气体供给装置及其制造方法以及等离子体处理装置

    公开(公告)号:CN108242381B

    公开(公告)日:2020-01-03

    申请号:CN201711417582.3

    申请日:2017-12-25

    Abstract: 本发明提供一种在包括形成有多个气体排出口的电极部件的等离子体处理用的气体供给装置中,实现使形成于气体排出口的喷镀膜的膜厚的均匀化的技术。在用于等离子体处理的具有形成有多个气体流路(41)的电极板(32B)的气体供给装置中,以在气体流路41与气体排出口(40)的边界部(Pa)形成角部的方式向外侧弯折,从位于角部的外侧的内周面至下表面(300)形成为弯曲面。因此,在向气体排出口(40)吹附喷镀材料(50)时吹附喷镀材料(50)的方向与气体排出口(40)的内周面所成的角度变大,能够防止气体排出口(40)的上游侧的边界附近的薄膜化。

    等离子体处理装置
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109216148A

    公开(公告)日:2019-01-15

    申请号:CN201810735553.X

    申请日:2018-07-06

    Abstract: 本发明提供一种在对多个被处理基板同时进行等离子体处理时,能够抑制施加于载置被处理基板的电极部的高频电力对于周围部件的影响的等离子体处理装置。等离子体处理装置利用等离子体形成部将供给到处理空间的处理气体等离子体化,被施加高频电力的第一电极部,构成用于载置一个被处理基板的第一基板载置面。另外,被施加高频电力的金属制的第二电极部,设置在与上述第一电极部离开且相邻的位置,构成用于载置另一被处理基板的第二基板载置面。在包围第一基板载置面、第二基板载置面这两者的周围的位置,设置有陶瓷制的环部,在该位置的环部的下表面侧,设置有由介电常数比上述陶瓷低的电介质构成的电介质部件。

    等离子体处理装置和喷淋头

    公开(公告)号:CN106340434B

    公开(公告)日:2018-12-14

    申请号:CN201610537014.6

    申请日:2016-07-08

    Abstract: 本发明提供一种对等离子体腐蚀的耐久性良好的喷淋头。等离子体处理装置(11)中设置的喷淋头(22)包括:基材(60),其包括用于对腔室(20)内排出处理气体的气体排出孔(40)、以及形成于气体排出孔(40)的气体排出口一侧的凹部;和由陶瓷或不锈钢构成,固定于基材(60)的凹部中的圆筒状的套管,采用由耐等离子体膜(63)将套管的表面和基材(60)的配置有套管的面覆盖的结构。在使用陶瓷套管(61)的情况下,在基材(60)的等离子体生成空间(S)一侧的面与耐等离子体膜(63)之间设置基底膜(62)。

    基板载置台和基板处理装置

    公开(公告)号:CN107026102A

    公开(公告)日:2017-08-08

    申请号:CN201610963595.X

    申请日:2016-11-04

    Abstract: 本发明提供一种基板载置台,即使在第1部件与第2部件间存在微小间隙,也不会导致维护性的恶化和装置成本的增加,而能够确保从第1部件向第2部件的良好且均匀的热传递。在处理容器内对被处理基板实施处理的基板处理装置中载置基板的基板载置台包括:作为基座的金属制的第1部件;设置在第1部件之上的金属制的第2部件;设置在第2部件的表面的、载置基板的基板载置部;设置在第1部件的温度调节机构;由弹性体构成的弹性体片,插设于第1部件与第2部件之间,所述弹性体由有机材料形成;和螺钉,在插设有弹性体片的状态下将第1部件和第2部件的至少外周紧固,弹性体片填埋当第1部件和第2部件被紧固时形成在上述部件之间的微小间隙。

    等离子体处理装置和等离子体处理装置的控制方法

    公开(公告)号:CN106252190A

    公开(公告)日:2016-12-21

    申请号:CN201610408989.9

    申请日:2016-06-12

    CPC classification number: H01J37/321 H01J37/32119 H01J37/32477

    Abstract: 本发明提供一种不必基于感觉或经验设定处理条件就能够避免窗部件的损坏的等离子体处理装置,其控制装置(100)接收衬底(G)的等离子体处理的处理方案的输入,基于按该处理方案反复执行等离子体处理而使窗部件(22)的温度成为平衡状态时的在窗部件(22)设定的多个温度预测点的预测到达温度之差,判断配置在处理空间(S)与电感耦合天线(50)之间的窗部件(22)的电介质是否发生损坏,在判断窗部件(22)发生损坏的情况下不将处理方案登记到存储部下将处理方案登记到存储部(102),根据存储于存储部(102)的处理方案执行衬底(G)的等离子体处理。(102),在判断窗部件(22)没有发生损坏的情况

