公开(公告)号：CN109841727A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811285410.X

申请日：2018-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晥均 ,  姜德现 ,  金禹珍 ,  林佑昶 ,  郑峻昊

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 一种制造磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成第一磁性层；在所述第一磁性层上形成第一隧道势垒层，使得所述第一隧道势垒层包括第一金属氧化物，所述第一金属氧化物通过在第一温度下氧化第一金属层而形成；在所述第一隧道势垒层上形成第二隧道势垒层，使得所述第二隧道势垒层包括第二金属氧化物，所述第二金属氧化物通过在高于所述第一温度的第二温度下氧化第二金属层而形成；以及在所述第二隧道势垒层上形成第二磁性层。

公开(公告)号：CN108123027A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711226363.7

申请日：2017-11-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  高丽大学校 ,  产学协力团

Inventor： 林佑昶 ,  李炅珍 ,  高京椿 ,  李升宰

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/15 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1693 ,  H01L27/222 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 实施例提供一种磁存储器件以及一种写磁存储器件的方法。所述磁存储器件包括磁隧道结和第一导线，所述磁隧道结具有自由层、参考层以及在自由层和参考层之间的隧道阻挡层，所述第一导线与自由层相邻。具有随时间减小的频率的第一自旋轨道电流流动通过第一导线。所述写方法包括：将具有随时间减小的频率的第一自旋轨道电流施加到第一导线。

公开(公告)号：CN102468425B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201110349182.X

申请日：2011-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金佑填 ,  李将银 ,  吴世忠 ,  金英铉 ,  崔锡宪 ,  林佑昶

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/10 ,  G11C11/02 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/224 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供了一种磁存储器件。该磁存储器件包括磁图案、参考图案、插设在磁图案与参考图案之间的隧道势垒图案以及设置在磁图案内部的至少一个磁段。该磁段为磁化方向至少具有在垂直于磁图案的磁化方向的平面内的分量的磁材料。

公开(公告)号：CN102024903A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010282801.3

申请日：2010-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世忠 ,  李将银 ,  李济珩 ,  金佑填 ,  林佑昶 ,  郑峻昊 ,  崔锡宪

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/02 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 一种磁存储器件可以包括第一垂直磁性层、在第一垂直磁性层上的非磁性层、以及在非磁性层上的第一结磁性层，其中，非磁性层在第一垂直磁性层和第一结磁性层之间。隧道势垒可以在第一结磁性层上，其中，第一结磁性层在非磁性层和隧道势垒之间。第二结磁性层可以在隧道势垒上，其中，隧道势垒在第一结磁性层和第二结磁性层之间，并且第二垂直磁性层可以在第二结磁性层上，其中，第二结磁性层在隧道势垒和第二垂直磁性层之间。