公开(公告)号：CN102024903B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201010282801.3

申请日：2010-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世忠 ,  李将银 ,  李济珩 ,  金佑填 ,  林佑昶 ,  郑峻昊 ,  崔锡宪

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/02 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 一种磁存储器件可以包括第一垂直磁性层、在第一垂直磁性层上的非磁性层、以及在非磁性层上的第一结磁性层，其中，非磁性层在第一垂直磁性层和第一结磁性层之间。隧道势垒可以在第一结磁性层上，其中，第一结磁性层在非磁性层和隧道势垒之间。第二结磁性层可以在隧道势垒上，其中，隧道势垒在第一结磁性层和第二结磁性层之间，并且第二垂直磁性层可以在第二结磁性层上，其中，第二结磁性层在隧道势垒和第二垂直磁性层之间。

公开(公告)号：CN102024903A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010282801.3

申请日：2010-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世忠 ,  李将银 ,  李济珩 ,  金佑填 ,  林佑昶 ,  郑峻昊 ,  崔锡宪

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/02 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 一种磁存储器件可以包括第一垂直磁性层、在第一垂直磁性层上的非磁性层、以及在非磁性层上的第一结磁性层，其中，非磁性层在第一垂直磁性层和第一结磁性层之间。隧道势垒可以在第一结磁性层上，其中，第一结磁性层在非磁性层和隧道势垒之间。第二结磁性层可以在隧道势垒上，其中，隧道势垒在第一结磁性层和第二结磁性层之间，并且第二垂直磁性层可以在第二结磁性层上，其中，第二结磁性层在隧道势垒和第二垂直磁性层之间。