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公开(公告)号：CN118782122A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410401928.4
申请日：2024-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。一个示例方法包括：将页缓冲器的感测节点设为第一电压；相对于第一电压检测第一感测放大器和第二感测放大器的操作特征的偏差；以及基于第一感测放大器和第二感测放大器的操作特征的偏差，在第一感测放大器、第二感测放大器或者第一感测放大器和第二感测放大器中，在至少两个不同的操作时间中按次序重复第一内部操作。
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公开(公告)号：CN118197371A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311684593.3
申请日：2023-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件，包括在位线和公共源极线之间的字线区域。字线区域包括多个堆叠。字线区域中的第一区域包括第一堆叠，具有第一电阻值；字线区域中的第二区域包括第二堆叠，具有第二电阻值，其中，第二电阻值与第一电阻值不同；第三区域包括第三堆叠，具有与第一电阻值不同的第三电阻值；并且处理器被配置为控制第一区域、第二区域和第三区域的恢复顺序。
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公开(公告)号：CN118173148A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311679764.3
申请日：2023-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储器装置和存储器装置的擦除方法。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列中具有包括目标存储器块的多个存储器块。提供了电压生成器，电压生成器被配置为生成擦除电压和行线电压，擦除电压和行线电压被提供给将被执行擦除操作的目标存储器块。提供了控制逻辑，控制逻辑被配置为控制存储器单元阵列和电压生成器。此外，在操作期间，擦除电压被提供给与目标存储器块相关联的位线和共源极线中的至少一条，并且在擦除电压被提供给目标存储器块的位线和共源极线中的所述至少一条之前，被提供擦除电压的晶体管的栅极线被预充电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116110463A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211381624.3
申请日：2022-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本发明构思的示例实施例，一种存储器系统的操作方法，该存储器系统包括存储器控制器和非易失性存储器件，非易失性存储器件在存储器控制器的控制下操作，并且非易失性存储器包括第一存储块和第二存储块，该方法包括：由存储器控制器确定第一存储块是否满足块重置条件；响应于第一存储块满足块重置条件，将接通电压施加到第一存储块中包括的虚设单元的字线；将预编程在第一存储块中的数据传输到第二存储块；擦除第一存储块；以及重新编程第一存储块的虚设单元。
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公开(公告)号：CN116110462A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211283578.3
申请日：2022-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种具有多堆叠存储块的非易失性存储器件包括：存储单元阵列，被划分为沿着竖直方向设置的多个存储器堆叠；以及控制电路，被配置为执行多个存储器堆叠的沟道电压均衡操作，其中，堆叠间部分位于多个存储器堆叠之间，并且沟道孔穿过多个存储器堆叠中的每一个的字线。控制电路将多个存储器堆叠中的每一个的字线中的与堆叠间部分相邻的一些字线确定为堆叠间字线，并且根据堆叠间字线的沟道孔的尺寸不同地控制用于向堆叠间字线施加通过电压的设置时间点或用于向堆叠间字线施加地电压的恢复时间点。
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公开(公告)号：CN114496041A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111239284.6
申请日：2021-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器设备包括至少一个存储器块和控制电路。该至少一个存储器块包括多个单元串，每个单元串包括串选择晶体管、多个存储器单元和接地选择晶体管。该控制电路通过下列方式控制程序操作：在程序循环的位线设置时段期间，将多个单元串的通道预充电至第一电压；在程序循环的程序执行时段期间，将程序电压施加到多个单元串的选定字线；以及在将多个单元串的选定字线和未选定字线的电压恢复到小于接地电压的负电压之后，在程序循环的恢复时段期间，将选定字线和未选定字线的电压恢复到大于接地电压的第二电压。
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公开(公告)号：CN107230496B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201710187763.5
申请日：2017-03-27
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
IPC: G11C16/08
Abstract: 存储器设备的数据读取操作方法包括：将具有第一准备电平和第一目标电平的读取电压施加到存储器设备中的选择的单元的字线以读取选择的单元的编程状态，将具有第二准备电平和第二目标电平的第一读取通过电压施加到不与选择的单元相邻且在与选择的单元相同的串中的第一未选择的单元的至少一个字线，并将具有第三目标电平的第二读取通过电压施加到与选择的单元相邻的至少一个第二未选择的单元的字线。
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公开(公告)号：CN107230496A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710187763.5
申请日：2017-03-27
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
IPC: G11C16/08
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/26 , G11C16/28
Abstract: 存储器设备的数据读取操作方法包括：将具有第一准备电平和第一目标电平的读取电压施加到存储器设备中的选择的单元的字线以读取选择的单元的编程状态，将具有第二准备电平和第二目标电平的第一读取通过电压施加到不与选择的单元相邻且在与选择的单元相同的串中的第一未选择的单元的至少一个字线，并将具有第三目标电平的第二读取通过电压施加到与选择的单元相邻的至少一个第二未选择的单元的字线。
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