-
公开(公告)号：CN108962793B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201810771641.5
申请日：2016-01-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种使用磷酸水溶液的蚀刻处理控制装置、方法以及存储介质。该蚀刻处理控制装置具有：处理槽，其用于利用加热磷酸水溶液而得到的蚀刻液对基板进行蚀刻处理；处理液供给部，其向所述处理槽供给磷酸水溶液；处理液循环部，其使所述处理槽的内部的蚀刻液循环；处理液排出部，其使所述蚀刻液排出；浓度传感器，其测量所述蚀刻液中的硅浓度；以及控制部，其与所述浓度传感器连接，对所述处理液供给部、所述处理液循环部以及所述处理液排出部进行控制，其中，所述控制部利用所述处理液循环部使蚀刻液循环，在规定的定时利用所述浓度传感器来测量硅浓度，使蚀刻液从所述处理液排出部排出，并且从所述处理液供给部向所述处理槽供给磷酸水溶液。
-
公开(公告)号：CN109585334B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201811136956.9
申请日：2018-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，该基板处理装置和基板处理方法提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、磷酸处理液供给部、循环路径、SiO2析出防止剂供给部以及混合部。磷酸处理液供给部供给在基板处理槽中的蚀刻处理中使用的磷酸处理液。循环路径用于使被供给到基板处理槽中的磷酸处理液循环。SiO2析出防止剂供给部向循环路径供给SiO2析出防止剂。混合部将含硅化合物混合到供给至循环路径之前的磷酸处理液中。
-
公开(公告)号：CN106024615B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201610177762.8
申请日：2016-03-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/67 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种基板液体处理装置和基板液体处理方法。该基板液体处理装置具有：液体处理部，其利用被稀释液稀释后的处理液对基板进行处理；处理液供给部，其供给所述处理液；稀释液供给部，其供给用于稀释所述处理液的稀释液；浓度测量部，其测量被所述稀释液稀释后的处理液的浓度；以及控制部，其根据由所述浓度测量部测量出的被所述稀释液稀释后的处理液的浓度来控制所述处理液供给部和所述稀释液供给部，其中，在利用所述液体处理部对所述基板进行处理过程中判断为利用所述浓度测量部无法正常地测量所述处理液的浓度的情况下，使所述处理液和所述稀释液的供给状态维持预先决定的供给状态，并使利用所述液体处理部对所述基板进行的处理继续。
-
公开(公告)号：CN110660708A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910579451.8
申请日：2019-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，能够高精度地变更使基板浸在其中来对基板进行处理的处理液的成分浓度。基板处理装置具备：处理槽，其贮存处理液，该处理液包含第一成分和沸点比所述第一成分的沸点高的第二成分，使基板浸在该处理液中来对基板进行处理；调整液供给部，其向所述处理槽供给调整液，该调整液包含所述第一成分，用于调整所述第二成分在所述处理液中所占的浓度；以及控制部，其控制所述调整液供给部，其中，在变更所述浓度时，所述控制部基于变更后的所述浓度与变更前的所述浓度的浓度差来计算与变更后的所述浓度相当的所述处理槽中的液面高度，基于进行所述计算得到的所述液面高度来控制所述调整液向所述处理槽的供给。
-
公开(公告)号：CN109585334A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811136956.9
申请日：2018-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，该基板处理装置和基板处理方法提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、磷酸处理液供给部、循环路径、SiO2析出防止剂供给部以及混合部。磷酸处理液供给部供给在基板处理槽中的蚀刻处理中使用的磷酸处理液。循环路径用于使被供给到基板处理槽中的磷酸处理液循环。SiO2析出防止剂供给部向循环路径供给SiO2析出防止剂。混合部将含硅化合物混合到供给至循环路径之前的磷酸处理液中。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107579020A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710532046.1
申请日：2017-07-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐藤秀明
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6708 , B05C11/1039 , H01L21/30604 , H01L21/67017 , H01L21/67023 , H01L21/67086 , H01L21/67253 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供一种基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。本发明根据使用完毕的磷酸水溶液中的硅浓度来使用再生单元。基板液处理装置(1)具有控制部(7)和通过处理液对基板(8)进行处理的液处理部(39)。所述控制部(7)根据在所述液处理部(39)中对所述基板(8)进行处理而从所述基板(8)溶出的溶出成分浓度，将从排出线(82)排出的所述处理液从所述再生线(90)切换到经过所述排出线(82)向外部进行废弃的废弃线(87)。
-
公开(公告)号：CN105374712A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510490201.9
申请日：2015-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供能够良好地对基板进行液体处理的基板液体处理装置和基板液体处理方法。在本发明中，基板液体处理装置(1)具有：液体处理部(3)，其利用处理液对基板(2)进行处理；处理液供给部(4)，其供给上述处理液；以及稀释液供给部(5)，其供给用于稀释上述处理液的稀释液，该基板液体处理装置(1)检测上述处理液的浓度和大气压，控制从上述稀释液供给部(5)供给的上述稀释液的量，使得检测出的上述处理液的浓度成为预先设定的浓度(设定浓度)，并且根据检测出的大气压来校正上述设定浓度。
-
公开(公告)号：CN111430273B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202010248647.1
申请日：2016-01-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种使用磷酸水溶液的蚀刻处理装置。该蚀刻处理装置具有：处理槽，其用于利用加热磷酸水溶液而得到的蚀刻液对基板进行蚀刻处理；处理液供给部，其向所述处理槽供给磷酸水溶液；处理液循环部，其使所述处理槽的内部的蚀刻液循环；处理液排出部，其使所述蚀刻液排出；以及控制部，其对所述处理液供给部、所述处理液循环部以及所述处理液排出部进行控制，其中，所述控制部利用所述处理液循环部使蚀刻液循环，使蚀刻液从所述处理液排出部排出，并且从所述处理液供给部向所述处理槽供给磷酸水溶液，所述控制部还使用蚀刻液中的硅浓度信息进行控制，以使浸渍了基板的蚀刻液的硅浓度成为规定浓度范围。
-
公开(公告)号：CN110610875B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201910509553.2
申请日：2019-06-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种能够削减处理液的废弃量的技术。本发明的基片处理装置包括处理槽、存积部、去除部、混合部和返回路径。处理槽使基片浸渍于包含药液和硅的处理液中进行该基片的蚀刻处理。存积部将从处理槽排出的处理液回收并存积。去除部回收从处理槽排出的处理液的一部分，从回收的处理液中去除硅。混合部将存积部中存积的处理液和由去除部去除了硅后的处理液混合。返回路径将由混合部混合后的处理液返回处理槽。
-
公开(公告)号：CN107579020B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201710532046.1
申请日：2017-07-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐藤秀明
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。本发明根据使用完毕的磷酸水溶液中的硅浓度来使用再生单元。基板液处理装置(1)具有控制部(7)和通过处理液对基板(8)进行处理的液处理部(39)。所述控制部(7)根据在所述液处理部(39)中对所述基板(8)进行处理而从所述基板(8)溶出的溶出成分浓度，将从排出线(82)排出的所述处理液从所述再生线(90)切换到经过所述排出线(82)向外部进行废弃的废弃线(87)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
49
records
(took 0.031 seconds)
