公开(公告)号：CN110031989A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201811177146.8

申请日：2018-10-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  加州理工学院

Inventor： 李斗铉 ,  R.索科延 ,  呂宥蓉 ,  G.K.什玛内什 ,  H.阿特瓦特 ,  R.帕拉 ,  白瓒郁

IPC: G02F1/017

Abstract: 提供了一种量子点(QD)光调制器以及包括该QD光调制器的装置。QD光调制器可以包括：含QD层，包括具有发光特性的QD；折射率变化层，与含QD层相邻地布置；以及反射器，布置为面对含QD层。折射率变化层可以包括其中载流子密度变化的载流子密度变化区，并且载流子密度变化区可以与含QD层相邻地布置。含QD层的发光特性可以根据折射率变化层的性质的变化来调制。QD光调制器还可以包括布置在含QD层上的纳米天线结构。

公开(公告)号：CN110031989B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201811177146.8

申请日：2018-10-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  加州理工学院

Inventor： 李斗铉 ,  R.索科延 ,  呂宥蓉 ,  G.K.什玛内什 ,  H.阿特瓦特 ,  R.帕拉 ,  白瓒郁

IPC: G02F1/017

Abstract: 提供了一种量子点(QD)光调制器以及包括该QD光调制器的装置。QD光调制器可以包括：含QD层，包括具有发光特性的QD；折射率变化层，与含QD层相邻地布置；以及反射器，布置为面对含QD层。折射率变化层可以包括其中载流子密度变化的载流子密度变化区，并且载流子密度变化区可以与含QD层相邻地布置。含QD层的发光特性可以根据折射率变化层的性质的变化来调制。QD光调制器还可以包括布置在含QD层上的纳米天线结构。