-
公开(公告)号：CN109817266B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201811345556.9
申请日：2018-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
Abstract: 一种擦除存储设备的方法，所述擦除存储设备的方法包括：在第一擦除时段，对分别连接到多个字线的存储单元执行第一擦除操作，其中，包括在存储块中的存储单元之中的至少一个存储单元没有擦除通过；在第一擦除时段之后，通过向所述多个字线之中的至少一个字线施加验证电压来确定擦除操作速度，并基于确定的擦除操作速度来确定用于每个字线的有效擦除时间；以及在第二擦除时段，基于确定的有效擦除时间，对分别连接到所述多个字线的存储单元执行第二擦除操作。
-
公开(公告)号：CN115331725A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210044461.3
申请日：2022-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/56
Abstract: 在测试包括第一半导体层和先于第二半导体层而形成的第二半导体层的非易失性存储设备的方法中，在第二半导体层中设置有包括页面缓冲电路的电路元件；通过在位线连接电路的内部节点与接收第一电压的电压端子之间提供导电路径，模拟未连接到页面缓冲电路的非易失性存储单元的导通状态，位线连接电路连接在页面缓冲电路的感测节点与位线节点之间；在模拟导通状态时，在页面缓冲电路中执行感测和锁存操作；以及基于感测和锁存操作的结果，确定页面缓冲电路是否正常工作。
-
公开(公告)号：CN102314941B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201110187946.X
申请日：2011-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金承范
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/0483
Abstract: 在非易失性存储器件中，针对具有正的阈值电压的非易失性存储单元的读操作施加正的读电压到选择的字线和施加第一控制信号到与选择的位线连接的页缓冲器，但是如果存储电压具有负的阈值电压，则读操作施加负的读电压到选择的字线和施加不同于第一控制信号的第二控制信号到页缓冲器。
-
公开(公告)号：CN102446553A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110293638.5
申请日：2011-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5628 , G11C16/30 , G11C16/3436
Abstract: 一种快闪存储器的字线电压生成方法包括：使用正电压生成器生成编程电压；使用负电压生成器生成与多个负数据状态相对应的多个负编程验证电压；以及使用所述正电压生成器生成与至少一个或多个状态相对应的至少一个或多个编程验证电压。生成多个负编程验证电压包括：生成第一负验证电压；放电负电压生成器的输出，使其变得高于所述第一负验证电压；以及执行负电荷泵浦操作，直到负电压生成器的输出达到第二负验证电压电平。
-
公开(公告)号：CN110322916B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN201910192540.7
申请日：2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备，包括：存储单元阵列；控制逻辑电路；和行译码器。行译码器被配置为基于控制逻辑电路的控制来激活串选择线。在第一编程操作和第二编程操作之间形成编程间隔。控制逻辑电路包括重编程控制器，被配置为控制行译码器，使得在连接到第一字线的存储单元中连接到不同串选择线的存储单元中的编程间隔不同。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118197384A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311682926.9
申请日：2023-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件包括：分别地与字线连接的存储器单元；与第一接地选择线连接的、被编程为具有第一阈值电压的第一接地选择晶体管；与第二接地选择线连接的、被编程为具有不同于第一阈值电压的第二阈值电压的第二接地选择晶体管；以及控制电路，被配置为：基于第一接地选择晶体管中的至少一个第一接地选择晶体管中的每个的阈值电压大于预定的第一标准，控制对该至少一个第一接地选择晶体管中的每个执行擦除操作；和基于完成对该至少一个第一接地选择晶体管的擦除操作，控制第二接地选择晶体管中的每个的阈值电压与预定的第二标准进行比较。
-
公开(公告)号：CN109872761B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201811180742.1
申请日：2018-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 非易失性存储器件包括多个字线和电压发生器。一些字线对应于劣化区域。电压发生器被配置为产生通过字线提供给多个存储单元的编程电压。由非易失性存储器件实现的控制逻辑被配置为控制字线上的编程操作和擦除操作。劣化区域包括第一组字线和第二组字线。控制逻辑被配置为控制编程序列，使得在编程相邻的第一组字线之后编程第二组字线的每个，并控制分布使得对应于第一组字线的每个的擦除状态的阈值电压电平高于对应于第二组字线的每个的擦除状态的阈值电压电平。
-
公开(公告)号：CN109960467A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811558533.6
申请日：2018-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种非易失性存储器装置及其操作方法以及包括其的存储装置。一种非易失性存储器装置包括存储器单元阵列和控制电路。存储器单元阵列包括多个存储器块，每个存储器块包括分别连接到多条字线的多个存储器单元，所述多条字线垂直堆叠在基底上。控制电路基于被指定为坏块的第一存储器块的不可校正的错误的错误信息，将所述多个存储器块的第一存储器块划分为局部坏区域和局部正常区域。控制电路基于命令和地址通过将第一偏置条件应用于局部坏区域并将第二偏置条件应用于局部正常区域来对局部正常区域执行存储器操作，第一偏置条件不同于第二偏置条件。
-
公开(公告)号：CN109817266A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811345556.9
申请日：2018-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
Abstract: 一种擦除存储设备的方法，所述擦除存储设备的方法包括：在第一擦除时段，对分别连接到多个字线的存储单元执行第一擦除操作，其中，包括在存储块中的存储单元之中的至少一个存储单元没有擦除通过；在第一擦除时段之后，通过向所述多个字线之中的至少一个字线施加验证电压来确定擦除操作速度，并基于确定的擦除操作速度来确定用于每个字线的有效擦除时间；以及在第二擦除时段，基于确定的有效擦除时间，对分别连接到所述多个字线的存储单元执行第二擦除操作。
-
公开(公告)号：CN102096219A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010580565.3
申请日：2010-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13 , G02F1/13357
CPC classification number: H04N5/64 , G02B6/0055 , G02B6/0085 , G02B6/009 , G02F1/133308 , G02F2001/133314 , G02F2001/13332 , G06F1/1601
Abstract: 本发明公开了一种重量轻且外观纤薄的显示装置。该显示装置包括：显示面板，显示图像信号；背光单元，提供光到显示面板；前构件，包括本体和支撑单元，本体的中心部分敞开使得在显示面板上显示的图像能够向前暴露，支撑单元将显示面板和背光单元支撑在本体的内侧；以及后构件，耦接到前构件并支撑背光单元的后侧。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.028 seconds)
