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公开(公告)号：CN103650137B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201280034222.4
申请日：2012-07-05
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/28 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/4917 , H01L2224/49175 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在将Si半导体元件和宽能带隙半导体元件配置于相同的功率半导体模块内的情况下，将宽能带隙半导体元件的温度上升抑制得较低，抑制宽能带隙半导体元件的芯片总面积的增大，得到能够低成本地制造的功率半导体模块。Si制开关元件（4）配置于功率半导体模块（100）的中央区域中，SiC制二极管元件（5）配置于功率半导体模块（100）的中央区域的两侧或者包围中央区域的周边部。
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公开(公告)号：CN104205330B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201380011905.2
申请日：2013-01-16
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02M7/003 , H01L23/49811 , H01L23/49844 , H01L23/5385 , H01L25/072 , H01L25/162 , H01L25/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H02M7/537 , H05K5/0021 , H05K5/0065 , H05K7/2039 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够降低上下分支之间的电感的偏差、能够降低电感的偏差所引起的电流偏差的电力用半导体模块。本发明的电力用半导体模块100具备：电路块(上下分支)101、102，将自消弧式半导体元件6串联连接而构成；正极端子11、负极端子12、以及交流端子10，与电路块101、102连接；以及布线图案3、4，连接电路块101、102的自消弧式半导体元件6和正极端子11、负极端子12、以及交流端子10，电路块101、102是多个，与多个电路块101、102对应地分别设置了多个正极端子11、负极端子12、以及交流端子10，多个正极端子11和多个负极端子12接近地配置。
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公开(公告)号：CN102714203B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201080061688.4
申请日：2010-01-18
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02M7/003 , B60L3/003 , B60L7/14 , B60L11/1803 , B60L15/007 , B60L2200/26 , H01L2924/0002 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , H01L2924/00
Abstract: 适用于铁路车辆用的电力转换装置的功率半导体模块，具有由IGBT和SiC-FWD反并联连接而成的元件对（62）、和由Si-IGBT和SiC-FWD反并联连接而成的元件对（64）。以使元件对（62）作为电力转换装置的正侧臂动作，使元件对（64）作为电力转换装置的负侧臂动作的方式各元件对容纳在一个模块内，作为2合1模块构成，并且形成为元件对（62、64）中的SiC-FWD芯片的占有面积与IGBT芯片的占有面积之比为15%以上，而且小于45%。
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公开(公告)号：CN103190048A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180052094.1
申请日：2011-06-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02H7/1227 , H02H7/1213 , H02M1/32 , H02M3/1588 , H02M7/217 , H02M7/487 , H02M7/537 , H02M7/797
Abstract: 控制电路（6）在过电流探测部探测到过电流时，针对能够以正向以及逆向进行开关的开关元件的接通截止控制，在作为使此前流着的电流降低的模式的、该模式是使二极管中的某一个通电的模式的情况下，控制为使与该通电二极管并联地连接的开关元件接通。具体而言，使电流从上下支路的串联连接点向马达（2）流出的相的上支路的开关元件（4a）截止，使下支路的开关元件（4d）接通，使从马达（2）通过串联连接点流入的相的下支路的开关元件（4e）、（4f）截止，使上支路的开关元件（4b）、（4c）接通。由此，即使在发生了过电流的情况下，也抑制与开关元件并联地连接的二极管中流过的电流，以避免过电流所致的劣化、破坏的方式进行保护。
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公开(公告)号：CN102498668A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080040744.6
申请日：2010-09-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/04 , H02M1/08 , H03K17/687
CPC classification number: H03K17/04106
