公开(公告)号：CN101677108A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200910176281.5

申请日：2009-09-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡必 ,  具俊谟 ,  尹泰应

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C7/10 ,  G06K19/07 ,  G06F13/38

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/249 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供了一种具有容易高度地集成的堆叠结构的非易失性存储装置以及经济地制造该非易失性存储装置的方法。所述非易失性存储装置可以包括彼此交叉的至少一个第一电极和至少一个第二电极。至少一个数据存储层可以设置在所述至少一个第一电极与所述至少一个第二电极彼此交叉的区域。所述至少一个第一电极可以包括第一导电层和第一半导体层。

公开(公告)号：CN101232024A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810003978.8

申请日：2008-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  朴允童 ,  具俊谟 ,  金锡必 ,  李太熙

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11521

Abstract: 本发明提供了利用氧化物类复合半导体的高度集成的非易失性存储装置以及操作和制造非易失性存储装置的方法。该非易失性存储装置可包括：一个或多个氧化物类复合半导体层；多个辅助栅极，可被布置为与一个或多个氧化物类复合半导体层绝缘；多个控制栅极，可位于多个辅助栅极中的相邻的成对的辅助栅极之间，并与多个辅助栅极位于不同的水平面上，多个控制栅极可与一个或多个氧化物类复合半导体层绝缘；多个电荷存储层，可置于一个或多个氧化物类复合半导体层与多个控制栅极之间。

公开(公告)号：CN101211913A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710301183.0

申请日：2007-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋承桓 ,  金锡必 ,  朴允童 ,  金元柱 ,  具俊谟 ,  赵庆来 ,  玄在雄 ,  边成宰

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792 ,  H01L2029/7858

Abstract: 示例实施例涉及一种包括鳍型沟道区的半导体装置和制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括半导体基底、半导体柱和接触塞。半导体基底包括用作有源区的至少一对鳍。半导体柱可以置于鳍的部分之间以连接鳍。接触塞可以设置(或形成)在半导体柱上，并且电连接鳍的顶表面。

公开(公告)号：CN101192621A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710187399.9

申请日：2007-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  金锡必 ,  朴允童 ,  具俊谟

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储器装置及其制造方法。在该非易失性存储器装置中，至少一个第一传导类型的第一半导体层可相互分隔开地形成在基底的部分上。多个第一阻抗变化存储层可接触至少一个第一半导体层的每个的第一侧壁。多个第二传导类型的第二半导体层可置于至少一个第一半导体层的每个的第一侧壁和多个第一阻抗变化存储层之间，第二传导类型与第一传导类型相反。多个位线电极可连接到多个第一阻抗变化存储层的每个。

公开(公告)号：CN101114654A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200610171720.X

申请日：2006-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  金锡必 ,  朴允童 ,  具俊谟

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L29/42352 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42336

Abstract: 本发明公开了一种可以增加集成度的非易失性存储装置及其操作和制造方法，其特征在于：在非易失性存储装置中，在半导体基底上形成多个第一存储节点膜和多个第一控制栅极。多个第二存储节点膜和多个第二控制栅极凹入半导体基底内以便布置在两个相邻的第一控制栅极之间并且在多个第一控制栅极的底部的下面。在半导体基底上界定多个位线区以便顺序延伸跨过多个第一控制栅极和多个第二控制栅极。

公开(公告)号：CN101079444A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200610169306.5

申请日：2006-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允童 ,  具俊谟 ,  赵庆来

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/28273 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明提供了一种具有高操作速度并获得高集成度的半导体存储器，以及制造其的经济方法。该器件包括半导体衬底和凹入到半导体衬底内的控制栅电极。存储节点层设置在控制栅电极的侧壁与半导体衬底之间，且隧穿绝缘层设置在存储节点层与半导体衬底之间。阻挡绝缘层设置在存储节点层与控制栅电极之间。第一和第二沟道区隧穿绝缘层下面的半导体衬底的表面周围形成，从而围绕控制栅电极，并被一对相对的分隔绝缘层分开。

公开(公告)号：CN1262858C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200410001563.9

申请日：2004-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具俊谟 ,  金世润 ,  金京濂

IPC: G02B6/34 ,  G02B6/42

CPC classification number: H04B10/40

Abstract: 一种具有至少一个布喇格衍射光栅用于使发送和接收光信号侧的串扰最小的光多路分解器，以及一种使用该光多路分解器的光通信模块。该光多路分解器具有在预定部分彼此紧邻设置以执行模式耦合的第一和第二波导，所以经第一波导的一端输入的光信号经第二波导透射到光接收单元，以及其中将经第一波导的另一端输入的输出光波经第一波导的一端输出。具有波长选择性的第一布喇格衍射光栅形成于第二波导上，该光栅通过近似100%地透射光信号的接收波长以及近似100%地反射输出光波的波长而使串扰最小。

公开(公告)号：CN101615656A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910136928.1

申请日：2009-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具俊谟 ,  金锡必 ,  尹泰应

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/1021 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储装置及其制造方法。所述非易失性存储装置可以以堆叠的结构延伸，因此可以高度集成。所述非易失性存储装置包括：至少一个第一电极；至少一个第二电极，与所述至少一个第一电极交叉；至少一个数据存储层，设置在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间，并在所述至少一个第一电极与所述至少一个第二电极交叉的区域处；至少一个金属硅化物层，设置在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间，并在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极交叉的区域处。

公开(公告)号：CN100463181C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200510076258.0

申请日：2005-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永洙 ,  李正贤 ,  赵重来 ,  具俊谟 ,  金锡必 ,  申尚旻

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

Abstract: 提供了一种存储设备的电容器及其制造方法，用于实现高集成度的半导体存储设备并保持优良的疲劳特性。在具有晶体管结构的存储设备的电容器中，电容器包括形成在晶体管结构的掺杂区上的、包括金属电极和金属氧化物电极的下部电极，围绕下部电极的铁电层，和形成在铁电层上的上部电极。

公开(公告)号：CN101246891A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810009914.9

申请日：2008-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  具俊谟 ,  金锡必 ,  朴允童

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7926

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储装置及其制造方法，在该非易失性存储装置中，沟道长度有效地增加并且高集成度是可能的。在该非易失性存储装置中，半导体装置可包括：有源区，通过器件隔离膜限定，有源区可包括至少一个突起部分；成对的控制栅电极，可以覆盖至少一个突起部分的两个侧表面，并可彼此分隔开；成对的电荷存储层，可以位于至少一个突起部分的两个侧表面和成对的控制栅电极之间。