公开(公告)号：CN101521244A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200810149949.2

申请日：2008-10-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石村荣太郎 ,  中路雅晴

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/101 ,  H01L31/1035

Abstract: 本发明涉及半导体受光元件。得到制造容易、受光灵敏性较高且不从外部施加偏置电压就能够高速动作的半导体受光元件。在n型InP衬底(11)(第一导电型的半导体衬底)上依次形成有InGaAs光吸收层(12)(第一光吸收层)、P型InP层(13)(第一个第二导电型半导体层)、n型InP层(14)(第一个第一导电型半导体层)、InGaAs光吸收层(15)(第二光吸收层)及p型区域(17)(第二个第二导电型半导体层)。阳极电极(18)(第一电极)与P型区域(17)连接，阴极电极(19)(第二电极)与n型InP衬底(11)连接。金属电极(23)(第三电极)将n型InP层(14)和p型InP层(13)电连接。阳极电极(18)、阴极电极(19)及金属电极(23)分别电独立。金属电极(23)形成在受光区域的外侧。

公开(公告)号：CN100521255C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200610153930.6

申请日：2006-09-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 柳生荣治 ,  石村荣太郎 ,  中路雅晴

IPC: H01L31/107

CPC classification number: H01L31/107

Abstract: 本发明提供能够提高量产性的雪崩光电二极管。在n型InP衬底(1)上依次层叠n型InP缓冲层(2)、n型GaInAs光吸收层(3)、n型GaInAsP过度层(4)、n型InP电场调节层(5)、n型InP雪崩倍增层(6)、n型AlInAs窗口层(7)、p型GaInAs接触层(8)。接着，在沿着受光区域外围的环状区域上注入Be离子，由热处理使之激活，形成倾斜型结，作为防止边缘击穿的p型周边区域(9)。然后，在上述受光区域上，选择地使Zn热扩散，直至n型InP雪崩倍增层(6)，形成p型导电区域(10)。

公开(公告)号：CN101312221A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810107962.1

申请日：2008-05-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 柳生荣治 ,  石村荣太郎 ,  中路雅晴

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/107 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/1035 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明提供一种可以抑制暗电流以及劣化的半导体受光元件及其制造方法。在n型InP基板(1)上，按顺序生长由n型InP缓冲层(2)、未掺杂GaInAs光吸收层(3)、未掺杂InP扩散缓冲层(4)、以及p型InP窗层(5)构成的半导体结晶。然后，从p型InP窗层(5)到n型InP缓冲层(2)，利用选择刻蚀性低的Br系列刻蚀剂来除去成倾斜型顺台面形状而形成第一台面。然后，从p型InP窗层(5)到未掺杂InP扩散缓冲层(4)的途中利用干刻蚀来精密地除去，而形成直径比第一台面小的第二台面。

公开(公告)号：CN101232057A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200710305913.4

申请日：2004-10-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 柳生荣治 ,  石村荣太郎 ,  中路雅晴

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352

Abstract: 在备有具备第1电极和电连接到该第1电极上的由第1导电型构成的第1半导体层的衬底的雪崩光电二极管中，配置成在上述衬底上至少层叠了雪崩倍增层、光吸收层和能带隙比上述光吸收层的能带隙大的第2半导体层，在上述第2半导体层内形成第2导电型导电区域并将上述第2导电型导电区域电连接到第2电极上。利用该结构可用简易的工序提供低暗电流且长期可靠性高的雪崩光电二极管。此外，留下上述第2导电型导电区域和第2导电型导电区域的周围的第2半导体层，除去在其外周的衬底上层叠的层中的至少光吸收层，从而形成上述光吸收层的侧面。利用该结构可进一步减少暗电流。

公开(公告)号：CN101207162A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710142647.8

申请日：2007-08-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中路雅晴 ,  石村荣太郎

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/1035 ,  H01L31/107

Abstract: 本发明提供一种埋入到Fe掺杂绝缘体层中的埋入波导型受光元件，使该受光元件的泄漏电流减少。所述埋入波导型受光元件具有：n－金属包层(28)，其配设于Fe－InP衬底(24)上；波导(16a)，其配设于该n－金属包层(28)的一部分上、并从Fe－InP衬底(24)侧顺次以脊状层叠有：n－光引导层(30)、具有和所述n型金属包层(28)相同或更高的折射率同时具有比所述n型光引导层(30)的杂质浓度更低的1×1017cm－3以下的杂质浓度或者无掺杂的i－光引导层(31)、比该i－光引导层(31)折射率更高的光吸收层(32)、p－光引导层(34)、以及p－金属包层(36)；封闭层，其配设于Fe－InP衬底(24)上且埋设波导16a的侧壁。

公开(公告)号：CN105280732B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201510419547.X

