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公开(公告)号：CN103050149A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210389080.5
申请日：2012-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/12 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3454 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 公开了一种编程方法和非易失性存储器件。所述方法包括：接收要被编程在存储器单元中的编程数据；读取存储器单元以便判断擦除状态和至少一个编程状态；执行状态读取操作，其中，所述至少一个编程状态被使用多个状态读取电压读取；和，根据状态读取操作的结果，使用具有不同电平的多个验证电压把编程数据编程在存储器单元中。还公开了使用多个验证电压的方法，基于在编程之后可能影响阈值电压偏移或者代表存储器单元的数据的其他特性的因素来选择所述验证电压。
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公开(公告)号：CN102543192A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110453269.1
申请日：2011-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C16/12 , G11C16/3418 , G11C16/3459
Abstract: 在根据示例实施例的、对包括多个存储多比特数据的多电平单元的非易失性存储器件的编程方法中，执行最低有效位(LSB)编程操作，以对多个多电平单元中的多比特数据的LSB进行编程。执行最高有效位(MSB)编程操作，以对多个多电平单元中的多比特数据的MSB进行编程。为了执行MSB编程操作，对多个多电平单元当中待被编程到多个目标编程状态当中的最高目标编程状态的第一多电平单元执行MSB预编程操作，并且执行MSB主编程操作，以将多个多电平单元编程到与多比特数据相对应的多个目标编程状态。
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公开(公告)号：CN111667858A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010483932.1
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件包括存储单元阵列、电压产生器、页缓冲器电路、行解码器和控制电路。存储单元阵列包括对应于不同位线的多个垫。电压产生器产生施加到存储单元阵列的字线电压。页缓冲器电路通过位线耦接到存储单元阵列。行解码器通过字线耦接到存储单元阵列，并且行解码器将字线电压传送到存储单元阵列。控制电路基于命令和地址来控制电压产生器、行解码器和页缓冲器电路。控制电路根据多个垫中同时操作的垫的数量，选择不同电压之中的电压以施加到字线中的至少一个或位线中的至少一个。
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公开(公告)号：CN107689236B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201710637135.2
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件包括存储单元阵列、电压产生器、页缓冲器电路、行解码器和控制电路。存储单元阵列包括对应于不同位线的多个垫。电压产生器产生施加到存储单元阵列的字线电压。页缓冲器电路通过位线耦接到存储单元阵列。行解码器通过字线耦接到存储单元阵列，并且行解码器将字线电压传送到存储单元阵列。控制电路基于命令和地址来控制电压产生器、行解码器和页缓冲器电路。控制电路根据多个垫中同时操作的垫的数量，选择不同电压之中的电压以施加到字线中的至少一个或位线中的至少一个。
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公开(公告)号：CN110265079A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910132706.6
申请日：2019-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了擦除非易失性存储器件中的数据的方法。操作非易失性存储器件的方法包括通过将非零擦除电压施加到NAND串的第一端处的源极/漏极端子来擦除存储器件内的存储单元的NAND串内的数据。与在NAND串内的一对选择晶体管中建立栅极感应漏极泄漏(GIDL)的同时施加该擦除电压。该GIDL可以通过向这对选择晶体管的相应的第一栅极端子和第二栅极端子施加不等的且非零的第一电压和第二电压而发生。该选择晶体管可以是串选择晶体管或接地选择晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104700896B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201410734008.0
申请日：2014-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
Abstract: 提供了一种存储器系统和包括所述存储器系统的用户装置。在一个实施例中，方法包括：接收用于从存储器的存储器区域读取数据的读取请求；确定存储器区域的标识符是否存储在特性表的多个条目中的一个条目中。所述多个条目中的每个条目与不同范围的至少一个存储器区域特性相关联，并且所述多个条目中的每个条目与不同的读取条件信息相关联。所述方法还包括：如果所述确定步骤确定存储器区域的标识符存储在特性表的多个条目中的一个条目中，则获得与存储了存储器区域的标识符的条目相关联的读取条件信息；控制存储器使用获得的读取条件信息从存储器区域读取数据。
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公开(公告)号：CN110021331A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910011507.X
申请日：2019-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器件，所述存储器件包括存储单元阵列和控制器，所述存储单元阵列包括多条字线、设置在所述多条字线上方的至少一条选择线以及穿过所述多条字线和所述至少一条选择线的沟道区，所述多条字线和所述沟道区提供多个存储单元。所述控制器通过顺序地执行第一编程操作和第二编程操作，将数据存储在所述多个存储单元中的编程存储单元中，并且基于关于所述编程存储单元的信息，确定在所述第一编程操作中输入到连接到所述编程存储单元的编程字线的编程电压。
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公开(公告)号：CN103578551B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201310343797.0
申请日：2013-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 郭东勋
Abstract: 本发明公开了非易失性存储器件和编程方法，非易失性存储器包括设置在物理页中的多层级存储单元的存储单元阵列。一种用于非易失性存储器的编程方法包括：接收第一数据并且根据物理页的单比特页容量对第一数据进行分割从而生成已分割第一数据；将已分割第一数据作为单比特数据编程到多个物理页；以及接收第二数据并且将第二数据作为多比特数据编程到所述多个物理页当中的所选物理页，其中第二数据被同时编程到所选物理页的多层级存储单元。
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公开(公告)号：CN103050149B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201210389080.5
申请日：2012-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种编程方法和非易失性存储器件。所述方法包括：接收要被编程在存储器单元中的编程数据；读取存储器单元以便判断擦除状态和至少一个编程状态；执行状态读取操作，其中，所述至少一个编程状态被使用多个状态读取电压读取；和，根据状态读取操作的结果，使用具有不同电平的多个验证电压把编程数据编程在存储器单元中。还公开了使用多个验证电压的方法，基于在编程之后可能影响阈值电压偏移或者代表存储器单元的数据的其他特性的因素来选择所述验证电压。
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公开(公告)号：CN105097028A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510239393.6
申请日：2015-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/06
CPC classification number: G11C16/26 , G06F11/1068 , G06F11/1072 , G11C11/5642 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , G11C29/52 , G11C2013/0057
Abstract: 公开了一种非易失性存储器件的读取方法和一种存储装置，该读取方法包括：根据第一读取电压从非易失性存储器件的被选择的存储区域读取数据；检测并纠正读取的数据的错误；以及当读取的数据的错误无法纠正时，确定用于读取被选择的存储区域的第二读取电压。根据读取的数据中包括的逻辑0或逻辑1的数量或者读取的数据中的逻辑1与逻辑0的比例来确定第二读取电压。
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