公开(公告)号：CN109037222A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810558824.9

申请日：2018-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  金海龙 ,  赵常玹 ,  申铉振

IPC: H01L27/11551

CPC classification number: H01L29/7887 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/54 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C13/025 ,  G11C16/0441 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C2211/5612 ,  G11C2213/35 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78687 ,  H01L27/11551

Abstract: 提供包括2维(2D)材料的非易失性存储器件和包括该非易失性存储器件的装置。非易失性存储器件可以包括在沟道元件与面对沟道元件的栅极电极之间的包括多个电荷存储层的存储堆叠。多个电荷存储层可以包括2D材料。层间势垒层可以进一步设置在多个电荷存储层之间。该非易失性存储器件可以由于所述多个电荷存储层而具有多位或多电平存储特性。

公开(公告)号：CN106065466A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610258537.7

申请日：2016-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金海龙 ,  申铉振 ,  朴晟准

IPC: C23C16/30

Abstract: 提供用于层状过渡金属硫属化合物层的组合物及形成层状过渡金属硫属化合物层的方法。所述组合物包括选自由式1表示的过渡金属前体和由式1d表示的过渡金属前体的至少一种，和由式2表示的硫属前体。其中，在式1中，M、R1、R2、a、b、和c与具体实施方式中定义的相同，其中，在式1d中，M、R1和d与具体实施方式中定义的相同，和其中，在式2中，M'和X与具体实施方式中定义的相同，[式1]Ma(R1)6-b-c(H)b(R2)c[式2]M'kX2[式1d]M(R1)d。

公开(公告)号：CN109037222B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201810558824.9

申请日：2018-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  金海龙 ,  赵常玹 ,  申铉振

IPC: H10B41/20

Abstract: 提供包括2维(2D)材料的非易失性存储器件和包括该非易失性存储器件的装置。非易失性存储器件可以包括在沟道元件与面对沟道元件的栅极电极之间的包括多个电荷存储层的存储堆叠。多个电荷存储层可以包括2D材料。层间势垒层可以进一步设置在多个电荷存储层之间。该非易失性存储器件可以由于所述多个电荷存储层而具有多位或多电平存储特性。

公开(公告)号：CN114447222A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202110775788.3

申请日：2021-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 ,  金润洙 ,  金海龙 ,  朴报恩 ,  李银河 ,  李周浩 ,  李香淑 ,  赵龙僖 ,  曹恩爱

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 本发明涉及电子器件和包括其的半导体装置。半导体器件包括：下部电极；设置成与所述下部电极间隔开的上部电极；以及设置在所述下部电极和所述上部电极之间的介电层，所述介电层包括：第一金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Hf、Zr、Nb、Ta、Pr、Nd、Gd、Dy、Yb、Pb、Zn、Si、Ti、Sr或Lu；第二金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Y、Sc或Ce；和第三金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Al、Mg或Be。

公开(公告)号：CN113036037A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202011099855.6

申请日：2020-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  金海龙 ,  朴影根

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 半导体器件包括电容器，该电容器包括下电极、上电极以及在下电极和上电极之间的介电层。下电极包括ABO3，其中“A”是第一金属元素，“B”是第二金属元素，第二金属元素的功函数大于第一金属元素的功函数。介电层包括CDO3，其中“C”是第三金属元素，并且“D”是第四金属元素。下电极包括交替且重复地堆叠的第一层和第二层。第一层包括第一金属元素和氧。第二层包括第二金属元素和氧。介电层在与第二层对应的第一接触表面处与下电极接触。

公开(公告)号：CN109830548A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201810538676.4

申请日：2018-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵常玹 ,  李载昊 ,  金海龙 ,  申铉振

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L27/146 ,  G01S17/08

Abstract: 具有小形状尺寸并相对于可见光和红外线两者具有高探测效率的一种光电探测器可以包括第一电极、在第一电极上的收集层、在收集层上的隧道势垒层、在隧道势垒层上的石墨烯层、在石墨烯层上的发射层以及在发射层上的第二电极。该光电探测器可以被包括在图像传感器中。一种图像传感器可以包括基板、在基板上的绝缘层和在绝缘层上的多个光电探测器。光电探测器可以在平行于或垂直于绝缘层的顶表面延伸的方向上彼此对准。光电探测器可以被包括在LiDAR系统中。