公开(公告)号：CN107849298A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680043766.5

申请日：2016-07-22

Applicant: 三星SDI株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 张胜宇 ,  姜炅求 ,  金旻惠 ,  朴志桓 ,  禹昌秀 ,  任智善 ,  韩东一

IPC: C08K5/00 ,  C08K5/06 ,  C08L83/04 ,  C08J5/18 ,  G06F3/041

Abstract: 本发明提供一种窗膜组合物、由窗膜组合物形成的可挠性窗膜以及一种包含可挠性窗膜的可挠性显示装置，所述组合物包含：交联剂，由RX-X-Z-Y-RY表示(RX及RY分别独立地表示缩水甘油基、含缩水甘油基的官能基、脂环族环氧基或含脂环族环氧基的官能基)；含环氧基的硅氧烷树脂；以及引发剂。

公开(公告)号：CN105646880A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201510846724.2

申请日：2015-11-27

Applicant: 三星SDI株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 禹昌秀 ,  姜炅求 ,  金旻惠 ,  任智善 ,  张胜宇 ,  韩东一

IPC: C08G77/18 ,  C09D183/06 ,  C09D7/12 ,  C08J7/04 ,  G09F9/30 ,  C08L67/02

CPC classification number: G06F3/0412 ,  B32B27/283 ,  B32B2307/40 ,  B32B2307/536 ,  B32B2307/71 ,  C08G77/14 ,  C08L2312/06 ,  C09D183/06 ,  G02B1/04 ,  G02B1/14 ,  G02B5/3033 ,  G06F1/1652 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04102 ,  C08L83/04

Abstract: 本发明提供一种窗膜用组成物、使用其制成的柔性窗膜以及包含其的柔性显示器，窗膜用组成物包含由式1、式4或式7表示的硅氧烷树脂或其混合物和起始剂。因此，本发明提供的窗膜用组成物可以获得具有优良硬度、柔性以及光学可靠性(如耐光性等)的柔性窗膜。式1(R1SiO3/2)x(R2R3SiO2/2)y式4(R1SiO3/2)x(R9SiO3/2)z式7(R1SiO3/2)x(R2R3SiO2/2)y(R9SiO3/2)z其中，式1、式4及式7与说明书中所定义的相同。

公开(公告)号：CN119439627A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410958943.9

申请日：2024-07-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐也隐 ,  金智敏 ,  李旻映 ,  姜恩美 ,  成太根 ,  禹昌秀 ,  张水民 ,  吴釜根 ,  李忠宪

IPC: G03F7/16

Abstract: 公开一种形成图案的方法，所述方法包括：在基板上涂覆含金属的抗蚀剂组合物；进行包括干燥和加热的热处理以在基板上形成含金属的抗蚀剂层；使用经图案化的掩模对含金属的抗蚀剂层进行曝光；以及进行包括涂覆显影剂组合物以移除未曝光区的显影从而形成抗蚀剂图案，其中通过利用旋涂机以约100rpm到约1,500rpm的速度涂覆含金属的抗蚀剂组合物达约60秒到约120秒来实行对含金属的抗蚀剂组合物的涂覆，所述加热在约90℃到约200℃的温度下实行约30秒到约120秒，通过辐照极紫外光、波长为约5nm到约50nm的光、或所述极紫外光与所述光的组合来实行对含金属的抗蚀剂层的曝光。

公开(公告)号：CN117148672A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310071780.8

申请日：2023-02-07

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 林雪熙 ,  林栽范 ,  徐也隐 ,  张水民 ,  林秀斌 ,  李旻映 ,  金智敏 ,  白载烈 ,  姜恩美 ,  禹昌秀

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开一种包含由化学式1表示的有机金属化合物和溶剂的半导体光刻胶组合物以及一种使用其形成图案的方法。化学式1的具体细节如说明书中所定义。[化学式1][R1L1SnO(R2L2C(＝O)O)]6。

公开(公告)号：CN115668056A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180036970.5

申请日：2021-08-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  金兑镐 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/025 ,  G03F7/027 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种半导体光致抗蚀剂组成物及使用所述半导体光致抗蚀剂组成物形成图案的方法。所述组成物包含溶剂及由化学式1表示的有机金属化合物。化学式1的具体细节如在说明书中所定义。

公开(公告)号：CN113655689A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110510318.4

申请日：2021-05-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩承 ,  金宰贤 ,  文京守 ,  禹昌秀 ,  蔡承龙 ,  南宫烂 ,  田桓承

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开一种半导体光刻胶组合物和一种使用其形成图案的方法，半导体光刻胶组合物包含(A)有机金属化合物、(B)具有在25℃下小于或等于约1.0mmHg的蒸气压和约3到约5的pKa的有机酸以及(C)溶剂。

公开(公告)号：CN104953042A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510142313.5

申请日：2015-03-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 南成龙 ,  禹昌秀 ,  李昌珉 ,  高盛慜 ,  柳汉成 ,  李知娟 ,  河京珍

IPC: H01L51/54 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/0094 ,  C08F290/068 ,  C08G77/20 ,  C08G77/442 ,  C08G77/80 ,  C08L33/14 ,  C08L43/04 ,  C09D183/10 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/5256 ,  C08F222/10

Abstract: 本发明公开一种用于封装有机发光二极管的组成物，其包含光可固化单体、含硅单体以及引发剂，其中含硅单体由式1表示。并且，本发明公开一种有机发光二极管显示器。所述组成物可以降低水蒸汽透过性并且减少可能在薄膜封装层的制造之后由等离子体引起的除气，同时实现具有低等离子体蚀刻率的有机阻挡层。

公开(公告)号：CN119987131A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411432186.8

申请日：2024-10-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 林秀斌 ,  徐也隐 ,  张水民 ,  禹昌秀 ,  李旻映 ,  成太根 ,  姜恩美 ,  金智敏 ,  张胜宇 ,  辛乘旭

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 提供了半导体光刻胶组合物和使用所述组合物形成图案的方法。该半导体光刻胶组合物包含有机金属化合物和混合溶剂，该混合溶剂包含重量比为约1:99至约30:70的醇类化合物和非醇类化合物。

公开(公告)号：CN112666794B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202011093850.2

申请日：2020-10-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  南宫烂 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明涉及一种半导体光致抗蚀剂组合物和使用其来形成图案的方法，半导体光致抗蚀剂组合物包含有机金属化合物和溶剂，有机金属化合物包含由化学式1到化学式3表示的化合物中的至少一种。化学式1到化学式3的细节如详细描述中所定义。[化学式1]#imgabs0#[化学式2]#imgabs1#[化学式3]#imgabs2#

公开(公告)号：CN113655689B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202110510318.4

申请日：2021-05-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩承 ,  金宰贤 ,  文京守 ,  禹昌秀 ,  蔡承龙 ,  南宫烂 ,  田桓承

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开一种半导体光刻胶组合物和一种使用其形成图案的方法，半导体光刻胶组合物包含(A)有机金属化合物、(B)具有在25℃下小于或等于约1.0mmHg的蒸气压和约3到约5的pKa的有机酸以及(C)溶剂。