高温液相加热晶化方法及装备

    公开(公告)号:CN101591804A

    公开(公告)日:2009-12-02

    申请号:CN200910053887.X

    申请日:2009-06-26

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种高温液相加热晶化方法及装备。本装备有一可盛高温金属液体的槽,在该槽内盛有高温的金属或非金属液体,在此液体中还可以插入一高温区,在高温金属或非金属液体上面有包括需要晶化的衬底,衬底上面有需要晶化的非晶薄膜组成的基板,该基板有一个推动系统推动可连续晶化该非晶膜。本方法是将基板放在槽内并浮在高温液面上面,在真空或惰性气体或还原气体下加热至500度到1000度,在1分钟到20小时之间进行晶化,然后降温至250度到300度,取出基板。本发明能保持基板的平整度、不变形,受热均匀,传热效率高。

    一种多离子调控的突触晶体管及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117897044A

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202410058656.2

    申请日:2024-01-15

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明属于晶体管技术领域,具体涉及一种多离子调控的突触晶体管及其制备方法和应用。本发明在固态电解质中掺入多种金属盐,利用多种离子调控,金属盐中的金属离子在正栅电压的作用下迁移到介质层和沟道层的界面,从而诱导出沟道层中的电子;当电压撤去后,离子并不会立刻回到初始位置,而是具有一定的弛豫,从而使得沟道层的电导可以发生短时程或者长时程的改变;其中,质量较小的金属离子如钠离子和锂离子等,弛豫时间较短,有利于短期记忆的模拟,质量较大的金属离子如钙离子、钾离子和锌离子等,弛豫时间较长,有利于模拟长期记忆。本发明的突触晶体管可以更加完善地模拟突触特性,实现双脉冲易化、短时程记忆和长时程记忆等学习记忆行为。

    一种阻燃抑烟高分子复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114874541B

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202210392561.5

    申请日:2022-04-15

    Abstract: 本发明公开了一种阻燃抑烟高分子复合材料及其制备方法,该方法包括以下步骤:S1:按照如下质量百分比制备原料:三维碳毡10~15%,锡酸锌5~10%,基体树脂75~85%;S2:在三维碳毡上负载锡酸锌,制备得到三维负载锡酸锌碳毡预制体;S3:向三维负载锡酸锌碳毡预制体,真空灌注或原位聚合基体树脂,制得由三维碳毡负载锡酸锌的阻燃抑烟高分子复合材料。本发明运用三维碳毡预制体中纤维相互搭接形成碳毡的结构特点,利用浸渍涂覆蒸发自组装引入锡酸锌,构筑三维阻燃、抑烟网络构架并通过原位真空灌注或原位聚合基体树脂制得复合材料。本发明所制得的复合材料,同时具有优异的阻燃、抑烟以及力学性能,可广泛适用于阻燃领域。

    一种阻燃抑烟高分子复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114874541A

    公开(公告)日:2022-08-09

    申请号:CN202210392561.5

    申请日:2022-04-15

    Abstract: 本发明公开了一种阻燃抑烟高分子复合材料及其制备方法,该方法包括以下步骤:S1:按照如下质量百分比制备原料:三维碳毡10~15%,锡酸锌5~10%,基体树脂75~85%;S2:在三维碳毡上负载锡酸锌,制备得到三维负载锡酸锌碳毡预制体;S3:向三维负载锡酸锌碳毡预制体,真空灌注或原位聚合基体树脂,制得由三维碳毡负载锡酸锌的阻燃抑烟高分子复合材料。本发明运用三维碳毡预制体中纤维相互搭接形成碳毡的结构特点,利用浸渍涂覆蒸发自组装引入锡酸锌,构筑三维阻燃、抑烟网络构架并通过原位真空灌注或原位聚合基体树脂制得复合材料。本发明所制得的复合材料,同时具有优异的阻燃、抑烟以及力学性能,可广泛适用于阻燃领域。

    一种基于图像识别的高通量烟密度测试实验系统与方法

    公开(公告)号:CN114739864A

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN202210384045.8

    申请日:2022-04-13

    Abstract: 本发明公开了一种基于图像识别的高通量烟密度测试实验系统与方法,该系统包括相互连接并通讯的前端高通量烟密度测试设备、中端处理单元,后端分析单元;其中,前端高通量烟密度测试设备包括背景照明装置、样品盒、拍照装置以及锥加热器;所述的中端处理单元包括图像识别模块、照明数据采集模块以及加热数据采集模块;所述的后端分析单元,包括计算机及其内置分析程序。本发明通过使烟密度测试的表征可视化,实现整个测试过程中烟雾在空间时间上进行连续性的表征,再通过计算机将中端处理单元收集处理分类的数据进行二次的处理与自动分级评价,生成有详细数据与等级的测试报告,可提高对样品烟密度的检测效率以及精准度。

