炉生长大面积单晶二氧化钒薄膜的方法，在一定厚度的SiO2/Si、Si3N4/Si、硅、石英和蓝宝石等实验基片上，采用气‑固方式生长。实验基片生长面经过严格的抛光处理，将反应源五氧化二钒粉末均匀的放置在石英舟底部，再将实验基片放入到石英舟里，基片生长面朝下放置。在管式炉真空环境中通过控制升温速率、温度、气压以及气体流量大小和反应时间制备得到大面积单晶二氧化钒薄膜。采用这种方法制备出来的大面积单晶二氧化钒薄膜比一般的二氧化钒薄膜其性能优异很多，而且工艺简单、成膜质量高；制备出的单晶二氧化钒薄膜绝缘体‑金属相变后，电导率变化幅度达到4～5个数量级，是一种单晶材料的薄膜，在光电、红外、气体传感等方面具有广泛的应用前景。
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