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公开(公告)号：CN112652512B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202011046672.8
申请日：2020-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括：处理容器；以及多个气体喷嘴，其从构成上述处理容器的顶壁和/或侧壁伸出，具有对上述处理容器内供给气体的气体供给孔，多个上述气体喷嘴具有扩径部，该扩径部在多个上述气体喷嘴的气体供给孔的前端从上述气体供给孔的细孔扩大，在处理空间开口。本发明能够在气体喷嘴防止异常放电。
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公开(公告)号：CN112788826B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202011154008.5
申请日：2020-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供与多个天线的配置无关地、能够自由地进行等离子体分布控制的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括：腔室，其具有对基片实施等离子体处理的处理空间和合成电磁波的合成空间；分隔处理空间和合成空间的电介质窗；天线单元，其具有对合成空间辐射电磁波的多个天线，并作为相控阵天线发挥作用；对天线单元输出电磁波的电磁波输出部；以及使天线单元作为相控阵天线发挥作用的控制部，天线是螺旋形天线。
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公开(公告)号：CN113284784B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202110172280.4
申请日：2021-02-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种载置台、等离子体处理装置以及等离子体处理方法。期待能够在基板的边缘附近高效地产生等离子体的载置台、等离子体处理装置以及等离子体处理方法。在一个例示性的实施方式中，提供一种具有载置面的载置台。该载置台的特征在于，载置台具有厚度，包括埋设有高频电极的载置台主体，载置台主体包含陶瓷，高频电极在载置面的外周部下方区域沿上述的厚度的方向延伸。
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公开(公告)号：CN112466736B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010893601.5
申请日：2020-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和温度控制方法。在一个例示的实施方式中，等离子体处理装置包括多个微波辐射机构、载置台、下部加热源和上部加热源。多个微波辐射机构设置于处理容器的上部。载置台配置于处理容器内。下部加热源设置于载置台内。上部加热源配置于与载置台相对的位置。根据本发明，能够形成品质优良的膜。
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公开(公告)号：CN112309818B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202010717271.4
申请日：2020-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种能够监视等离子体的状态的等离子体处理装置和控制方法。基于本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，其具有形成有开口部的顶板；具有导电性的圆环状构件，其以与所述顶板绝缘的状态设置于所述开口部；微波辐射机构，其以包括所述圆环状构件的中心的方式配置于所述顶板上，用于向所述处理容器的内部辐射微波；以及等离子体检测部，其与所述圆环状构件连接，用于检测生成的等离子体的状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117373887A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310746605.4
申请日：2023-06-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够抑制划分壁的损伤。本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，在所述处理容器的侧壁具有开口；划分壁，其覆盖所述开口，并且形成与所述处理容器的内部连通的内部空间；内部电极，其以能够装卸且气密的方式贯通所述划分壁插入到所述内部空间，所述内部电极被供给RF电力；以及外部电极，其设置于所述划分壁的外部。
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公开(公告)号：CN116487239A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310030992.1
申请日：2023-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，能够在构成等离子体处理装置所具有的处理容器的顶壁的顶板内抑制电磁波的传播。所述等离子体处理装置具有：处理容器；顶板，其构成所述处理容器的顶壁，所述顶板由第一电介体形成，在所述第一电介体具有开口；透过窗，其配置于所述开口，所述透过窗由介电常数比所述第一电介体的介电常数大的第二电介体形成；以及电磁波供给部，其构成为朝向所述透过窗供给电磁波。
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公开(公告)号：CN109427523B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201811030301.3
申请日：2018-09-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/244 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体探测装置，其包括：天线部，其隔着将真空空间与大气空间之间密封的密封部件安装于开口部中，其中，上述开口部形成在处理容器的壁部或载置台；与上述天线部连接的电极；和由电介质形成的对上述天线部从周围进行支承的电介质支承部，上述天线部与上述壁部或上述载置台的相对面以规定的距离隔开间隔，上述天线部的从上述开口部露出的面，与形成有该开口部的上述壁部或上述载置台的等离子体生成空间侧的面相比凹入到内侧。由此，能够提供避免气体侵入的等离子体探测装置。
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公开(公告)号：CN113615322A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080024028.2
申请日：2020-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置中的等离子体处理方法，所述等离子体处理装置包括腔室、用于在所述腔室内载置基片的载置台、用于辐射多个电磁波的多个辐射部、和配置在多个所述辐射部与所述载置台之间的电介质窗，所述等离子体处理方法的特征在于，包括：在所述载置台上准备基片的工序；控制从多个所述辐射部辐射的多个所述电磁波中的至少任一个电磁波的相位的工序；从多个所述辐射部向所述腔室内辐射多个所述电磁波的工序；和利用从被供给到所述电介质窗与所述载置台之间的气体生成的局部等离子体对所述基片进行处理的工序。
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公开(公告)号：CN112652513A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011046684.0
申请日：2020-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供处理方法和等离子体处理装置，能够维持等离子体电子密度并且降低等离子体电子温度。在处理基片的处理容器内使用等离子体进行的处理方法，其包括：将气体供给到上述处理容器内的步骤；和对上述处理容器内间歇地供给从多个微波导入组件输出的微波的功率的步骤，上述间歇地供给微波的功率的步骤，周期性地使多个上述微波导入组件的所有微波的功率的供给成为关断给定时间的状态。
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