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公开(公告)号：CN109196667A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780016053.4
申请日：2017-03-07
Applicant: 世迈克琉明有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体发光元件，其特征在于，包括：主体，其包括底部，在底部形成有至少一个以上的孔；半导体发光元件芯片，其位于各个至少一个以上的孔内，包括多个半导体层和电极，多个半导体层包括通过电子和空穴的复合生成光的有源层，上述电极与多个半导体层电连接；以及密封材料，其覆盖半导体发光元件芯片，其中，形成孔的底部内侧面具有多个倾斜角。
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公开(公告)号：CN108598251A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810347403.1
申请日：2015-06-10
Applicant: 世迈克琉明有限公司
Abstract: 本发明的半导体发光元件，包括：多个半导体层，包括在生长衬底上依次形成的具备第一导电性的第一半导体层、具备第二导电性的第二半导体层及介于第一半导体层与第二半导体层之间，通过电子和空穴的复合而生成光的有源层；非导电性反射膜，以将在有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层；第一电极，形成在非导电性反射膜，与第一半导体层电气性连通，供给电子和空穴中的一个；及第二电极，在非导电性反射膜上与第一电极相对形成，与第二半导体层电气性连通，供给电子和空穴中的另一个，第一电极与第二电极之间的间隔为80μm以上，在俯视图上观察时，第一电极及第二电极相加的面积相对于半导体发光元件的俯视面积的比率为0.7以下。
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公开(公告)号：CN108598230A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810342701.1
申请日：2013-07-18
Applicant: 世迈克琉明有限公司
Abstract: 本公开涉及一种半导体发光器件，包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，其中所述多个半导体层包括第一半导体层、第二导电性的第二半导体层、以及介于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的经由电子-空穴复合产生光的有源层；第一电极，所述第一电极向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个；第二电极，所述第二电极向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一个；不导电反射膜，所述不导电反射膜形成在所述第二半导体层上，用于从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光，且所述不导电反射膜具有双层结构，该双层结构包括通过化学气相沉积法形成的分布式布拉格反射器和通过物理气相沉积形成的电介质膜。
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公开(公告)号：CN108598229A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810342699.8
申请日：2013-07-18
Applicant: 世迈克琉明有限公司
Abstract: 本公开涉及一种半导体发光器件，包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，其中所述多个半导体层包括第一半导体层、第二导电性的第二半导体层、以及有源层；向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个的第一电极；向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一个的第二电极；以及形成在所述第二半导体层上，用于从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光，且所述不导电反射膜具有双层结构，该双层结构包括通过化学气相沉积法形成的分布式布拉格反射器和通过物理气相沉积形成的电介质膜的不导电反射膜，所述第一电极位于所述不导电反射膜上，且通过电连接件与所述第一半导体层电连接，所述电连接件穿过所述不导电反射膜。
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公开(公告)号：CN108550672A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810343598.2
申请日：2013-07-18
Applicant: 世迈克琉明有限公司
Abstract: 本公开涉及一种半导体发光器件，包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，所述多个半导体层包括第一半导体层、第二半导体层以及有源层；向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个的第一电极；向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一个的第二电极；形成在所述第二半导体层上，用于从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光，且所述不导电反射膜具有双层结构，该双层结构包括分布式布拉格反射器和折射率比所述第二半导体层的折射率低的电介质膜的不导电反射膜；以及分支电极，所述分支电极在所述多个半导体层与所述不导电反射膜之间被所述不导电反射膜覆盖，且与所述第一电极和所述第二电极中的一个电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106663734A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580031238.3
申请日：2015-06-10
Applicant: 世迈克琉明有限公司
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/08 , H01L33/10 , H01L33/12 , H01L33/387 , H01L33/50 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，其包括：第一发光部、第二发光部及第三发光部，各个发光部包括多个半导体层，所述多个半导体层依次层叠具备第一导电性的第一半导体层、通过电子和空穴的复合而生成光的有源层及具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层而构成；非导电性反射膜，其以覆盖多个半导体层的方式形成，反射在有源层生成的光；第一电极，其以与第一发光部的第一半导体层电气性地连通的方式形成，供给电子和空穴中的一个；第二电极，其以与第二发光部的第二半导体层电气性地连通的方式形成，供给电子和空穴中的另一个；及辅助焊盘，其形成在覆盖第三发光部的非导电性反射膜上。
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公开(公告)号：CN103975451B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201380004186.1
申请日：2013-07-18
Applicant: 世迈克琉明有限公司
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2224/16245 , H01L2933/0025 , H01L2933/0058
Abstract: 本公开涉及一种制造半导体发光元件的方法，该方法包括：形成要与第二半导体层电连通的分支电极；以及在该分支电极上形成由多个电介质膜构成的不导电反射膜，以从有源层向在生长衬底侧的第一半导体层反射光，其包括通过化学气相沉积形成底层，以及通过物理气相沉积形成至少两个层，其中，该底层的厚度比底层上方层压的所述至少两个层中的每个的厚度厚；以及形成电连接件，该电连接件贯穿该不导电反射膜并且与该分支电极电连接。
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公开(公告)号：CN103946994B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201380003999.9
申请日：2013-01-14
Applicant: 世迈克琉明有限公司
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/382
Abstract: 本公开涉及一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：多个半导体层，其是使用生长基板按顺序生长的；第一电极，其用于向第一半导体层提供电子和空穴中的一种；非导电反射膜，其形成在第二半导体上，以将光从有源层反射到作为生长基板侧的第一半导体层侧；以及分支电极，其形成在所述多个半导体层和所述非导电反射膜之间，延伸以向所述第二半导体层提供其它的电子和空穴，与所述第二半导体层连通，分支电极设置有电连接件，以被提供其它的电子和空穴。
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公开(公告)号：CN105981185A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580007808.5
申请日：2015-02-11
Applicant: 世迈克琉明有限公司
Inventor： 全水根
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，其包括：多个半导体层；反射膜，其用于在生长衬底的相反侧反射从有源层生成的光；以及第一电极及第二电极，它们用于向多个半导体层供给电子及空穴，该第一电极及第二电极中的至少一个具备焊层(soldering layer)，该焊层作为最上层，不含金(Au)而含锡(Sn)，并且经过热处理。
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公开(公告)号：CN108598251B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201810347403.1
申请日：2015-06-10
Applicant: 世迈克琉明有限公司
Abstract: 本发明的半导体发光元件，包括：多个半导体层，包括在生长衬底上依次形成的具备第一导电性的第一半导体层、具备第二导电性的第二半导体层及介于第一半导体层与第二半导体层之间，通过电子和空穴的复合而生成光的有源层；非导电性反射膜，以将在有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层；第一电极，形成在非导电性反射膜，与第一半导体层电气性连通，供给电子和空穴中的一个；及第二电极，在非导电性反射膜上与第一电极相对形成，与第二半导体层电气性连通，供给电子和空穴中的另一个，第一电极与第二电极之间的间隔为80μm以上，在俯视图上观察时，第一电极及第二电极相加的面积相对于半导体发光元件的俯视面积的比率为0.7以下。
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