-
公开(公告)号：CN101101966A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710109364.3
申请日：2005-08-11
Abstract: 一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，Si元素部分取代TeaGebSb100-(a+b)合金中的Ge元素形成的TeaGeb-cSicSb100-(a+b)合金薄膜，其中：48≤a≤60，8≤b≤40，Si取代量c的范围从1到40原子百分比。本发明具有比常用的Ge2Sb2Te5相变薄膜较高的晶态电阻，同时具有更高的非晶态/晶态电阻变化率，更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率和更低的熔点。这些特征使得采用含Si系列硫族化物相变薄膜的存储器可以具有更高的开/关比和器件稳定性，有助于降低存储器的写操作电流，同时有利于实现更高密度的多值存储。
-
公开(公告)号：CN108735774B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201810565647.7
申请日：2018-06-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于铝碲合金的存储器双向选通管及其制备方法，该选通管包括：衬底(1)；在衬底(1)上方形成布线沟槽，并沉积扩散阻挡层(3)，扩散阻挡层(3)覆盖全部布线沟槽表面，钨布线下电极(2)设置在布线沟道中，与扩散阻挡层(3)接触；绝缘层(4)，设置在钨布线下电极(2)暴露的表面上，且与钨布线下电极(2)相接触，绝缘层(4)内设置有两个钨栓塞(5)，并且两个钨栓塞的侧壁被扩散阻挡层(3)覆盖，其中一个钨栓塞(5)利用阈值转变层(6)覆盖且与布线下电极(2)相接触，另一个钨栓塞(5)用惰性金属材料覆盖且与布线下电极(2)接触，形成下电极引线(7)；上电极(8)，设置在阈值转变层(6)上。
-
-
公开(公告)号：CN105552219B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201510916746.1
申请日：2015-12-10
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种具有自整流特性的RRAM存储单元结构及其制备方法，该RRAM存储单元结构包括衬底、下电极、阻变层、整流层、势垒层以及上电极，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层设置在所述下电极上，所述整流层与势垒层设置在所述阻变层上，所述上电极，设置在所述势垒层上，通过本发明，实现了直接利用具有较低功函数的过渡族金属铪作为下电极的自整流RRAM存储单元新结构，同时本发明仅利用磁控溅射和氧等离子体氧化法便能方便、快速地制备出具有高整流比的氧化物RRAM存储单元。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105552219A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510916746.1
申请日：2015-12-10
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/16
Abstract: 本发明公开了一种具有自整流特性的RRAM存储单元结构及其制备方法，该RRAM存储单元结构包括衬底、下电极、阻变层、整流层、势垒层以及上电极，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层设置在所述下电极上，所述整流层与势垒层设置在所述阻变层上，所述上电极，设置在所述势垒层上，通过本发明，实现了直接利用具有较低功函数的过渡族金属铪作为下电极的自整流RRAM存储单元新结构，同时本发明仅利用磁控溅射和氧等离子体氧化法便能方便、快速地制备出具有高整流比的氧化物RRAM存储单元。
-
公开(公告)号：CN101132049A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710044701.5
申请日：2007-08-09
Abstract: 一种微电子技术领域的用于相变存储器的SiSb基相变薄膜材料，其组分为(SixSb1－x)1－yMy，其中元素M是O元素或N元素或它们的混合物，掺杂元素M的含量y是0－15％原子百分比，Si含量x为5－90％原子百分比。本发明可在施加电脉冲情况下，发生高阻态和低阻态之间的可逆转变，从而达到数据存储的目的。本发明不含对环境有毒的Te元素，且制造工艺与现行半导体集成电路CMOS工艺有很好的兼容性。SiSb基相变薄膜材料具有比常用的Ge2Sb2Te5相变薄膜更快的晶化速率；更加优越的非晶态稳定性；以及更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率，这些特征有助于提高存储器的存取速率；数据可靠性和器件稳定性。
-
公开(公告)号：CN1744324A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510028672.4
申请日：2005-08-11
Abstract: 一种降低相变存储器编程电流的单元结构，属于微电子领域。本发明包括：集成电路衬底、下电极、硫族化物合金相变层、加热层、上电极、绝缘介质层，在集成电路衬底上设有下电极，上电极设在硫族化物合金相变层上，硫族化物合金相变层和加热层设在绝缘介质层的小孔内，加热层设在下电极和硫族化物合金相变层之间，加热层与下电极相连接。本发明在存储单元中增加一层不发生相变的半导体加热层，该加热层具有较高的电阻和较低的热传导系数，能够降低编程电流同时产生足够的焦耳热使相变材料到达熔点，从而达到使用较低的电流对存储单元进行编程的目的。
-
公开(公告)号：CN1448368A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03116802.7
申请日：2003-05-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/622 , C23C14/34
Abstract: 一种钛酸锶钡陶瓷靶的制备方法属于材料领域。方法如下：先将四氯化钛、氯化锶、氯化钡分别配制成水溶液；将上述水溶液加入草酸水溶液中进行合成反应，控制pH值得到白色草酸氧钛酸锶钡沉淀；将沉淀洗涤、过滤、烘干后进行热分解即得钛酸锶钡复合粉粉末；将得到的钛酸锶钡粉末经预处理后按化学计量比配料，经球磨机球磨粉碎后，放于硅碳棒炉中预烧；将预烧好的粉末经球磨机再粉碎后，由液压机压成块材，并进行等静压成型；放于硅碳棒炉中最终烧结，得到钛酸锶钡陶瓷靶。本发明制备合成的钛酸锶钡粉体，具有高纯、超细、高均匀性和高活性，较好完全满足射频磁控溅射的要求，因此，本发明的钛酸锶钡陶瓷靶是一种很有应用前景的新型靶材。
-
公开(公告)号：CN208055225U
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201721886023.2
申请日：2017-12-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种卧式可扩展全自动农业有机废弃物发酵罐，包括：两个同轴相连的卧式罐体以及轴向设置于罐体内的搅拌叶和进水管，其中：罐体外部通过滚动机构设置于支架上，两个罐体之间通过中间连接件相连。本装置在满足有机废弃物好氧发酵，并于14天左右完成资源化利用的前提下，实现全自动发酵、远程监控、智能控制的功能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.022 seconds)
