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公开(公告)号：CN107236936A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710191094.9
申请日：2017-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质。控制装置控制基板形成第一膜后形成第二膜而形成层叠膜的基板处理装置的动作，具有：制程存储部，存储包括形成第一膜的第一成膜条件和形成第二膜的第二成膜条件的成膜条件；模型存储部，存储包括表示第一成膜条件对第一膜特性影响的第一工艺模型和表示第二成膜条件对第二膜特性影响的第二工艺模型的工艺模型；以及控制部，基于包括利用制程存储部存储的第一成膜条件和第二成膜条件形成第一膜和第二膜的层叠膜的特性的测定值和模型存储部存储的第二工艺模型调整第二成膜条件，基于利用第一成膜条件和调整后的第二成膜条件形成层叠膜的情况下预测层叠膜特性的预测值判定是否要调整第一成膜条件。
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公开(公告)号：CN107230654A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710183981.1
申请日：2017-03-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/66 , C23C16/455 , C23C16/52
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/345 , C23C16/45525 , C23C16/45544 , C23C16/45553 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L22/12 , H01L21/67253 , H01L22/20
Abstract: 提供一种控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质。本实施方式的控制装置对基板处理装置的动作进行控制，该基板处理装置用于在基板形成基于原子层沉积的膜，该控制装置具有：制程存储部，其用于存储与所述膜的种类相应的成膜条件；模型存储部，其用于存储表示所述成膜条件对所述膜的特性产生的影响的工艺模型；记录存储部，其用于存储成膜时的所述成膜条件的实际测量值；以及控制部，其基于根据所述制程存储部所存储的所述成膜条件形成的所述膜的特性的测定结果、所述模型存储部所存储的所述工艺模型、以及所述记录存储部所存储的所述成膜条件的实际测量值来计算满足设为目标的所述膜的特性的成膜条件。
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公开(公告)号：CN1298028C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN02819922.7
申请日：2002-08-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67253 , F27D19/00 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , Y10T29/41
Abstract: 一种热处理方法，在对比被处理体保持件的最大能够处理数少的数量的被处理体进行热处理的情况下，从以比被处理体保持件的最大能够处理数少的基准数量为最大值而设定的1个或2个以上的被处理体数量范围，指定要处理的被处理体的数量所属的被处理体数量范围。按照对应该指定的被处理体数量范围而设定的载置模式来载置被处理体。按照对应该载置模式而预先设定的处理条件来进行热处理。热处理装置备有用于实行上述热处理方法的控制装置而成。
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公开(公告)号：CN1565050A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN02819922.7
申请日：2002-08-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67253 , F27D19/00 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , Y10T29/41
Abstract: 一种热处理方法，在对比被处理体保持件的最大能够处理数少的数量的被处理体进行热处理的情况下，从以比被处理体保持件的最大能够处理数少的基准数量为最大值而设定的1个或2个以上的被处理体数量范围，指定要处理的被处理体的数量所属的被处理体数量范围。按照对应该指定的被处理体数量范围而设定的载置模式来载置被处理体。按照对应该载置模式而预先设定的处理条件来进行热处理。热处理装置备有用于实行上述热处理方法的控制装置而成。
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