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公开(公告)号:CN109971481A
公开(公告)日:2019-07-05
申请号:CN201910196909.1
申请日:2019-03-15
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于外延生长InP壳层发光的无镉量子点的制备方法,以宽带隙量子点为核,外延均匀生长窄带隙的InP壳层作为发光中心,并继续宽带隙梯度壳层的包覆。所制备量子点能够通过调节InP壳层厚度得到相应发光峰位,且其具有较窄的发射光谱,发光效率和稳定性也有了显著的提高。ZnSe量子点的尺寸分布非常均一,半峰宽窄,在ZnSe核的基础上进行窄带隙InP发光层的包覆不仅能够有效保证量子点的尺寸均一性,还便于通过控制InP的厚度来精确调控发光峰位。因此,本发明外延生长窄带隙InP壳层发光且能保持窄半峰宽的方法,在磷化铟壳层基础上继续包覆梯度壳层,进一步提高了无镉量子点的量子产率和稳定性。
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公开(公告)号:CN109686850A
公开(公告)日:2019-04-26
申请号:CN201811585972.6
申请日:2018-12-24
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供一种非PEDOT:PSS倒置串联量子点发光器件及其制备方法,在第一空穴注入层和第二电子传输层之间设置第二界面修饰层组成串联连接两个电致发光单元的连接层复合结构。本发明增加在一个电致发光单元的空穴注入层和另一个电致发光单元的电子传输层之间设置界面修饰层,通过空穴注入层/界面修饰层/电子传输层形成复合连接结构,作为连接层串联连接两个电致发光单元,该量子点发光器件适用于红、黄、绿、蓝四种颜色发光并能够有效地提高器件发光效率、亮度及寿命。
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