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公开(公告)号：CN110255621B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910649152.7
申请日：2019-07-18
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明提供一种WO3纳米花材料的制备及其在气体传感器中的应用。采用NaOH浸出工艺提取白钨精矿中的钨，以获得含钨的浸出液；将浸出液加入到HCl溶液中形成钨酸沉淀物，将洗涤后的钨酸加入去离子水以及H2O2溶解；用HCl溶液调混合溶液pH值至1.2～1.8，经100～180℃恒温条件下反应4～16h后，获得由纳米片自组装而成的WO3纳米花，该纳米花的直径为300～420nm、厚度为100～140nm，纳米片的长度为170～390nm、宽度为120～140nm、厚度为30～50nm，具有六方相晶体结构。将此WO3纳米花涂覆于陶瓷管外表面的金电极上，然后经老化处理制备成气体传感器。基于本发明方法制备NO2气体传感器，可以实现对低浓度、甚至ppb级NO2气体的高选择性、低工作温度的快速响应。
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公开(公告)号：CN110426420A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910728426.1
申请日：2019-08-08
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明公开了一种由纳米棒自组装而成的WO3微米梭的NH3气敏元件及其制备方法，属于半导体氧化物的气敏元件技术领域。所述气敏元件主要由电极元件与均匀涂覆在电极元件上的WO3微米梭组成，所述WO3微米梭由WO3纳米棒自组装而成，所述WO3微米梭的直径为0.4～1.5μm、长度为0.6～1.4μm，所述WO3纳米棒的直径为15～33nm、长度为80～1050nm，所述WO3微米梭为六方相晶体结构。本发明所述的由纳米棒自组装而成的WO3微米梭具有晶相单一、结晶度高、形貌均匀一致、孔隙率高、比表面积大等结构特性。本发明所述气敏元件具有对NH3气体的高选择性、低工作温度的快速响应等特点。
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公开(公告)号：CN107817279B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201710897155.3
申请日：2017-09-28
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 发明涉及一种基于电极表面原位生长NiO纳米薄膜的NO2传感器及其制备方法，属于一维金属氧化物半导体材料的气体传感器技术领域。一种基于电极表面原位生长NiO纳米薄膜的NO2传感器，所述传感器由电极元件及均匀原位生长在电极元件表面的NiO薄膜组成，其中，所述NiO薄膜由NiO晶体颗粒构成，所述NiO晶体颗粒为面心立方相晶体结构，直径为20～30nm。该气体传感器在工作温度为150℃时获得对NO2的最大灵敏度，响应和恢复时间短，选择性高，长期稳定性好，有效解决了传统金属氧化物半导体式气体传感器制备工艺流程复杂、选择性与长期稳定性较差等不足，是具有良好发展前景的NO2气体传感器。
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公开(公告)号：CN110255621A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910649152.7
申请日：2019-07-18
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明提供一种WO3纳米花材料的制备及其在气体传感器中的应用。采用NaOH浸出工艺提取白钨精矿中的钨，以获得含钨的浸出液；将浸出液加入到HCl溶液中形成钨酸沉淀物，将洗涤后的钨酸加入去离子水以及H2O2溶解；用HCl溶液调混合溶液pH值至1.2～1.8，经100～180℃恒温条件下反应4～16h后，获得由纳米片自组装而成的WO3纳米花，该纳米花的直径为300～420nm、厚度为100～140nm，纳米片的长度为170～390nm、宽度为120～140nm、厚度为30～50nm，具有六方相晶体结构。将此WO3纳米花涂覆于陶瓷管外表面的金电极上，然后经老化处理制备成气体传感器。基于本发明方法制备NO2气体传感器，可以实现对低浓度、甚至ppb级NO2气体的高选择性、低工作温度的快速响应。
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公开(公告)号：CN109761262A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910194506.3
申请日：2019-03-14
Applicant: 东北大学
