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公开(公告)号：CN112680228A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011107899.9
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09K13/06 , H01L21/311
Abstract: 本文公开一种用于氮化硅层的蚀刻组合物及使用其蚀刻氮化硅层的方法。用于氮化硅层的蚀刻组合物包含：无机酸或其盐；溶剂；选自酸改性二氧化硅及酸改性硅酸的群组中的至少一者；及含有四个或更多个氮原子的环状化合物。本发明当在高温下用于蚀刻时可显著增加氮化硅层对氧化硅层的蚀刻选择性。
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公开(公告)号：CN107922819A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680047980.8
申请日：2016-07-21
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/306 , H01L21/321
Abstract: 本发明是有关于一种有机膜的CMP研浆，包括氧化剂及溶剂。本发明的有机膜的CMP研浆具有通过方程式(1)所呈现的为约5°至90°的Δθw，其为水接触角变化，且在将涂布有有机膜而待研磨的晶圆，浸渍于CMP研浆中10小时之后所测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107636110A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680027986.9
申请日：2016-05-09
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/3105
CPC classification number: C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明揭示用于研磨碳含量为约50原子％至约99原子％的有机膜的CMP浆料组合物及使用其的研磨方法。CMP浆料组合物包含：极性溶剂及非极性溶剂中的至少一者；金属氧化物磨蚀剂；氧化剂；以及分子量为3500克/摩尔或小于3500克/摩尔的聚丙烯酸。CMP浆料组合物在研磨具有高碳含量、高膜密度以及高硬度的有机膜时提供优良效应，在研磨有机膜时具有比在研磨无机膜时更佳的研磨速率，在研磨有机膜之后在经研磨表面上提供良好平坦性，以及通过容易自研磨停止膜移除残余有机膜材料而使得研磨更均一。
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公开(公告)号：CN118853077A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410854026.6
申请日：2016-09-29
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明揭示一种用于有机膜的化学机械研磨浆料组合物及有机膜研磨方法。化学机械研磨浆料组合物包含超纯水、磨料、含四价铈离子的铈盐及氧化剂，其中氧化剂在酸性区中具有1.72电子伏特或高于1.72电子伏特的氧化电位，且化学机械研磨浆料组合物的pH值为1至7。化学机械研磨浆料组合物可在pH值为1或高于1下使四价铈离子(Ce4+)稳定且因此可展现出对有机膜的高研磨速率。因此，可通过使用化学机械研磨浆料组合物的研磨方法来简单地移除有机膜，尤其是通过自对准双重图案化技术而形成的有机膜。
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公开(公告)号：CN108138029B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201680056927.4
申请日：2016-09-30
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种有机膜CMP浆料组成物及使用其的研磨方法。所述CMP浆料组成物包含氧化铈及硝酸铈，其中由方程式(1)所计算的选择性比为约100或大于100：[方程式(1)]选择性比＝α/β(其中α是对有机膜的研磨速率(埃/分钟)且β是对无机膜的研磨速率(埃/分钟))。本发明的有机膜CMP浆料组成物具有有机膜相对于无机膜的高选择性比。
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