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公开(公告)号：CN102280338B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201110154174.X
申请日：2011-06-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够抑制设置于电介质窗的内侧的电介质保护罩局部地削减而消耗，能够通过电介质保护罩的长寿命化实现生产性的提高的等离子体处理装置及其电介质窗结构。在配设于电介质窗的外侧的高频天线施加高频电力从而在处理空间产生电感耦合等离子体的等离子体处理装置，电介质窗具备：窗部件，其以夹装于处理空间与高频天线之间的方式被配设，并由电介质构成；梁部件，其用于支承窗部件；电介质保护罩，其覆盖窗部件的处理空间侧的面以及梁部件的处理空间侧的面，从而保护来自等离子体的腐蚀；以及低电容率电介质层，其至少设置于梁部件与电介质保护罩之间，且由具有比保护罩的电容率更低的电容率的材料形成。
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公开(公告)号：CN101159228B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200710154446.X
申请日：2007-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/67 , C23F4/00 , C23C16/455 , C30B25/14 , H05H1/00 , H01J37/32 , F17D1/04
Abstract: 本发明涉及处理气体供给机构、供给方法及气体处理装置，该处理气体供给机构能够在短时间内供给使处理容器内变成设定压力的量的处理气体。处理气体供给机构(3)包括：用于向作为收容基板(G)的处理容器的腔室(2)内供给作为处理气体的氦气的He气体供给源(30)；用于暂时贮存来自He气体供给源(30)的氦气的处理气体罐(33)；和将来自He气体供给源(30)的氦气供给处理气体罐(33)并将处理气体罐(33)内的氦气供给腔室(2)内的处理气体流通部件(35)，氦气经由处理气体流通部件(35)被从He气体供给源(30)暂时贮存在处理气体罐(33)中，并从处理气体罐(33)供给到腔室(2)内。
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公开(公告)号：CN101465284B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200810186170.8
申请日：2008-12-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , C23F4/00 , C23C16/44 , G03F7/42 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够在短时间内更换在处理容器内配置的能够更换的处理容器内部件的基板处理装置。基板处理装置(1)包括收容基板(G)的腔室(2)、在配置在腔室(2)内的载置台(3)的基材(3a)上面设置的能够更换的载置板(3b)、用于在腔室(2)内对基板(G)实施等离子体处理的高频电源(17)、以及向腔室(2)内导入处理气体的喷淋头(20)，其中，载置板(3b)利用静电吸附被安装在基材(3a)上。
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公开(公告)号：CN101315877B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810108840.4
申请日：2008-05-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , G02F1/1333 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种基板处理系统和基板处理装置，能够不产生微粒而使等离子体均匀地分布在收容室内的空间。该基板处理系统(10)包括三个等离子体处理装置(13)和相对于各等离子体处理装置(13)对玻璃基板(G)进行搬入搬出的搬送室(11)，各等离子体处理装置(13)具有用于收容基板(G)的长方体形状的腔室(18)，腔室(18)只有侧壁(18a)与搬送室(11)相接，在所述侧壁(18a)上开设有与搬送室(11)连通的搬送口(31)，在与侧壁(18a)相对的侧壁(18b)上开设有开口部(32)，搬送口(31)的开口形状与开口部(32)的开口形状相同。
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公开(公告)号：CN101552188A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910129592.6
申请日：2009-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/20 , H05H1/24
Abstract: 本发明提供一种平行平板型等离子体处理装置中能够抑制阴极电极与覆盖排气口的网状部件之间产生异常放电的等离子体处理装置。等离子体处理装置(2)向在处理容器(20)内相对设置的阳极电极(气体喷淋头(40))和阴极电极(载置台(3))之间施加高频电力，使处理气体等离子体化，对被处理体(S)进行等离子体处理，其中，具备开口部的导电性部件(网状部件51)配置在上述阴极电极周边，覆盖排出处理气体的排气口，电解质(52)设置在导电性部件与处理容器(20)的导电性壁部之间。
