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公开(公告)号：CN113937215A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110740750.2
申请日：2021-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁存储器件包括：钉扎层；自由层；钉扎层和自由层之间的隧道势垒层；第一氧化物层，与隧道势垒层间隔开，其中自由层在第一氧化物层和隧道势垒层之间；以及第二氧化物层，与自由层间隔开，其中第一氧化物层在第二氧化物层和自由层之间。第一氧化物层包括第一材料的氧化物，并且第一氧化物层的厚度可以在从至的范围内。第二氧化物层可以包括第二材料的氧化物，并且第二氧化物层的厚度可以在从至的范围内。第一材料的第一氧亲和性可以大于第二材料的第二氧亲和性。
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公开(公告)号：CN109750263A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811287314.9
申请日：2018-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了溅射装置和制造磁存储器件的方法。溅射装置包括：处理室；平台，位于处理室中并且被配置为在自身上加载基板；以及，第一溅射枪，位于处理室中的基板上方。第一溅射枪与基板水平地间隔开。第一溅射枪包括第一靶，第一靶包括第一端和第二端，第一端比第二端在水平投影平面上更靠近基板。第一靶的第一表面相对于基板的顶表面倾斜。第一靶的第二端相对于基板的顶表面的高度与第一靶的第一端相对于基板的顶表面的高度不同。
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公开(公告)号：CN107026233A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610902615.2
申请日：2016-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件包括：在基板上的自由磁图案；在自由磁图案上的参考磁图案，参考磁图案包括第一被钉扎图案、第二被钉扎图案以及在第一被钉扎图案和第二被钉扎图案之间的交换耦合图案；在参考磁图案和自由磁图案之间的隧道势垒图案；在隧道势垒图案和第一被钉扎图案之间的极化增强磁图案；和在极化增强磁图案和第一被钉扎图案之间的插入图案，其中第一被钉扎图案包括交替地层叠的第一铁磁图案和反铁磁交换耦合图案。
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公开(公告)号：CN102683580B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201210072710.6
申请日：2012-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y40/00 , G01R33/098 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01F10/123 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/303 , H01L27/224 , H01L27/226 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种磁隧道结器件，该磁隧道结器件包括：固定磁结构；自由磁结构；自由磁结构；以及在固定磁结构和自由磁结构之间的隧道势垒，固定磁结构和自由磁结构的至少之一包括垂直磁化保存层、在垂直磁化保存层与隧道势垒之间的磁性层、以及在垂直磁化保存层与磁性层之间的垂直磁化诱导层。
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公开(公告)号：CN102683580A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210072710.6
申请日：2012-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y40/00 , G01R33/098 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01F10/123 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/303 , H01L27/224 , H01L27/226 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种磁隧道结器件，该磁隧道结器件包括：固定磁结构；自由磁结构；自由磁结构；以及在固定磁结构和自由磁结构之间的隧道势垒，固定磁结构和自由磁结构的至少之一包括垂直磁化保存层、在垂直磁化保存层与隧道势垒之间的磁性层、以及在垂直磁化保存层与磁性层之间的垂直磁化诱导层。
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