公开(公告)号：CN118263313A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311414790.3

申请日：2023-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永权 ,  姜明吉 ,  郑秀真 ,  金洞院 ,  朴范琎 ,  梁洪铣

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一有源图案，在第一区域上；第一栅极结构，与第一有源图案相交；第一外延图案，连接到第一有源图案，并且包括n型杂质；第一源/漏接触部，穿透第一外延图案的上表面，并且连接到第一外延图案；第二有源图案，在第二区域上；第二栅极结构，与第二有源图案相交；第二外延图案，连接到第二有源图案，并且包括p型杂质；以及第二源/漏接触部，穿透第二外延图案的上表面，并且连接到第二外延图案。第一源/漏接触部的下表面比第二源/漏接触部的下表面低。

公开(公告)号：CN117637808A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311028875.8

申请日：2023-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永权 ,  姜明吉 ,  金洞院 ,  朴范琎 ,  全仁雨 ,  郑秀真

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体装置包括：衬底，其包括在第一方向上延伸的有源区域；栅电极层，其与有源区域交叉，并且在第二方向上延伸；多个沟道层，其位于有源区域上，在垂直于衬底的上表面的第三方向上彼此间隔开，从有源区域顺序地设置，并且被栅电极层围绕；栅极间隔件层，其设置在栅电极层在第一方向上的侧表面上；以及源极/漏极区域，其设置在有源区域上，位于栅电极层的侧面上，并且连接到多个沟道层。多个沟道层之中的最上的沟道层包括沟道部分，沟道部分在第一方向上彼此分离，并且设置在栅极间隔件层下方。

公开(公告)号：CN117438445A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310485950.7

申请日：2023-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋昇珉 ,  金奉秀 ,  郑秀真

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L23/538 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种半导体装置和制造该半导体装置的方法，所述半导体装置包括：基底，包括有源图案；一对沟道图案，在有源图案上沿第一方向彼此间隔开，所述一对沟道图案中的每个包括竖直地堆叠的半导体图案；源极/漏极图案，在所述一对沟道图案之间；一对栅电极，在所述一对沟道图案上；有源接触件，在所述一对栅电极之间；以及外间隔件，在所述一对栅电极的侧表面上。利用其间的有源接触件而彼此间隔开的外间隔件之间的距离小于源极/漏极图案在半导体图案之中的最上面的半导体图案的上表面所处的第一水平处在第一方向上的宽度。

公开(公告)号：CN114678356A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202111408672.2

申请日：2021-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高明东 ,  申宇哲 ,  郑秀真

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底；有源图案，在衬底上沿第一方向延伸；第一纳米片和第二纳米片，堆叠在有源图案上以在竖直方向上彼此间隔开；栅电极，在有源图案上沿第二方向延伸，栅电极围绕第一纳米片和第二纳米片中的每一个；源极/漏极区域，在栅电极的至少一侧；以及内部间隔物，在栅电极和源极/漏极区域之间，内部间隔物包括在有源图案和第一纳米片之间的第一内部间隔物和在第一纳米片和第二纳米片之间的第二内部间隔物，第二内部间隔物具有与第一纳米片相邻的第一部分和与第二纳米片相邻的第二部分，第一部分比第二部分宽。

公开(公告)号：CN112534829A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201980052047.3

申请日：2019-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金振祐 ,  郑秀真 ,  姜学来 ,  朴熙俊 ,  申旼锡 ,  李昌桓

IPC: H04R1/08 ,  H04R1/02

Abstract: 根据本发明的实施例，一种电子装置可包括：壳体；印刷电路板，被设置在壳体内，其中，印刷电路板包括第一表面、背离第一表面的第二表面、以及穿透第一表面和第二表面的第一通孔和第二通孔；第一麦克风，被设置在第二表面上，以便当从第一表面上方被观察时至少部分地与第一通孔重叠；第二麦克风，被设置在第二表面上，以便当从第一表面上方被观察时至少部分地与第二通孔重叠；支撑构件，被设置在第一表面上，其中，支撑构件包括面向第一表面的第三表面、背离第三表面的第四表面、当从第一表面上方被观察时至少部分地与第一通孔重叠的第三通孔、以及当从第一表面上方被观察时至少部分地与第二通孔重叠的第四通孔；第一传声构件，被设置在第四表面上，以便至少部分地与第三通孔重叠；以及第二传声构件，被设置在第四表面上，以便至少部分地与第四通孔重叠。可包括各种其他实施例。

公开(公告)号：CN112071895A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010511924.3

申请日：2020-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁正吉 ,  宋升珉 ,  郑秀真 ,  裴东一 ,  徐凤锡

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/04 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源区，其位于衬底上，并且包括在第一方向上延伸的第一侧壁和第二侧壁；以及外延图案，其位于有源区上，其中，外延图案包括分别从第一侧壁和第二侧壁延伸的第一外延侧壁和第二外延侧壁，第一外延侧壁包括第一外延下侧壁、第一外延上侧壁以及连接第一外延下侧壁和第一外延上侧壁的第一外延连接侧壁，第二外延侧壁包括第二外延下侧壁、第二外延上侧壁以及连接第二外延下侧壁和第二外延上侧壁的第二外延连接侧壁，第一外延上侧壁与第二外延上侧壁之间的距离随着远离有源区而减小，并且第一外延下侧壁和第二外延下侧壁与衬底的顶表面平行地延伸。

公开(公告)号：CN107925688B

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201680044616.6

申请日：2016-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑秀真 ,  田庸又 ,  朴暲济 ,  李相必

IPC: H04M1/02 ,  G06F3/044

Abstract: 提供了一种电子设备。该电子设备包括：外壳，该外壳包括被配置为形成该电子设备的第一面的窗和朝向该电子设备的第一面的相反方向的该电子设备的第二面；电路板，位于该电子设备的第一面与第二面之间，并且包括被配置为基于电容的变化来检测输入的输入电路；间隔件，位于该窗与该电子设备之间，并且在面对该电路板的一面上形成有至少一个空间；触点，通过被安装到该电路板的一面而电连接到该输入电路，并且被容纳在该至少一个空间中；和导电板，耦合到该窗下面的该至少一个空间并且与该电路板分离，并且通过该至少一个空间电连接到该触点。