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公开(公告)号：CN110010612B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201811562926.4
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件包括：基板；第一存储结构，包括在垂直于基板的顶表面的方向上堆叠在基板上的多条第一字线；金属间层，在第一存储结构上并包括多个中间焊盘，该多个中间焊盘与所述多条第一字线中的分开的相应第一字线连接；第二存储结构，包括在垂直于基板的顶表面的方向上堆叠在金属间层上的多条第二字线；以及上金属层，在第二存储结构上并包括多个上焊盘，所述多个上焊盘与所述多条第二字线中的分开的相应第二字线连接。
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公开(公告)号：CN108231781B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201711403564.X
申请日：2017-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金灿镐
Abstract: 一种竖直存储器装置包括模具结构和沟道。模具结构包括设置在衬底上的栅电极和绝缘图案，其中栅电极在基本垂直于衬底的上表面的竖直方向上分别布置在多个水平。绝缘图案布置在邻近的栅电极之间。沟道在孔中在竖直方向上延伸穿过模具结构，并且在所述孔中在基本平行于衬底的上表面的水平方向上彼此间隔开。栅电极各自包括基本上水平地彼此间隔开的多个第一栅电极。所述孔延伸穿过包括在栅电极中的每一个中的第一栅电极中的一个。可在所述一个第一栅电极中的一个孔中形成多个沟道。
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公开(公告)号：CN114256267A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111114419.6
申请日：2021-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L23/522 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体基板；外围电路结构，包括集成在半导体基板上的外围电路和连接到外围电路的落着焊盘；在外围电路结构上的半导体层；与半导体层的一部分接触的金属结构，该金属结构包括在第一方向上延伸的第一部分、连接到第一部分并在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二部分、以及从第一部分和第二部分中的至少一个垂直地延伸并连接到落着焊盘的通路部分；以及堆叠，包括垂直且交替地堆叠在金属结构上的绝缘层和电极。
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公开(公告)号：CN112447539A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010272747.8
申请日：2020-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体裸片和一种半导体晶圆。所述半导体裸片包括：第一垫；开关，分别与第一垫电连接；测试信号产生器，产生测试信号并将测试信号发送到开关；内部电路，通过第一垫和开关接收第一信号，基于第一信号执行操作，并基于操作的结果通过开关和第一垫输出第二信号；以及开关控制器，控制开关，使得在测试操作期间第一垫与测试信号产生器连通，并且使得在完成测试操作之后第一垫与内部电路连通。
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公开(公告)号：CN110853683A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910738613.8
申请日：2019-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/02
Abstract: 本公开提供了非易失性存储器。一种非易失性存储器包括垂直堆叠在第二半导体层上并包括第一存储器组、第二存储器组、第三存储器组和第四存储器组的第一半导体层。第二半导体层包括分别在第一存储器组、第二存储器组、第三存储器组和第四存储器组下面的第一区域、第二区域、第三区域和第四区域。第一区域包括通过特定字线连接到第二存储器组、第三存储器组和第四存储器组中的一个存储器组的存储器单元的一个驱动电路以及通过第一位线连接到第一存储器组的存储器单元的另一个驱动电路，其中特定字线和第一位线在相同的水平方向上延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110010612A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811562926.4
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11548 , H01L27/11578 , H01L27/11575
Abstract: 一种存储器件包括：基板；第一存储结构，包括在垂直于基板的顶表面的方向上堆叠在基板上的多条第一字线；金属间层，在第一存储结构上并包括多个中间焊盘，该多个中间焊盘与所述多条第一字线中的分开的相应第一字线连接；第二存储结构，包括在垂直于基板的顶表面的方向上堆叠在金属间层上的多条第二字线；以及上金属层，在第二存储结构上并包括多个上焊盘，所述多个上焊盘与所述多条第二字线中的分开的相应第二字线连接。
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公开(公告)号：CN109817629A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811311538.9
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551
Abstract: 一种非易失性存储器件的页缓冲器的至少一个锁存器包括选择性地存储感测节点的电压的电容器。该电容器包括至少一个第一接触和至少一个第二接触，所述至少一个第一接触具有与每个单元串的第一高度对应的第二高度，地电压被供应到所述至少一个第二接触。所述至少一个第二接触具有与第一高度对应的第三高度，与所述至少一个第一接触相邻设置，并与所述至少一个第一接触电隔离。
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公开(公告)号：CN109427800A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810933109.9
申请日：2018-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11531
Abstract: 一种非易失性存储器件可以包括含外围区域的第一半导体层，外围区域包括在下基板上的一个或更多个外围晶体管。非易失性存储器件还可以包括在外围区域上的第二半导体层，第二半导体层包括上基板，第二半导体层还包括在上基板上的存储单元阵列。上基板可以包括在第一半导体层上的第一上基板、在第一上基板上的第一层和在第一层上的第二上基板。
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公开(公告)号：CN108231781A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711403564.X
申请日：2017-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金灿镐
IPC: H01L27/115 , H01L27/11524
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/02595 , H01L21/02598 , H01L21/02647 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L23/528 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L29/1037 , H01L29/40117 , H01L29/4234 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66833 , H01L29/7926 , H01L27/11524 , H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/11556
Abstract: 一种竖直存储器装置包括模具结构和沟道。模具结构包括设置在衬底上的栅电极和绝缘图案，其中栅电极在基本垂直于衬底的上表面的竖直方向上分别布置在多个水平。绝缘图案布置在邻近的栅电极之间。沟道在孔中在竖直方向上延伸穿过模具结构，并且在所述孔中在基本平行于衬底的上表面的水平方向上彼此间隔开。栅电极各自包括基本上水平地彼此间隔开的多个第一栅电极。所述孔延伸穿过包括在栅电极中的每一个中的第一栅电极中的一个。可在所述一个第一栅电极中的一个孔中形成多个沟道。
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公开(公告)号：CN1158950A
公开(公告)日：1997-09-10
申请号：CN96102803.3
申请日：1996-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金灿镐
IPC: F23D11/00
CPC classification number: F23D9/00 , F23D11/38 , F23D11/448 , F23D2210/00
Abstract: 本发明旨在提供一种能防止因炉体内沉积焦油等异物而导致点火不良、能防止有毒气体等臭气的发生，能提高气化效率和燃烧效率并能防止噪音的石油燃烧装置的燃烧器构造。本发明的端口式燃烧器构造由设在内侧炉体上部开口处的燃烧头部和固定在内侧炉体上的、将油朝多个方向均匀喷射到内侧炉体内的喷嘴构成。上述燃烧头部对从内侧炉体上升的气化状混合气体进行数次整流，并使其喷到外部而形成火焰。
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