Abstract: 一种贵金属浸渍共掺杂CuO纳米材料的制备方法及应用，属于半导体氧化物气敏传感器领域。一种贵金属浸渍共掺杂CuO纳米材料的制备方法：①将CuSO4·5H2O、柠檬酸三钠和NaOH按照摩尔比为1～1.3：0.8～1：5～5.3配制成混合溶液，160℃水热反应12h后冷却、洗涤、干燥得CuO纳米棒；②将氯金酸溶液和氯化钯溶液按Au与Pd原子摩尔比1:1的比例混合于40mL乙醇溶液中，调节溶液pH值为9，得贵金属溶液；③向贵金属溶液加入CuO纳米棒，Au与Pd原子摩尔数之和是Cu原子摩尔数的1％～5％，干燥，热处理。本发明能够显著降低获得最大气体灵敏度的工作温度，且掺杂方法简单，贵金属利用率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103993171A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410201886.6
申请日：2014-05-14
Applicant: 东北大学
CPC classification number: Y02P10/234
Abstract: 本发明属于湿法冶金领域，具体涉及一种添加非离子表面活性剂促进黄铜矿生物浸出的方法。本发明的技术方案是将黄铜矿矿样破碎、研磨再经紫外线灭菌作为浸出试样，将浸出试样置于灭菌后的9K基础盐溶液中，接入氧化亚铁硫杆菌，再加入聚乙二醇，聚乙二醇添加量为30～90mg/L，采用稀硫酸调节浸出初始pH1.8～3.5，在25～35℃、150～180r/min条件下，振荡浸出18～25d，聚乙二醇的加入使黄铜矿的浸出率至少提高了1.36倍。本发明为提高低品位黄铜矿的生物浸出速率提供新的途径，对促进低品位黄铜矿生物浸出工艺的大规模工业应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN1664116A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510045828.X
申请日：2005-02-02
Applicant: 东北大学
IPC: C21B5/02
Abstract: 本发明提出了一种高炉中科学地添加MgO的炼铁新工艺，其特征在于将MgO制成添加剂，将它和原煤一起制成含MgO的煤粉从风口4中喷入高炉1。本发明还提出了一种供新工艺炼铁使用的MgO添加剂。添加剂的配方以重量百分数计算为：MgO 80～83；CaO 12～14：SiO21～2；烧损4～6。其中的主要成分氧化镁可以用含镁化合物替代。本发明是将已有技术由烧结矿添加MgO的工艺改进为由煤粉通过风口4向炉内添加MgO的新工艺。实施本发明的工艺可以改善块状带2的透气性；减薄软熔带3的厚度；提高煤粉燃烧效率；提高了炉渣的流动性和脱硫能力。这些有利于提高高炉炼铁的冶炼强度，也有利于提高生铁的产量和质量。
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公开(公告)号：CN118724141A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411231341.X
申请日：2024-09-04
Applicant: 东北大学
IPC: C02F1/26 , C02F101/20 , C02F103/16
Abstract: 本发明涉及废水处理技术领域，公开了一种萃取铜离子用离子液体及提金氰化废水中铜离子的萃取脱除方法，所述萃取铜离子用离子液体是季铵盐或季磷盐与双磷酸盐的离子交换反应产物；所述提金氰化废水中铜离子的萃取脱除方法，是将所述萃取铜离子用离子液体溶解于极性溶剂中形成萃取有机相，然后利用所述萃取有机相对提金氰化废水中铜离子进行萃取脱除；本公开将所述萃取铜离子用离子液体引入含铜氰化废水中，通过铜氰络离子与离子液体可以进行宏观尺度的自组装，可实现铜氰络离子的绿色环保、高效、连续化提取，有效解决目前离子液体萃取体系对提金氰化浸出液中铜氰络离子的萃取及反萃取效率低、萃取过程复杂等问题。
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公开(公告)号：CN114295553B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210008151.6
申请日：2022-01-05
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明涉及一种高通量混凝絮凝实验系统及实验方法，包括多组透明沉降槽，多组透明沉降槽依次成列放置在摄像机前端，距离摄像机最远的透明沉降槽上印制有刻度线；多组透明沉降槽的远离摄像机一侧设置有平行光源发射器；多组透明沉降槽的加注端均安装有四通阀，四通阀的一端通过药剂变频高通量计量泵与药剂搅动箱连接，多组透明沉降槽分别对应药剂搅动箱的一个内腔；料浆变频高通量定量给料泵安装于料浆制备槽和四通阀之间。摄像机、药剂变频高通量计量泵、料浆制备槽和料浆变频高通量定量给料泵、药剂搅动箱、平行光源发射器与控制计算机电连接。本发明具备无人为干扰因素沉降实验的优点，解决了现有沉降实验人为误差大、实验
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公开(公告)号：CN112299597A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011090461.4
申请日：2020-10-13
Applicant: 东北大学
IPC: C02F9/04 , C02F103/34
Abstract: 本发明公布了一种利用浮选技术对煤气化灰水除杂的方法，包括以下步骤：取待处理水样于浮选机内搅拌2min；加入磷酸三钠，搅拌5min；加入聚丙烯酰胺，搅拌5min，得到水样，加入十二胺，搅拌2min后进行浮选除杂操作。本发明方法操作简单，可以有效去除煤气化灰水中的钙、镁与硅酸根离子，减缓管道结垢速率，增加系统的使用周期。
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