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公开(公告)号：CN106030369A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580008998.2
申请日：2015-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B26/00
CPC classification number: G02B17/004 , F21K9/64 , G02B5/008 , G02B26/00
Abstract: 提供了光学器件以及控制来自光学器件的光的方向的方法。该光学器件包括：基板；在基板上的金属层；第一狭槽，提供在金属层中；以及至少一个光源，提供在第一狭槽中，其中光从所述至少一个光源朝第一狭槽的顶部或第一狭槽的底部的方向发射。
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公开(公告)号：CN101552184B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200810161724.9
申请日：2008-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/283 , H01L21/768 , H01L21/48 , H01L23/48 , H01L23/522
CPC classification number: C23C14/16 , C23C14/022 , C23C14/5806 , H01L21/30655 , H01L2924/0002 , Y10T428/24917 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供基板结构及其形成方法与太赫装置及其制造方法。形成基板结构的方法可包括：蚀刻基板，以形成具有垂直表面的蚀刻部分；在整个基板或者基板的部分上形成扩散材料层；对扩散材料层进行退火处理，以形成向下、朝着蚀刻部分的表面扩散的籽晶层；以及在籽晶层上形成金属层。因此，基板的蚀刻部分的表面特性由于籽晶层而增强，因此，可以在蚀刻部分的垂直表面上形成具有改进粘合性且厚度均匀的金属层。
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公开(公告)号：CN110031989B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201811177146.8
申请日：2018-10-10
IPC: G02F1/017
Abstract: 提供了一种量子点(QD)光调制器以及包括该QD光调制器的装置。QD光调制器可以包括：含QD层，包括具有发光特性的QD；折射率变化层，与含QD层相邻地布置；以及反射器，布置为面对含QD层。折射率变化层可以包括其中载流子密度变化的载流子密度变化区，并且载流子密度变化区可以与含QD层相邻地布置。含QD层的发光特性可以根据折射率变化层的性质的变化来调制。QD光调制器还可以包括布置在含QD层上的纳米天线结构。
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公开(公告)号：CN108731806B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201810188793.2
申请日：2018-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及光学滤波器、光谱仪和光学设备。光学滤波器可包括第一反射器和第二反射器。第一反射器可包括具有第一亚波长尺寸并且布置成在第一方向上以第一间隔再现的多个第一光栅。第二反射器可与所述第一反射器隔开，包括具有第二亚波长尺寸并且布置成在平行于所述第一方向的方向上以第二间隔再现的多个第二光栅。所述第一反射器和所述第二反射器包括彼此不同的材料或不同的几何结构。因此，容易调整光学滤波器的透射波长特性。
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公开(公告)号：CN107017312B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201610821200.2
申请日：2016-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/113 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供了光电器件和包括该光电器件的电子装置。光电器件可以包括光敏层，该光敏层可以包括配置为响应于光而产生电荷的纳米结构层和邻近于该纳米结构层的半导体层。纳米结构层可以包括一个或多个量子点。半导体层可以包括氧化物半导体。光电器件可以包括接触光敏层的不同区域的第一电极和第二电极。大量光电转换元件可以在水平方向上布置或者可以在竖直方向上层叠。光电转换元件可以吸收并由此探测在不同波长带中的光而不使用滤色器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112713208A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202010679051.7
申请日：2020-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本公开提供了超光学器件及其制造方法以及电子装置。一种配置为感测入射光的超光学器件包括多个纳米棒，每个纳米棒具有比入射光的波长小的形状尺寸。每个纳米棒包括第一导电类型半导体层、本征半导体层以及第二导电类型半导体层。超光学器件可以分离并感测入射光的波长。
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公开(公告)号：CN108731806A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810188793.2
申请日：2018-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01J3/021 , F21V7/22 , G01J3/0224 , G01J3/1804 , G01J3/26 , G01J2003/1861 , G02B5/1809 , G02B5/1866 , G02B5/20 , G02B5/203 , G02B27/4272 , G01J3/2803 , G01J3/0229 , G01J3/0243 , G01J3/0259
Abstract: 本发明涉及光学滤波器、光谱仪和光学设备。光学滤波器可包括第一反射器和第二反射器。第一反射器可包括具有第一亚波长尺寸并且布置成在第一方向上以第一间隔再现的多个第一光栅。第二反射器可与所述第一反射器隔开，包括具有第二亚波长尺寸并且布置成在平行于所述第一方向的方向上以第二间隔再现的多个第二光栅。所述第一反射器和所述第二反射器包括彼此不同的材料或不同的几何结构。因此，容易调整光学滤波器的透射波长特性。
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公开(公告)号：CN101226864A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200710093270.1
申请日：2007-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J9/42
CPC classification number: H01J9/42 , H01J29/04 , H01J31/127
Abstract: 一种场发射装置的老化方法，该场发射装置包括相互平行布置的阴极和阳极，布置在阴极上以发射电子到阳极的发射器，以及布置在与发射器相邻的阴极上的栅电极，该方法包括：提供电压到阴极；提供电压到栅电极；以及接着提供足够低的电压到阳极以防止阴极和栅电极之间的短路部分由于过电流而被永久损坏。
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公开(公告)号：CN101067911A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200610171138.3
申请日：2006-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/32 , G09G3/2014 , G09G2310/0256 , G09G2310/066 , G09G2320/043
Abstract: 本发明涉及一种驱动场发射器件(FED)的方法。该方法包括在场发射器件中使用交流(AC)电压作为驱动电压以发射电子，场发射器件包括具有发射体的阴极电极和面对该阴极电极的阳极电极。AC电压用于防止电弧且还激活电子发射源。一种熟化FED的方法，当FED被熟化时，使用恒定电压使得电子不能从电子发射源发射，且使用AC电压使得电子可以从发射体周期性地发射。
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