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公开(公告)号：CN1625590A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN02828720.7
申请日：2002-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K13/00
CPC classification number: C23F1/30 , C09K13/06 , C23F1/02 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L27/13
Abstract: 根据本发明的制造薄膜晶体管阵列面板的方法在绝缘基片上形成栅极布线。该栅极布线包含多条栅极线和与栅极线连接的多个栅极。依次形成半导体层及栅极绝缘层并在其上形成数据布线。该数据布线包括与栅极线交叉的多条数据线、与数据线连接并置于栅极附近的多个源极、及相对于栅极位于源极对面的多个漏极。沉积钝化层并对钝化层进行制作布线图案，以形成至少露出漏极的多个接触孔。在钝化层上沉积由银或银合金组成的导电层，利用包含硝酸铁、硝酸、乙酸、六亚甲基四胺、及去离子水的蚀刻剂对导电层制作布线图案，以形成与漏极电连接的多个反射层。
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公开(公告)号：CN1623236A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN02828517.4
申请日：2002-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/28008 , G03F7/0047 , H01L21/288 , H01L21/32051 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L51/0003 , H01L51/0015 , H01L51/0021 , H01L51/0545
Abstract: 本发明涉及一种金属图案的形成方法及利用该金属图案形成方法的薄膜晶体管阵列面板制造方法，通过涂布含金属的有机金属络合物形成有机金属层。通过光掩模将该有机金属层曝光，并且显像以形成金属图案。
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公开(公告)号：CN1896822B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200610099011.5
申请日：2006-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1333 , C09K13/04
CPC classification number: G02F1/13439 , H01L31/022466 , H01L31/1884
Abstract: 本发明提供了一种用于透明导电氧化物层的蚀刻剂以及利用该蚀刻剂制造液晶显示器(LCD)的方法。该蚀刻剂包括2-15wt％(重量百分比)的硫酸、0.02-10wt％的碱金属的硫酸氢盐、以及余量的去离子水。
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公开(公告)号：CN1808710B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200510127641.4
申请日：2005-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴弘植
IPC: H01L23/482 , H01L23/52 , H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/283
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/124 , H01L51/5228
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基板；栅极线，形成在绝缘基板上；栅极绝缘层，形成在栅极线上；漏电极和具有源电极的数据线，形成在栅极绝缘层上，其中，漏电极面对源电极，且在其间具有间隙；以及像素电极，连接至漏电极。栅极线、数据线、以及漏电极中的至少一个包括由导电氧化物制成的第一导电层和邻近第一导电层沉积的银的第二导电层。
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公开(公告)号：CN1884618B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200610086467.8
申请日：2006-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/331
CPC classification number: H01L21/32134 , C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂、使用该蚀刻剂制造多层互连线的方法、以及使用该蚀刻剂制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法。用于由钼/铜/氮化钼组成的多层线的蚀刻剂包括：10-20wt％的过氧化氢、1-5wt％的有机酸、0.1-1wt％的基于三唑的化合物、0.01-0.5wt％的氟化合物、以及作为剩余物的去离子水。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101886266A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010183534.4
申请日：2010-05-14
CPC classification number: C23F1/26 , C23F1/18 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。
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公开(公告)号：CN100587853C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200510092308.4
申请日：2005-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种制造具有电阻尖端的半导体探针的方法。该方法包括：在硅基板上形成具有矩形形状的第一和第二掩模膜；第一次蚀刻硅基板的上表面；通过蚀刻第一掩模膜形成相应于尖端颈部宽度的第三掩模膜；通过利用第三掩模膜作为掩模第二次蚀刻硅基板形成尖端颈部的宽度到预定的宽度；且在去除第三掩模膜之后通过退火硅基板形成峰形成部分。可以制造具有均匀高度和尖端颈部具有均匀宽度的半导体探针。
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公开(公告)号：CN100573682C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610121480.2
申请日：2006-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H02K41/0354 , B81B3/0062 , B81B2201/038 , B81B2201/11 , B81B2203/051 , B82Y10/00 , G11B9/1436 , H02K2201/18
Abstract: 本发明公开了一种包括介质平台的微致动器的制造方法，所述介质平台具有介质承载平台和用于驱动所述介质平台的线圈，所述线圈形成于所述介质平台与所述介质承载表面相对的表面上，所述方法包括：在第一基底的第一表面上形成凹槽；在第二基底的第一表面上形成线圈；接合所述第一基底的第一表面和所述第二基底的第一表面；在所述第二基底的第二表面上形成所述介质承载表面，所述介质承载表面与所述第二基底的第一表面相对。
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公开(公告)号：CN101022240A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200610153640.1
申请日：2006-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/1436 , G01Q10/04 , G01Q80/00
Abstract: 本发明提供了一种具有闭锁装置的X－Y台驱动器和具有这种X－Y台驱动器的数据存储系统。X－Y台驱动器包括：X－Y台；支撑单元，该支撑单元支撑X－Y台并具有弹性梁，该弹性梁支撑X－Y台的拐角；驱动单元，该驱动单元沿着第一方向和与第一方向垂直的第二方向驱动X－Y台；加强筋，该加强筋防止X－Y台转动；以及闭锁装置，该闭锁装置通过静电力固定所述加强筋。
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公开(公告)号：CN1976044A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610140028.0
申请日：2006-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768
Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板，包括：像素电极，形成在基板上；栅极线，形成在像素电极上；栅极绝缘薄膜，形成在栅极线上；半导体，形成在栅极绝缘薄膜上；数据线和漏电极，形成在栅极绝缘薄膜上；以及钝化层，形成在数据线和漏电极的部分上。栅极线包括与像素电极形成在相同层上并且具有相同材料的第一薄膜以及形成在第一薄膜上的第二薄膜。
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