    基板载置台和基板处理装置

    公开(公告)号:CN103824800A

    公开(公告)日:2014-05-28

    申请号:CN201310573742.9

    申请日:2013-11-15

    CPC classification number: H01L21/6831 H01L21/6833

    Abstract: 本发明提供一种在剥离被处理基板时难以产生因被处理基板的吸附现象导致的基板的破裂以及残留的电荷或剥离带电导致的元件的静电破坏的基板载置台和使用其的基板处理装置。该基板载置台包括:包括静电卡盘的载置台主体,该静电卡盘在具有载置基板的载置面的上部绝缘部件内设置被施加直流电压的吸附电极;对载置台主体调节温度的温度调节机构;和对基板的背面侧供给传热气体的传热气体供给机构,具有在载置有基板时在基板与比周缘载置部靠内侧的内侧部分的上表面之间被供给传热气体的空间,吸附电极不存在于与周缘载置部对应的部分,周缘载置部具有凹部,该凹部使得附着于周缘载置部的上表面的副生成物不粘着在载置在周缘载置部上的基板的背面。

    基板载置台、在基板载置面形成树脂突起物层的方法以及树脂突起物层复制部件

    公开(公告)号:CN102376617A

    公开(公告)日:2012-03-14

    申请号:CN201110212820.3

    申请日:2011-07-26

    Abstract: 本发明提供一种在无需加热基板载置台就能够在基板载置面形成树脂突起物层的基板载置面形成树脂突起物层的方法。包括:贴合步骤,将树脂突起物层复制部件(40)的涂布在树脂突起物层(43)的第二粘合剂层(44)向基板载置面(55)按压,将树脂突起物层(43)贴合到基板载置面(55),其中,树脂突起物层复制部件(40)包括:基体材料片材(41);隔着第一粘合剂层(42)贴合到基体材料片材(41)的一面的树脂突起物层(43);和涂布在树脂突起物层(43)的第二粘合剂层(44),和基体材料片材剥离步骤,将基体材料片材(41)从贴合的树脂突起物层(43)剥离。

    屏蔽部件、其构成零件以及具有屏蔽部件的基板载置台

    公开(公告)号:CN102337511A

    公开(公告)日:2012-02-01

    申请号:CN201110208183.2

    申请日:2011-07-20

    Abstract: 本发明提供一种即使发生热膨胀也与下部电极之间不产生间隙,并能够防止下部电极的异常放电以及腐蚀的产生的屏蔽部件,以及其构成零件和具有屏蔽部件的基板载置台。本发明的屏蔽部件将包括沿下部电极的矩形的载置面的一边配置的绝缘性的长尺寸状物件并具有在长度方向的一端设置的固定用螺钉孔和在长尺寸状物件的长度方向离开设置的支承用螺钉孔的构成零件,以各环构成零件的长度方向的一端的端面与相邻的其他的环构成零件的长度方向的一端的侧面抵接,另一端的侧面与相邻的其他的环构成零件的不同的另外的环构成零件的一端的侧面抵接的方式进行组合。

    真空处理装置
    29.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101615570A

    公开(公告)日:2009-12-30

    申请号:CN200910146244.X

    申请日:2009-06-24

    Abstract: 本发明提供一种真空处理装置,其在打开盖住容器主体的上部开口部的盖体,将被处理体搬入搬出处理容器时,可以降低混入处理容器内部的水分和颗粒的量。其包括内部具有成为被处理体的基板(S)的载置台(3)的容器主体(21)和盖住该容器主体(21)的上部开口部的盖体(22),当为了将上述基板(S)搬入或者搬出处理容器(20)而在盖体(22)和容器主体(21)之间形成间隙时,在处理容器(20)的外周面,沿周方向设置罩部件(5),以便至少在基板(S)的搬入搬出区域之外的区域覆盖上述间隙。

    处理装置
    30.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101609790A

    公开(公告)日:2009-12-23

    申请号:CN200910149131.5

    申请日:2009-06-17

    Abstract: 本发明提供一种可以减轻设置在被处理体周围的整流壁的弯曲的处理装置,向处理容器(20)的内部供给处理气体,对载置台(3)上载置的被处理体(S),例如进行蚀刻等处理的处理装置(2)中,整流部件(5)构成为,连接有沿着被处理体(S)的各边延伸的多个整流壁(51),并包围该被处理体(S),各整流壁(51),其两端部被支撑部件(52)支撑,而且,其上缘形成为向该整流壁(51)的中央部逐渐升高的形状,另一方面,下缘形成为与上述载置台的上面平行。

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