Abstract: 为了得到能够使半导体开关元件高速地接通的栅极驱动电路，具备：缓冲器电路(4)，具有互补地导通、截止的导通用开关元件(2)以及截止用开关元件(3)，驱动半导体开关元件(10)；第1直流电压源(6)，正极被连接于导通用开关元件(2)的源极或者发射极，负极被连接于基准电位(5)；以及第2直流电压源(12)，正极被连接于截止用开关元件(3)的源极或者发射极，负极被连接于基准电位(5)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100517902C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN03152349.8
申请日：2003-07-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02H11/00
CPC classification number: H03K17/08128 , H03K17/168
Abstract: 在适用于耐压高的IGBT(1)的情况下，产生把耐压高的二极管(5)串联连接成多级的需要，存在导致成本高或者可靠性降低的课题，另外，由集电极电压检测电路(6)进行的短路探测显著滞后，存在有时不能够保护IGBT(1)的课题，解决的方法是抽样电路(16)在允许栅极电压(Vge)的检测处理期间中，检测该栅极电压(Vge)，如果该栅极电压(Vge)超过基准值，则认定在IGBT(11)中发生了异常。
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公开(公告)号：CN111048491B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201911352122.6
申请日：2013-01-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供能够降低上下分支之间的电感的偏差、能够降低电感的偏差所引起的电流偏差的电力用半导体模块以及电力变换装置。本发明的电力用半导体模块100具备：电路块(上下分支)101、102，将自消弧式半导体元件6串联连接而构成；正极端子11、负极端子12、以及交流端子10，与电路块101、102连接；以及布线图案3、4，连接电路块101、102的自消弧式半导体元件6和正极端子11、负极端子12、以及交流端子10，电路块101、102是多个，与多个电路块101、102对应地分别设置了多个正极端子11、负极端子12、以及交流端子10，多个正极端子11和多个负极端子12接近地配置。
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公开(公告)号：CN110622307A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880029986.1
申请日：2018-01-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供能够更加提高由电流所导致的寄生电感的抵消效果的半导体模块及包括该半导体模块的电力变换装置。半导体模块具备第1引线框架(14)、第2引线框架(13)、第3引线框架(16)、绝缘材料(31)、第1半导体元件(C1)及第2半导体元件(C2)。第1引线框架(14)为被施加第1电位的平板状的布线路径。第2引线框架(13)为包括输出端子的平板状的布线路径。第3引线框架(16)为被施加第2电位的平板状的布线路径。绝缘材料(31)以使第1及第2引线框架(14、13)一体化的方式进行密封。第1半导体元件(C1)经由接合材料(G1)而与第1引线框架(14)直接接合，第2半导体元件(C2)经由接合材料(G2)而与第2引线框架(13)直接接合。第1引线框架(14)与第2引线框架(13)隔着绝缘材料(31)对置。
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公开(公告)号：CN110612600A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201880030191.2
申请日：2018-01-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提高半导体装置的劣化的检测精度。第1金属图案(51)、第2金属图案(52)与控制部(100)连接。键合线(41)连接第1金属图案(51)和发射极电极(31)。线状导体(1a)连接于第1电极焊盘(311)与第2电极焊盘(312)之间。第1键合线(411～414)连接第1电极焊盘(311)和第2金属图案(52)。第2键合线(415～418)连接第2电极焊盘(312)和第2金属图案(52)。控制部(100)在第1金属图案(51)和第2金属图案(52)之间的电位差超过阈值的情况下检测出半导体装置(1)的劣化。
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公开(公告)号：CN106030796B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201480075303.8
申请日：2014-06-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/049 , H01L23/24 , H01L23/3114 , H01L23/3735 , H01L23/48 , H01L23/49811 , H01L23/645 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/41 , H01L29/861 , H01L2224/0603 , H01L2224/32225 , H01L2224/48111 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/49433 , H01L2224/73265 , H01L2924/00
Abstract: 得到能够降低功率用半导体模块内部的布线之间的电感、抑制浪涌电压所致的功率用半导体元件的损坏的功率用半导体模块。一种功率用半导体模块，具备：正负支路，将自消弧型半导体元件(6)串联连接而构成，在自消弧型半导体元件(6)之间具有连接点；正极侧直流电极(10)、负极侧直流电极(11)以及交流电极(12)，与正负支路连接；以及基板(2)，形成有连接正负支路的自消弧型半导体元件(6)和正极侧直流电极(10)、负极侧直流电极(11)、及交流电极(12)的布线图案(3、4)，其中，正极侧直流电极(10)、负极侧直流电极(11)以及交流电极(12)被分别绝缘，各个电极中的两个被对置地配置。
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