    一种突触晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN111682077B

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN202010609257.2

    申请日:2020-06-29

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种突触晶体管及其制备方法,所述突触晶体管从外到里依次包括:带有凹槽的凹字形的栅极层和带有凹槽的凹字形的绝缘层和有源层;所述绝缘层设置在所述栅极层的凹槽内,所述有源层设置在所述绝缘层的凹槽内;所述有源层上设置有源电极和漏电极。本发明采用带有凹槽的凹字形的栅极层和带有凹槽的凹字形的绝缘层,通过栅极对导电沟道成半包围结构,使栅极可以从三个方向对导电沟道进行控制,克服了晶体管栅极只能在一个方向上控制沟道电流,栅极对导电沟道的控制能力不强的技术缺陷,极大地提升了栅极对沟道电流的控制能力,提高突触晶体管的性能,实现了在保证性能的同时缩小特征尺寸。

    一种基于量子点复合电解质层的突触器件及制备方法

    公开(公告)号:CN111640801B

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN202010578300.3

    申请日:2020-06-23

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种了基于新型量子点复合电解质层的突触器件及制备方法。包括:衬底,衬底上设置有量子点层以及底栅,量子点层上设置有介质缓冲层,所述介质缓冲层上设置有源极、漏极以及有源层,所述介质缓冲层用于阻隔所述有源层和所述量子点层之间的电子流动;所述源极、所述漏极以及所述有源层上设置有离子液层,所述离子液层上设有顶栅;所述漏极接地,所述源极接电压脉冲激励,使得所述量子点层处的正负离子分离与所述有源层和所述底栅处的电子空穴形成双电层增强特性或者抑制记忆特性。本发明能同时提升离子电导率以及突触记忆特性,与现有的氧化物TFT和硅基TFT有着良好的工艺兼容性,能有效地节约复合结构电解质薄膜晶体管的制备成本。

    一种基于新型量子点复合电解质层的突触器件及制备方法

    公开(公告)号:CN111640801A

    公开(公告)日:2020-09-08

    申请号:CN202010578300.3

    申请日:2020-06-23

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种了基于新型量子点复合电解质层的突触器件及制备方法。包括:衬底,衬底上设置有量子点层以及底栅,量子点层上设置有介质缓冲层,所述介质缓冲层上设置有源极、漏极以及有源层,所述介质缓冲层用于阻隔所述有源层和所述量子点层之间的电子流动;所述源极、所述漏极以及所述有源层上设置有离子液层,所述离子液层上设有顶栅;所述漏极接地,所述源极接电压脉冲激励,使得所述量子点层处的正负离子分离与所述有源层和所述底栅处的电子空穴形成双电层增强特性或者抑制记忆特性。本发明能同时提升离子电导率以及突触记忆特性,与现有的氧化物TFT和硅基TFT有着良好的工艺兼容性,能有效地节约复合结构电解质薄膜晶体管的制备成本。

    面蒸发源蒸镀装置
    30.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109457218A

    公开(公告)日:2019-03-12

    申请号:CN201811500640.3

    申请日:2018-12-10

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种面蒸发源蒸镀装置。它是由可卷绕的柔性金属箔带作为蒸发料薄膜层的承载件,所述承载件上用波峰涂方法涂有蒸发料薄膜层,构成载有蒸发料膜层的面蒸发源;在此面蒸发源两端有一对加热电极,通过瞬间加热把承载件上蒸发料薄膜层瞬间全部均匀地蒸发到半成品基板上。从而大大提高了蒸发料的利用率。而且最后得到的蒸发薄膜层的材料成分、薄膜厚度、均匀度均由面蒸发源的蒸发料薄膜层来控制。使得此蒸镀装置不再需要蒸发速率和膜厚控制、多蒸发源控制,均匀性控制等复杂的机构,降低了设备成本、缩短了蒸镀节拍,提高了设备的利用率。所提供的波峰涂装置是溶有一定蒸发料浓度的溶液在波峰发生器中产生能产生一高于溶液面的稳定的溶液波峰,此波峰与波峰垂直方向移动的蒸发料薄膜承载件基板的表面接触后在承载件上留下部分的溶液薄层经烘烤干燥后形成一均匀的蒸发料薄膜层。

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