公开(公告)号：CN103541011B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201310534506.6

申请日：2013-10-31

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 姚忻 ,  王伟 ,  陈媛媛 ,  彭波南 ,  郭林山 ,  崔祥祥 ,  陈尚荣 ,  李昊辰

IPC: C30B29/22

Abstract: 本发明公开了一种生长REBCO高温超导准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备RE123相和RE211相的粉末；b）按RE123+（0.3～1.5）wt%CeO2的配比制备第一前驱体；c）按RE123+30mol%RE211+（0.3～1.5）wt%CeO2的配比制备第二前驱体；c）籽晶放置在第二前驱体的上表面，第二前驱体放置在第一前驱体的上表面；d）将工序c）所得样品置于生长炉中进行熔融织构生长高温超导块体。本发明操作简单，通过在第二先驱体内添加RE211相，有效抑制高温熔融状态下薄膜籽晶中稀土元素的溶解和扩散，提高薄膜籽晶的热稳定性，有利于诱导生长REBCO高温超导准单晶体。

公开(公告)号：CN102925985B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201210352797.2

申请日：2012-09-19

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 姚忻 ,  于德京 ,  程玲 ,  彭波南 ,  许恒恒

IPC: C30B35/00 ,  C30B29/22

Abstract: 本发明公开了一种批量生长REBCO超导块体的方法，在底部加热的生长炉中放置具有上、下两层搁板的支架；制作多个前驱体和小前驱体，将多个前驱体分别放置在两层搁板上，其中，上层搁板上的前驱体的上表面放置有c轴取向的NdBCO/MgO薄膜作为籽晶，下层搁板上的前驱体的上表面放置有小前驱体，小前驱体的上表面放置有c轴取向的NdBCO/MgO薄膜作为籽晶；进行熔融结构生长以得到多个REBCO超导块体。本发明实现了双层批量生产REBCO超导块材，充分地利用了生长炉内部的空间，降低了生产成本。并且，本发明批量生长的REBCO超导块体生长良好，具有均一、稳定的性质。

公开(公告)号：CN103276447A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310242515.8

申请日：2013-06-18

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 姚忻 ,  郭林山 ,  蒋金生 ,  陈媛媛 ,  程玲 ,  彭波南 ,  王伟

IPC: C30B28/10 ,  C30B29/22

Abstract: 本发明公开了一种制备特定混合取向YBCO高温超导厚膜的方法，包括如下工序：1)制备Ba-Cu-O相的先驱粉末；2)将Ba-Cu-O先驱粉末加入到晶体生长炉中的Y2O3坩埚中；加热至第一温度进行保温，获得Y-Ba-Cu-O溶液；3)在高温溶液加入Ba-Cu-O先驱粉末，并保温；4)将溶液以第一降温速度降低至第二温度；5)将固定在连接杆的籽晶材料插入到步骤4)得到的溶液，液相外延生长获得特定混合取向YBCO高温超导厚膜。本发明通过在高温阶段再次加入Ba-Cu-O粉末，使Y-Ba-Cu-O溶液在亚稳区达到较低过饱和度的状态，生长一致取向的混合晶界结构的YBCO液相外延膜，工艺简单，操作方便。

公开(公告)号：CN103243383A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310172563.4

申请日：2013-05-10

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 姚忻 ,  庄宇峰 ,  彭波南

IPC: C30B28/04 ,  C30B29/22 ,  H01B13/00

Abstract: 一种冷速控制高温超导块体材料的生长方法，包括如下工序：a）制备LRE123相和LRE211相的粉末；b）制备前驱体；c）将籽晶放置在所述前驱体的上表面；d）将所述前驱体和籽晶置于生长炉中，升温至最高温度，并保温；e）快速将温度降低至包晶反应温度，然后以每小时0.5℃～1.0℃的速率降温20-40小时，最后淬火制得超导块体材料。本发明通过控制在超导体块材在生长过程中的降温速度，调整生长过程熔体中的组分，有效抑制包晶反应过程中出现的轻稀土元素和钡元素的替代情况，提高空气下制备的LREBCO超导体的超导性能。

公开(公告)号：CN103014861A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210580891.3

申请日：2012-12-27

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 姚忻 ,  彭波南 ,  程玲 ,  庄宇峰 ,  许恒恒 ,  郭林山 ,  王伟

IPC: C30B29/22 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明公开了一种宝塔形大尺寸REBCO高温超导块体的制备方法，以c轴取向的NdBCO/YBCO/MgO薄膜为籽晶，将薄膜籽晶的ab面接触宝塔形前驱块体的上表面，将宝塔形前驱块体和薄膜籽晶置于生长炉中进行熔融结构生长。本发明还公开了一种宝塔形大尺寸REBCO高温超导块体，该REBCO高温超导块体为宝塔形的单畴块材，不存在晶界弱连接。本发明的一种宝塔形大尺寸REBCO高温超导块体的制备方法，运用加速冷却法，不会产生自发形核，生长速度快，不需要预先生长出块体籽晶，且可用于各种REBCO高温超导块体的生长，以及REBCO块体的掺杂生长。除此之外，该方法简单、易于操作、具有可重复性和可控性。

公开(公告)号：CN102925976A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210439908.3

申请日：2012-11-06

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 姚忻 ,  郭林山 ,  陈媛媛 ,  程玲 ,  许恒恒 ,  彭波南 ,  王伟

IPC: C30B29/22 ,  C30B19/00 ,  C30B19/12 ,  H01B12/06

CPC classification number: Y02E40/642

Abstract: 本发明公开了一种使用NGO单晶基板制备a轴REBCO高温超导厚膜的方法，具体步骤包括：BaCO3粉末和CuO粉末进行配料，获得BaCO3+CuO粉料；BaCO3+CuO粉料预处理并烧结，制得Ba-Cu-O粉末；Ba-Cu-O粉末加入到RE2O3材料的坩埚中加热至第一温度并保温，获得RE-Ba-Cu-O溶液；RE-Ba-Cu-O溶液冷却至第二温度；将NGO单晶基板的表面接触RE-Ba-Cu-O溶液，采用顶部籽晶提拉法液相外延生长REBCO超导厚膜。本发明证明了通过控制生长温度及冷却速率外延生长特定取向REBCO超导厚膜的可行性，探索得到了一种外延a轴取向REBCO超导厚膜的非常规方法。