公开(公告)号：CN111640801B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202010578300.3

申请日：2020-06-23

Applicant: 上海大学

Inventor： 李俊 ,  杨耀华 ,  张志林 ,  张建华

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明公开了一种了基于新型量子点复合电解质层的突触器件及制备方法。包括：衬底，衬底上设置有量子点层以及底栅，量子点层上设置有介质缓冲层，所述介质缓冲层上设置有源极、漏极以及有源层，所述介质缓冲层用于阻隔所述有源层和所述量子点层之间的电子流动；所述源极、所述漏极以及所述有源层上设置有离子液层，所述离子液层上设有顶栅；所述漏极接地，所述源极接电压脉冲激励，使得所述量子点层处的正负离子分离与所述有源层和所述底栅处的电子空穴形成双电层增强特性或者抑制记忆特性。本发明能同时提升离子电导率以及突触记忆特性，与现有的氧化物TFT和硅基TFT有着良好的工艺兼容性，能有效地节约复合结构电解质薄膜晶体管的制备成本。

公开(公告)号：CN111640801A

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN202010578300.3

申请日：2020-06-23

Applicant: 上海大学

Inventor： 李俊 ,  杨耀华 ,  张志林 ,  张建华

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明公开了一种了基于新型量子点复合电解质层的突触器件及制备方法。包括：衬底，衬底上设置有量子点层以及底栅，量子点层上设置有介质缓冲层，所述介质缓冲层上设置有源极、漏极以及有源层，所述介质缓冲层用于阻隔所述有源层和所述量子点层之间的电子流动；所述源极、所述漏极以及所述有源层上设置有离子液层，所述离子液层上设有顶栅；所述漏极接地，所述源极接电压脉冲激励，使得所述量子点层处的正负离子分离与所述有源层和所述底栅处的电子空穴形成双电层增强特性或者抑制记忆特性。本发明能同时提升离子电导率以及突触记忆特性，与现有的氧化物TFT和硅基TFT有着良好的工艺兼容性，能有效地节约复合结构电解质薄膜晶体管的制备成本。