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公开(公告)号：CN101570856B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910142629.9
申请日：2005-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明涉及半导体处理用成膜装置，该装置具有：处理容器，支持被处理基板的支持部件，加热被处理基板的加热器，排放气体的排气系统，供给成膜用第一处理气体和与第一处理气体反应的第二处理气体以及与第一、第二处理气体均不同的第三处理气体的第一、第二、第三处理气体供给系统，激发第二处理气体的激发机构，控制成膜装置动作的控制部分，为通过CVD在被处理基板上形成薄膜，所述控制部分交叉实施如下工序：供给第一和第三处理气体，同时停止供给第二处理气体，通过激发机构，使第三处理气体以激发状态供给；停止供给第一、第二、第三处理气体；供给第二处理气体，同时停止供给第一和第三处理气体；停止供给第一、第二、第三处理气体。
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公开(公告)号：CN100554506C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200610056982.1
申请日：2006-03-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/513 , C23C16/52 , C23C16/448 , H01L21/205
Abstract: 本发明是在可选择地供给包含硅烷系气体的第一处理气体、包含氮化物气体或氮氧化物气体的第二处理气体与包含烃气体的第三处理气体的处理区域内，在被处理基板上由CVD而形成绝缘膜。该成膜方法交互具有第一工序、第二工序、第三工序与第四工序。其中所述第一工序对所述处理区域供给第一及第三处理气体，另一方面对所述处理区域停止所述第二处理气体的供给；所述第二工序停止对所述处理区域的第一、第二、及第三处理气体的供给；所述第三工序对所述处理区域供给第二处理气体，另一方面对所述处理区域停止所述第一及第三处理气体的供给；所述第四工序停止对所述处理区域的第一、第二、及第三处理气体的供给。
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公开(公告)号：CN1831192A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610058179.1
申请日：2006-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/513 , C23C16/52 , C23C16/448 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45512 , C23C16/345 , C23C16/45531 , C23C16/45542 , C23C16/45578 , C23C16/509
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置，其包含向处理区域内供给处理气体的处理气体供给系统。上述处理气体供给系统包括：将第一和第三处理气体混合、形成混合气体的气体混合罐；从气体混合罐向处理区域供给混合气体的混合气体供给管线；具有不经过气体混合罐而将第二处理气体供给到处理区域的第二处理气体供给管线的第二处理气体供给系统；分别设置在混合气体供给管线和第二处理气体供给管线上的第一和第二开关阀。控制部控制第一和第二开关阀，使得以脉冲状向处理区域交替供给混合气体和第二处理气体。
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公开(公告)号：CN1831192B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200610058179.1
申请日：2006-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/513 , C23C16/52 , C23C16/448 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45512 , C23C16/345 , C23C16/45531 , C23C16/45542 , C23C16/45578 , C23C16/509
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置，其包含向处理区域内供给处理气体的处理气体供给系统。上述处理气体供给系统包括：将第一和第三处理气体混合、形成混合气体的气体混合罐；从气体混合罐向处理区域供给混合气体的混合气体供给管线；具有不经过气体混合罐而将第二处理气体供给到处理区域的第二处理气体供给管线的第二处理气体供给系统；分别设置在混合气体供给管线和第二处理气体供给管线上的第一和第二开关阀。控制部控制第一和第二开关阀，使得以脉冲状向处理区域交替供给混合气体和第二处理气体。
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公开(公告)号：CN101381861B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200810109374.1
申请日：2005-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/452 , H01J37/32 , H01L21/318
Abstract: 本发明涉及半导体处理用的成膜方法，该成膜方法是向容纳被处理基板的处理容器内供给成膜用的第一处理气体和与第一处理气体反应的第二处理气体，通过CVD在被处理基板上形成薄膜的方法。此成膜方法交叉的包括第一至第四工序。在第一工序中，向处理区域供给第和第二处理气体。在第二工序中，停止向处理区域供给第一和第二处理气体。在第三工序中，在向处理区域供给第二处理气体的同时，停止向处理区域供给第一处理气体。在第四工序中，停止向处理区域供给第一和第二处理气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101106075B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200710149410.2
申请日：2007-07-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/318 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/452 , C23C16/345 , C23C16/4405
