公开(公告)号：CN101882652A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN201010215770.X

申请日：2010-06-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  黄璐 ,  金晶 ,  聂磊 ,  王艳 ,  廖阳 ,  方翔翔

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种基于激光刻蚀晶化光学薄膜层的新型非晶硅薄膜太阳能电池的制备工艺，属无机材料太阳能器件制备的工艺技术领域。光学薄膜包括减反膜、增透膜、增反膜等，本发明主要通过控制晶粒大小，来达到调制光学薄膜层的增反和增透功能。本发明方法是通过等离子体化学气相沉积法(PECVD)在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上沉积三层分别为P型、I型和N型的非晶硅(a-Si)薄膜，然后使用波长为532nm的倍频掺钕钇铝石榴石(Nd:YAG)激光辐照样品表面，来实现N型层由非晶硅转变为多晶硅(poly-Si)光学薄膜层。通过变化激光能量密度，来控制晶化光学薄膜层多晶硅晶粒大小，以调节光电转换效率。本发明的无机材料太阳能可应用于太阳能汽车薄膜玻璃和建筑物薄膜玻璃幕墙。