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公开(公告)号：CN100543944C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200510070127.1
申请日：2005-04-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/205 , H01J37/32 , H05H1/46 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，目的在于在平行平板式的等离子体处理装置中抑制在阴极电极与处理容器的壁部之间产生等离子体。在下部电极与处理容器之间设置带有电容成分的阻抗调整部。阻抗调整部把从上部电极通过等离子体、下部电极和处理容器的壁部到匹配电路的接地框体为止的路径的阻抗值，变得比从上部电极通过等离子体和处理容器的壁部到所述匹配电路的接地框体为止的阻抗值更小。借助于此，就可以产生均匀性高的等离子体。
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公开(公告)号：CN101277579A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810087850.4
申请日：2008-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在阳极电极和处理容器之间设置有阻抗调整部的等离子体处理装置中，能够容易并适当地调整阻抗调整部的阻抗，从而抑制异常放电。该等离子体处理装置具有：偏压用的高频电源；阻抗调整部；测定上述阻抗调整部的电压的电压测定部；位于上述阻抗调整部和电压测定部之间的带通滤波器；和当等离子体产生时使上述阻抗调整部的阻抗值发生改变，同时取得由上述电压测定部测定的电压值，根据该电压值，计算流入上述阳极电极的电流值，以使该电流值成为最大值或其附近的方式设定上述阻抗调整部的阻抗值的控制部。
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公开(公告)号：CN101170053A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710162644.0
申请日：2007-10-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/205 , H01L21/67 , C23F4/00 , C23C16/509 , C23C16/513 , C23C16/54 , G02F1/1333 , H05H1/46 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种当在平行平板电极之间利用高频电力产生等离子体时，使高频电流的返回路径的电阻减小的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在作为升降自由的阳极电极的上部电极上，通过导电性的升降棒在处理容器外设置有导电性的移动侧接触部件。另一方面，在处理容器的外部，通过导电性的支撑部件设置有导电性的固定侧接触部，使得在上述上部电极被设定在进行等离子体处理的位置时，上述固定侧接触部与上述移动侧接触部件接触，形成高频电流的返回路径。高频电流在下部电极→等离子体→上部电极→升降棒→移动侧接触部件→固定侧接触部→支撑部件→处理容器→高频电源部的接地侧的路径中流动，因此能够减小上述返回路径的电阻。
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公开(公告)号：CN115522181A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210681604.1
申请日：2022-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/54 , C23C16/44
Abstract: 本发明提供提高生产率的成膜装置和成膜方法。成膜装置对基板进行ALD成膜，具备处理腔室，其具有：旋转滚筒，将基板保持于与旋转轴线平行的保持侧面；主体部，收纳旋转滚筒，具有：多个处理室，与保持侧面相对，具有与旋转轴线平行的方向成为长度方向的长条状的处理空间；排气部，配置到多个处理室的各个之间，多个处理室至少包括：原料气体吸附室，使原料气体吸附于基板；等离子体反应室，从反应气体生成与原料气体反应的等离子体，具备：框体；长条状的金属窗，由与保持侧面相对且在等离子体反应室的长度方向以第1间隔配置成直线状的多个分割窗构成，配置为在沿着长度方向延伸的边上以与框体之间具有比第1间隔宽的第2间隔；矩形线圈天线。
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公开(公告)号：CN114256049A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111079857.3
申请日：2021-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够实现处理容器内的清洁和部件损耗的抑制的等离子体处理装置和等离子体生成方法。等离子体处理装置包括：处理容器；金属窗，其将所述处理容器的内部划分成上部的天线室和下部的处理室，并具有多个部分窗；感应耦合天线，其在所述天线室配置在所述金属窗的上部，能够在所述处理室生成感应耦合等离子体；下部电极，其能够在所述处理室内载置基片，并被施加偏置电压用的高频电功率；电容元件，其在一端与1个或多个所述部分窗连接，且在另一端被接地；和电阻元件，其与所述电容元件并联地在一端与1个或多个所述部分窗连接、且在另一端被接地。
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