申请日：2015-07-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 菊地真人武 ,  中路雅晴 ,  竹村亮太 ,  山路和树

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/109

Abstract: 本发明的目的在于提供一种受光元件，该受光元件能够加快响应速度，并且能够防止正极电极与负极电极的短路。本发明的受光元件具备：第1导电型的衬底；第1导电型的光吸收层，其在该衬底上形成，与该衬底相比带隙较小；第2导电型的扩散层，其在该光吸收层的一部分上形成；第1导电型的窗口层，其在该光吸收层上以包围该扩散层的方式形成，与该光吸收层相比带隙较大；正极电极，其在该扩散层上形成；以及负极电极，其在该衬底上，以不与该窗口层和该光吸收层接触，而与该衬底接触的方式设置，该受光元件形成有槽，该槽在俯视观察时包围该扩散层与该窗口层之间的边界，在剖视观察时贯通该窗口层和该光吸收层。

公开(公告)号：CN103985768B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201310614577.7

申请日：2013-11-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 增山祐士 ,  中路雅晴 ,  久义浩

IPC: H01L31/02

CPC classification number: G01J1/0204 ,  G01J1/0271 ,  H01L31/0203 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体光接收装置。提供了一种能减少对头部上表面的引线接合数的半导体光接收装置。半导体光接收装置（10）具备头部（20）、高频放大器（AMP）以及次黏着基台（SB）。高频放大器（AMP）设置在头部（20）上，并具有上表面，在该上表面具备高频接地焊盘（62）。在次黏着基台（SB）的上表面设置有比次黏着基台的上表面小的半导体光接收元件（APD）。次黏着基台（SB）的上表面具有接合半导体光接收元件（APD）的电极焊盘（67）和设置在其旁边的电极焊盘（66）。高频接地焊盘（62）与电极焊盘（66）通过引线（53）而被连接。

公开(公告)号：CN105990464A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610169108.2

申请日：2016-03-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 竹村亮太 ,  中路雅晴 ,  山路和树

IPC: H01L31/107

CPC classification number: H01L31/1075 ,  H01L31/107

Abstract: 得到一种半导体受光元件，其能够兼顾高速响应性和抑制元件劣化。在衬底(1)之上依次层叠有p型导电层(2)、光吸收层(3)、倍增层(5)以及n型InP窗层(7)，该光吸收层(3)具有比入射光小的带隙，该倍增层(5)进行雪崩倍增。n型导电层(8)形成在n型InP窗层(7)的一部分区域之上。第一p型导电区域(11)形成在n型InP窗层(7)之中未与n型导电层(8)接触的区域。第一p型导电区域(11)未到达至倍增层(5)，未与能够从外部供电的电极接触。

公开(公告)号：CN102800736A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210173417.9

申请日：2012-05-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中路雅晴 ,  竹村亮太

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0232

CPC classification number: H01L25/042 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/105 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题是得到一种能够抑制电气以及光学串扰并且即使采用比较廉价的透镜也能够获得高感光灵敏度的半导体受光装置。本发明的解决手段是在Fe-InP半绝缘性基板上(1)上设置彼此电分离的4个受光元件(2a～2d)。在各受光元件(2a～2d)中，Fe-InP半绝缘性基板(1)上依次层叠n型InGaAs导电层(3)、n型InP导电层(4)、进行光电转换的i型InGaAs光吸收层(5)、以及i型InP窗口层(6)。在i型InP窗口层(6)的一部分上设置形成受光部(9)的p型InP杂质扩散区(8)。导电层的一部分由与i型InGaAs光吸收层(5)相同的材料构成。4个受光元件(2a～2d)的受光部(9)的全部不配置在同一直线上。

公开(公告)号：CN102034890A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010295278.8

申请日：2010-09-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中路雅晴 ,  竹村亮太

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/107 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/105 ,  H01L31/02327

Abstract: 本发明涉及半导体光接收元件。在n型InP衬底(10)(半导体衬底)上，依次形成有n型DBR层(12)(第一导电型的分布布拉格反射层)、低载流子浓度的i-InGaAs光吸收层(14)(光吸收层)、以及p型InP窗层(16)(第二导电型的半导体层)。在n型DBR层(12)中，将n型InP层(12a)(第二半导体层)和n型InGaAsP层(12b)(第一半导体层)交替地层叠多对。n型InP层(12a)的带隙波长比入射光的波长(λ)小。n型InP层(12b)的带隙波长比入射光的波长(λ)大。n型DBR层(12)的反射率峰值波长是1.20μm～1.35μm。n型InGaAsP层(12b)的带隙波长是1.30μm～1.55μm。1层的n型InP层(12a)的光学层厚与1层的n型InGaAsP层(12b)的光学层厚的和，是入射光的波长的大致1/4。