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公开(公告)号:CN113625940A
公开(公告)日:2021-11-09
申请号:CN202110356638.9
申请日:2021-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储装置和存储装置的重新训练方法。所述存储装置包括NVM封装件和控制器,控制器通过通道连接到NVM封装件,并且控制NVM封装件的操作。NVM封装件包括接口芯片、第一NVM装置和第二NVM装置,第一NVM装置通过第一内部通道连接到接口芯片,第二NVM装置通过第二内部通道连接到接口芯片。接口芯片响应于从控制器接收的操作请求来选择第一内部通道,并且将第一内部通道连接到所述通道。接口芯片还确定是否需要与第二内部通道有关的重新训练,并且在需要重新训练时将重新训练请求发送到控制器。
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公开(公告)号:CN112447213A
公开(公告)日:2021-03-05
申请号:CN202010616297.X
申请日:2020-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 提供了一种具有减少的校准时间的多芯片封装件及其阻抗控制(ZQ)校准方法。所述多芯片封装件的主芯片通过使用ZQ电阻器来执行第一ZQ校准操作,然后其他从芯片基于与所述主芯片的DQ焊盘的一一对应关系通过使用所述主芯片的DQ焊盘的终端电阻值同时针对所述从芯片的数据输入/输出(DQ)焊盘执行第二ZQ校准操作。所述多芯片封装件通过执行两个ZQ校准操作来完成ZQ校准,从而减少了ZQ校准时间。
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公开(公告)号:CN111416188A
公开(公告)日:2020-07-14
申请号:CN202010013093.7
申请日:2020-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种多模式传输线和包括该多模式传输线的存储装置。所述多模式传输线包括第一导电层和第二导电层、第一波导壁和第二波导壁、带状线以及盲导体。第二导电层形成在第一导电层上方。第一波导壁在第一方向上延长,并且在竖直方向上与第一导电层和第二导电层接触。第二波导壁平行于第一波导壁在第一方向上延长,并且在竖直方向上与第一导电层和第二导电层接触。带状线形成在第一导电层与第二导电层之间以及在第一波导壁与第二波导壁之间。盲导体连接到第一导电层、第二导电层、第一波导壁和第二波导壁中的一个。
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公开(公告)号:CN107293320A
公开(公告)日:2017-10-24
申请号:CN201710129322.X
申请日:2017-03-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10 , G06F13/12 , H03K19/0175 , H04B1/40
CPC classification number: H04B1/24 , H04L25/0292 , H04L25/0298 , H04L25/03847 , H04L25/03878 , H04L47/6235 , H04L49/90 , G11C7/1048 , G06F13/122 , G11C7/1006 , G11C7/1057 , G11C7/1084 , H03K19/017518 , H04B1/40
Abstract: 接收接口电路包括终止电路、缓冲器和接口控制器。终止电路被配置为响应于终止控制信号来改变终止模式。缓冲器被配置为响应于缓冲器控制信号来改变接收特性。接口控制器被配置为生成终止控制信号和缓冲器控制信号,使得缓冲器的接收特性与终止模式的改变相关联地改变。接收接口电路可以通过与终止模式相关联地改变缓冲器的接收特性来支持各种通信标准。使用接收接口电路,可以改善诸如存储系统的收发机系统的通信效率和/或发射机设备与接收机设备之间的兼容性。
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