公开(公告)号：CN119535886A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411079825.7

申请日：2024-08-07

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 宋大锡 ,  南宫烂 ,  河京珍 ,  朴贤 ,  金旼秀

IPC: G03F7/004

Abstract: 提供了抗蚀剂顶涂层组合物和使用所述组合物形成图案的方法。该抗蚀剂顶涂层组合物包含：共聚物，该共聚物包括由化学式M‑1表示的第一结构单元、由化学式M‑2表示的第二结构单元；选自含有至少一个氟的磺酸化合物、含有至少一个氟的磺酰亚胺化合物和含有至少一个氟的羧酸化合物中的至少一种酸性化合物；以及溶剂。

公开(公告)号：CN119002177A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410320656.5

申请日：2024-03-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴贤 ,  南宫烂 ,  河京珍 ,  宋大锡 ,  金旼秀

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 提供一种抗蚀剂面层组合物以及使用所述抗蚀剂面层组合物来形成图案的方法。所述抗蚀剂面层组合物包括共聚物以及溶剂，所述共聚物包含由化学式M‑1表示的第一结构单元、由化学式M‑2表示的第二结构单元及包括由化学式M‑3A、化学式M‑3B、化学式M‑3C及化学式M‑3D表示的结构单元中的至少一者的第三结构单元。

公开(公告)号：CN108291013B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201680070703.9

申请日：2016-10-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 豆米尼阿·拉特维 ,  郑铉日 ,  权孝英 ,  南宫烂 ,  南沇希 ,  文秀贤 ,  宋炫知 ,  许柳美

IPC: C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  G03F7/11 ,  G03F7/09 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明揭示一种聚合物，其包含由化学式1表示的结构单元及由化学式2表示的结构单元；包含所述聚合物的有机层组成物；及使用所述有机层组成物形成图案的方法。在化学式1及化学式2中，A1及A2独立地为二价基团，其包含经取代或未经取代的苯环中的至少一者，A3为包含四级碳的二价基团，且*为连接点。

公开(公告)号：CN106084159B

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201610183382.5

申请日：2016-03-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文秀贤 ,  权孝英 ,  南宫烂 ,  南沇希 ,  宋炫知

IPC: C08G8/04 ,  G03F1/46 ,  G03F1/48

Abstract: 本发明是关于一种聚合物、有机层组合物以及形成图案的方法。所述聚合物包含由化学式1表示的第一部分和包含经取代或未经取代的C6至C60环基、经取代或未经取代的C6至C60杂环基或其组合的第二部分。本发明的聚合物具有良好的溶解度特征以及极好的耐蚀刻性。[化学式1]

公开(公告)号：CN105646850B

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201510794412.1

申请日：2015-11-18

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文秀贤 ,  权孝英 ,  金昇炫 ,  南宫烂 ,  豆米尼阿·拉特维 ,  郑铉日 ,  许柳美

IPC: C08G61/12 ,  C08L65/00 ,  H01L21/027 ,  G03F1/56

Abstract: 本发明公开一种聚合物、有机层组合物、有机层以及形成图案的方法，具体公开由化学式1表示的部分的聚合物、包含所述聚合物的有机层组合物、由所述有机层组合物形成的有机层以及使用所述有机层组合物形成图案的方法。化学式1表示如下，其中，在化学式1中，A1和A2各自独立地是衍生自含氮原子的芳环基团的二价基团，A3和A4各自独立地是由化学式2表示的二价基团，n是0或1，以及‘*’指示化合物或化合物的部分的连接点。可以提供具有改善的溶解性、耐蚀刻性以及储存稳定性的有机层材料。

公开(公告)号：CN106046696A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201510919487.8

申请日：2015-12-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴裕信 ,  金润俊 ,  金兑镐 ,  朴惟廷 ,  崔有廷 ,  权孝英 ,  金昇炫 ,  南宫烂 ,  豆米尼阿·拉特维 ,  文秀贤 ,  宋炫知 ,  郑铉日 ,  许柳美

IPC: C08L65/00 ,  C08G61/12 ,  G03F7/00

CPC classification number: C08G73/0672 ,  G03F7/0041 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  H01L51/0018

Abstract: 一种有机层组合物包含：包含由化学式1表示的部分的聚合物、由化学式2表示的单体以及溶剂，还提供一种由所述有机层组合物制造的有机层，和一种使用所述有机层组合物形成图案的方法。所述有机层组合物可以提供同时确保耐蚀刻性、耐热性以及平坦化特征的有机层。化学式1和化学式2的定义与具体实施方式中相同。[化学式1][化学式2]。

公开(公告)号：CN119126488A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202410747214.9

申请日：2024-06-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 河京珍 ,  南宫烂 ,  朴贤 ,  宋大锡 ,  金旼秀

IPC: G03F7/004

Abstract: 提供了一种抗蚀剂顶涂层组合物和使用所述组合物形成图案的方法。抗蚀剂顶涂层组合物包含：共聚物，其包括由化学式M‑1表示的第一结构单元、由化学式M‑2表示的第二结构单元和由化学式M‑3A或化学式M‑3B表示的第三结构单元；和溶剂。关于上述化学式的细节如说明书中所述。

公开(公告)号：CN110780536B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201910694739.X

申请日：2019-07-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  金宰贤 ,  罗隆熙 ,  南宫烂 ,  田桓承 ,  蔡承龙

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

Abstract: 本公开涉及一种包含由化学式1表示的有机金属化合物以及溶剂的半导体抗蚀剂组合物，以及涉及一种使用所述组合物形成图案的方法及系统，其中，在化学式1中，R1是脂族烃基、芳族烃基或‑亚烷基‑O‑烷基，且R2到R4分别独立地选自‑ORa及‑OC(＝O)Rb。本公开的半导体抗蚀剂组合物具有改善的耐刻蚀性、灵敏度且易于处置。[化学式1]

公开(公告)号：CN115916760A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202180040437.6

申请日：2021-09-01

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李炳官 ,  李允万 ,  申先雄 ,  李相信 ,  张起砲 ,  南宫烂 ,  朴胜仁 ,  郑成显 ,  郑镐国 ,  赵荣庆

IPC: C07D251/24 ,  C07D409/04 ,  C07D405/04 ,  H10K50/10

Abstract: 本发明涉及一种由化学式1表示的用于有机光电装置的化合物、用于有机光电装置的组成物、包含所述化合物的组成物、有机光电装置及显示装置。化学式1的具体细节如在说明书中所定义。

公开(公告)号：CN111856879A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010357520.3

申请日：2020-04-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金宰贤 ,  文京守 ,  蔡承龙 ,  南宫烂 ,  韩承

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开一种半导体光致抗蚀剂组合物以及使用其形成图案的方法，所述半导体光致抗蚀剂组合物包含由化学式1表示的有机金属化合物、由化学式2表示的有机金属化合物及溶剂。化学式1及化学式2的细节如在详细说明中所定义。