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公开(公告)号：CN101625954B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910151468.X
申请日：2007-07-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种修补方法，能够简易并且适当地对静电吸附电极的破损部位进行修补。其对裂纹(100)的周围进行切削，形成锥状的凹部(51)。然后使用喷镀装置(202)喷镀绝缘物(60)，从而埋住凹部(51)。接着对埋入凹部(51)中的绝缘物(60)突出的部分进行切削，使表面平坦化，从而形成修补覆膜(61)。
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公开(公告)号：CN101625954A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910151468.X
申请日：2007-07-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种修补方法，能够简易并且适当地对静电吸附电极的破损部位进行修补。其对裂纹(100)的周围进行切削，形成锥状的凹部(51)。然后使用喷镀装置(202)喷镀绝缘物(60)，从而埋住凹部(51)。接着对埋入凹部(51)中的绝缘物(60)突出的部分进行切削，使表面平坦化，从而形成修补覆膜(61)。
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公开(公告)号：CN101620972A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910151870.8
申请日：2009-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其能够防止排气气流集中于形成在处理室中的多个排气口，能够使处理室内的排气气流均匀。该等离子体处理装置设置有将处理室(200)内的等离子体生成区域和对处理室进行排气的排气通路隔开的隔挡部(350)，挡板部由以包围载置台(300)的周围的方式隔开距离配置的上游侧挡板和下游侧挡板构成，在各挡板中分别形成有连通等离子体生成区域和排气通路的多个开口，下游侧挡板(360)的开口为越远离各排气口(208)宽度越大的缝隙状开口(364)。
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公开(公告)号：CN100541756C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710136193.3
申请日：2007-07-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种修补方法，能够简易并且适当地对静电吸附电极的破损部位进行修补。其对裂纹(100)的周围进行切削，形成锥状的凹部(51)。然后使用喷镀装置(202)喷镀绝缘物(60)，从而埋住凹部(51)。接着对埋入凹部(51)中的绝缘物(60)突出的部分进行切削，使表面平坦化，从而形成修补覆膜(61)。
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公开(公告)号：CN1311538C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200410086830.7
申请日：2004-10-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 里吉务
IPC: H01L21/68
Abstract: 本发明涉及静电吸附装置、等离子体处理装置及等离子体处理方法。可不引起异常放电或绝缘破坏地稳定吸附保持绝缘体的基板。其载置玻璃基板(G)的载置台(10)是在基底部件(12)之上设置了例如由铝构成的矩形块状基座(14)和包围此基座(14)的由绝缘体如石英构成的矩形框状聚焦环(16)，在基座(14)的主面上设置了由借助于各种喷镀法形成的下部电介质层(18)、电极层(20)及上部电介质层(22)的三层结构所构成的静电吸附部(24)。下部电介质层(18)以及上部电介质层(22)由体积固有电阻值在1×1014Ω·cm以上的氧化铝、氧化锆的陶瓷构成。直流电源(34)的输出端子电气连接到电极层(20)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1612314A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410086830.7
申请日：2004-10-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 里吉务
Abstract: 本发明涉及静电吸附装置、等离子体处理装置及等离子体处理方法。可不引起异常放电或绝缘破坏地稳定吸附保持绝缘体的基板。其载置玻璃基板(G)的载置台(10)是在基底部件(12)之上设置了例如由铝构成的矩形块状基座(14)和包围此基座(14)的由绝缘体如石英构成的矩形框状聚焦环(16)，在基座(14)的主面上设置了由借助于各种喷镀法形成的下部电介质层(18)、电极层(20)及上部电介质层(22)的三层结构所构成的静电吸附部(24)。下部电介质层(18)以及上部电介质层(22)由体积固有电阻值在1×1014Ω·cm以上的氧化铝、氧化锆的陶瓷构成。直流电源(34)的输出端子电气连接到电极层(20)。
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公开(公告)号：CN1477682A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN03149536.2
申请日：2003-07-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 里吉务
IPC: H01L21/3065 , H01L21/00 , G02F1/13
Abstract: 本发明提供可以抑制直流放电等的异常放电，并消除在施加有用于静电吸着的直流电压的电极上存在介电体膜时产生问题的等离子体处理装置及其方法，对介电性被处理基板(G)进行等离子体处理的等离子体处理装置包含：直接载置被处理基板(G)的电极(4)；将电极(4)上的被处理基板(G)的周缘向电极(4)方向推压的推压机构(7)；在被处理基板(G)的周边，供给处理气体的处理气体供给机构(19)；在被处理基板(G)的周边生成处理气体的等离子体气体的等离子体生成手段(26)；与电极(4)连接、在电极(4)上施加直流电压的直流电源(6)，推压机构(7)推压电极(4)上的基板(G)的周缘，在该状态下，在电极(4)上施加直流电压，吸着被处理基板(G)。
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公开(公告)号：CN110010440B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201811572973.7
申请日：2018-12-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和温度控制方法，对喷淋板和基底构件相分别地进行温度控制。基板处理装置(10)具有喷淋头(40)，所述喷淋头以与用于载置基板(S)的载置台(30)相向的方式配置在处理容器(20)内，用于喷出处理气体。喷淋头具有：喷淋板(41)，其以与载置台相向的方式配置，在所述喷淋板设置有加热器(50)，并且形成有用于向处理容器内喷出处理气体的多个气孔(43)；以及基底构件(42)，其与喷淋板的背面侧接合，该背面是与所述喷淋板的同载置台相向的面相向的面，在所述基底构件设置有流路(60)，并且形成有用于向多个气孔供给处理气体的空间。
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公开(公告)号：CN113936986A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110762462.7
申请日：2021-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本公开提供一种基板脱离方法和等离子体处理装置，抑制对基板的静电吸附力的下降。是使通过对被埋设于处理容器的内部的静电吸盘的吸附电极施加直流电压而被静电吸附的基板从所述静电吸盘脱离的方法，所述基板脱离方法包括以下工序：在被实施等离子体处理后的所述基板被静电吸附于所述静电吸盘的状态下，向所述处理容器的内部供给除电用气体，来生成该除电用气体的等离子体；一边维持所述除电用气体的等离子体，一边利用升降销使所述基板上升，来将所述基板从所述静电吸盘脱离；以及对所述吸附电极施加负的直流电压。
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公开(公告)号：CN111430210A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010026911.7
申请日：2020-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种电感耦合等离子体处理装置。利用使用了金属窗而生成的电感耦合等离子体进行等离子体控制性更高且均匀性更高的等离子体处理。具备：处理容器；载置台，其载置矩形基板；矩形形状的金属窗，其构成处理容器的顶壁，与处理容器电绝缘；以及天线单元，其设于金属窗的上方，在处理容器内生成电感耦合等离子体，金属窗被第1分割分割成电绝缘的分割区域，天线单元具有高频天线，该高频天线是将具有与金属窗的上表面相对地形成的平面部的多个天线区段配置为平面部整体上成为矩形的框状区域而成的，多个天线区段分别是将天线用线沿着纵向以卷绕轴线与金属窗的上表面平行的方式卷绕成螺旋状而构成的，能够控制向多个天线区段分别供给的电流。
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