Abstract: 本发明涉及一种成膜装置的使用方法，通过向处理容器的处理区域内供给第一成膜气体的第一成膜处理，在处理区域内，在第一处理基板上形成第一薄膜。从处理容器卸载第一处理基板之后，进行处理容器内的清洗处理。清洗处理包括在向处理区域内供给清洗气体的同时，通过激励机构产生清洗气体的等离子体的工序。接着，通过向处理区域内供给第二成膜气体的第二成膜处理，在处理区域内，在被处理基板上形成第二薄膜。第二成膜处理是在通过激励机构产生第二成膜气体的等离子体的同时进行的等离子体成膜处理。
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公开(公告)号：CN101488452A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910005511.1
申请日：2009-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/02274 , C23C16/345 , C23C16/45542 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/0228 , H01L21/3185
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法和装置。该成膜方法能够有选择地供给包含硅烷类气体的第一处理气体和包含氮化气体的第二处理气体，并且在与用于在供给第二处理气体时对其进行激发的激发机构连通的处理区域内反复进行多次等离子体循环和非等离子体循环，在被处理基板上形成硅氮化膜。该方法包括：求取表示等离子体循环和非等离子体循环的循环混合方式相对于硅氮化膜的膜质要素的关系的关系式或关系表的工序；根据膜质要素的目标值并参照关系式或关系表，决定循环混合方式的具体方式的工序；和根据具体方式安排成膜处理的工序。
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公开(公告)号：CN101135046A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710147867.X
申请日：2007-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/52 , H01L21/205 , H01L21/365
CPC classification number: C23C16/45525 , C03C17/225 , C03C2217/281 , C03C2217/282 , C03C2217/283 , C03C2218/152 , C23C16/30 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , C23C16/45578
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，在能够有选择地供给含有硅烷系气体的第一处理气体、含有氮化气体或氧氮化气体的第二处理气体、含有含硼的气体的第三处理气体和含有碳氢化合物气体的第四处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成绝缘膜。在第一工序中，供给第一处理气体、和第三与第四处理气体中之一的先行气体，另一方面，停止供给第二处理气体、和第三与第四处理气体中的另一种的后行气体。在第二工序中，供给后行气体，另一方面，停止供给第二处理气体和先行气体。在第三工序中，供给第二处理气体，另一方面，停止供给第一处理气体。
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公开(公告)号：CN101005029A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200710001998.7
申请日：2007-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/314 , C23C16/30 , C23C16/455 , G05D7/06
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/36 , C23C16/452 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , H01L21/02167 , H01L21/02211 , H01L21/3148 , H01L21/318
Abstract: 在可选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体、含有氮化气体的第二处理气体和含有碳氢化合物气体的第三处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成绝缘膜。该成膜方法，重复实行：对处理区域供给第一处理气体，对处理区域供给第二处理气体，和对处理区域供给第三处理气体。第三处理气体的供给，包括将第三处理气体在由激发机构激发的状态下供给至处理区域的激发期间。
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公开(公告)号：CN1881541A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200510087306.6
申请日：2005-07-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/314 , H01L21/318 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45531 , C23C16/30 , C23C16/345 , C23C16/45525 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , C23C16/507
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在能够选择性地供给含有硅烷系气体的第一处理气体和含有氮化气体或氮氧化气体的第二处理气体以及含有掺杂气体的第三处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成含有杂质的氮化硅膜或氮氧化硅膜。该成膜方法交叉地具有第一至第四工序。在第一工序中，向处理区域内供给第一和第三处理气体。在第二工序中，停止向处理区域内供给第一、第二和第三处理气体。在第三工序中，向处理区域内供给第二处理气体，而停止向处理区域供给第一和第三处理气体。第三工序具有将由激发机构使之处于激发状态的第二处理气体供给至处理区域的激发期间。在第四工序中，停止向处理区域内供给第一、第二和第三处理气体。
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