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公开(公告)号：CN113621368B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202110819936.7
申请日：2021-07-20
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种卤化铅铯钙钛矿量子点与金属有机框架复合的塑形超快闪烁体及其制备方法，属于闪烁体复合材料技术领域。钙钛矿量子点作为制备超快闪烁体的重要原材料，有着发光效率高，荧光瞬态寿命较短等优点，但是其不稳定性造成它极容易团聚长大，变为大尺寸纳米晶，所以以往使用油胺油酸包覆量子点的方法并不适用于超快闪烁体对于低瞬态寿命的要求。本发明引入金属有机框架来调控量子点尺寸，提高量子点稳定性，从而得到低瞬态寿命的超快闪烁。并优选使用三种不同的固化方式，可分别通过热固化、常温固化、和紫外固化得到硬质和柔性的钙钛矿量子点@MOF塑性超快闪烁复合材料。该超快闪烁体复合材料可应用于核辐射探测、核元素中子甄别等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113621368A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110819936.7
申请日：2021-07-20
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种卤化铅铯钙钛矿量子点与金属有机框架复合的塑形超快闪烁体及其制备方法，属于闪烁体复合材料技术领域。钙钛矿量子点作为制备超快闪烁体的重要原材料，有着发光效率高，荧光瞬态寿命较短等优点，但是其不稳定性造成它极容易团聚长大，变为大尺寸纳米晶，所以以往使用油胺油酸包覆量子点的方法并不适用于超快闪烁体对于低瞬态寿命的要求。本发明引入金属有机框架来调控量子点尺寸，提高量子点稳定性，从而得到低瞬态寿命的超快闪烁。并优选使用三种不同的固化方式，可分别通过热固化、常温固化、和紫外固化得到硬质和柔性的钙钛矿量子点@MOF塑性超快闪烁复合材料。该超快闪烁体复合材料可应用于核辐射探测、核元素中子甄别等领域。
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公开(公告)号：CN109560199A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811433269.3
申请日：2018-11-28
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供了一种基于低压闪蒸晶化的钙钛矿薄膜光电器件的制备方法，属于光电器件领域。本发明在TiO2致密层上旋涂卤化铅，在卤化铅薄膜上滴加卤化甲胺溶液后在低压条件下进行闪蒸晶化，从而得到钙钛矿薄膜。本发明的制备方法通过低压闪蒸诱导晶化，在低压下以更低的沸点将溶剂迅速蒸发干净，然后将钙钛矿的各种反应物以可控的速率析出，再根据奥斯瓦尔德熟化效应使晶粒之间互相吞并生长成大晶粒。与常规的“两步法”相比，本发明提供的制备方法得到的钙钛矿薄膜表面更加均匀平整，整个钙钛矿薄膜层晶化程度更高。
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公开(公告)号：CN104386743B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410688295.6
申请日：2014-11-26
Applicant: 上海大学
IPC: C01G23/053
Abstract: 本发明属于纳米材料领域，涉及一种锐钛矿型TiO2纳米管的溶剂热制备方法。其制备工艺流程为：以冰乙酸为溶剂，TiF4为钛源，F127（嵌段共聚物，聚氧乙烯-聚氧丙烯-聚氧乙烯）作为表面活性剂，通过溶剂热法制备出无定型的TiO2纳米管，经过热处理后得到锐钛型TiO2纳米管。其中，冰乙酸用量为10-50mL，TiF4用量为50-150mg，F127用量为1-5g，反应温度为160-200℃，保温时间为12-48h，热处理温度为450-550℃，热处理时间为1-3h。本发明所提供的一种锐钛矿型TiO2纳米管的溶剂热制备方法，合成步骤简单，成本较低，不使用强碱溶液，适合大规模合成。
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公开(公告)号：CN104386743A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410688295.6
申请日：2014-11-26
Applicant: 上海大学
IPC: C01G23/053
CPC classification number: C01G23/047 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/13
Abstract: 本发明属于纳米材料领域，涉及一种锐钛矿型TiO2纳米管的溶剂热制备方法。其制备工艺流程为：以冰乙酸为溶剂，TiF4为钛源，F127（嵌段共聚物，聚氧乙烯-聚氧丙烯-聚氧乙烯）作为表面活性剂，通过溶剂热法制备出无定型的TiO2纳米管，经过热处理后得到锐钛型TiO2纳米管。其中，冰乙酸用量为10-50mL，TiF4用量为50-150mg，F127用量为1-5g，反应温度为160-200℃，保温时间为12-48h，热处理温度为450-550℃，热处理时间为1-3h。本发明所提供的一种锐钛矿型TiO2纳米管的溶剂热制备方法，合成步骤简单，成本较低，不使用强碱溶液，适合大规模合成。
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公开(公告)号：CN101882652A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010215770.X
申请日：2010-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于激光刻蚀晶化光学薄膜层的新型非晶硅薄膜太阳能电池的制备工艺，属无机材料太阳能器件制备的工艺技术领域。光学薄膜包括减反膜、增透膜、增反膜等，本发明主要通过控制晶粒大小，来达到调制光学薄膜层的增反和增透功能。本发明方法是通过等离子体化学气相沉积法(PECVD)在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上沉积三层分别为P型、I型和N型的非晶硅(a-Si)薄膜，然后使用波长为532nm的倍频掺钕钇铝石榴石(Nd:YAG)激光辐照样品表面，来实现N型层由非晶硅转变为多晶硅(poly-Si)光学薄膜层。通过变化激光能量密度，来控制晶化光学薄膜层多晶硅晶粒大小，以调节光电转换效率。本发明的无机材料太阳能可应用于太阳能汽车薄膜玻璃和建筑物薄膜玻璃幕墙。
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