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公开(公告)号：CN102584851A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210001830.7
申请日：2012-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/06 , C07D513/06 , C08G61/12 , H01L51/30 , H01L51/05
CPC classification number: C07D495/04 , C07D513/04 , C08G61/123 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/3223 , C08G2261/3243 , C08G2261/3246 , C08G2261/414 , C08G2261/51 , C08G2261/92 , C09B57/001 , C09B69/109 , H01L51/0035 , H01L51/0043 , H01L51/0068 , H01L51/0071 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 本发明涉及有机半导体化合物和聚合物及包括其的晶体管和电子器件。示例性实施方式涉及由本文中化学式1表示的有机半导体化合物，其可聚合和用于晶体管和电子器件中。所述有机半导体化合物包括四个稠合苯环的基础结构，其中官能团R1～R3与第一个苯环连接且官能团R4～R6与第二个苯环连接。该基础结构的第三以及第四个苯环分别与X1、X2以及X3、X4连接。X1和X2的至少一个为硫原子。X3和X4的至少一个为硫原子。该基础结构进一步包含官能团R7和R8。
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公开(公告)号：CN109309160B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201810762263.4
申请日：2018-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K10/46 , H10K71/00 , H10K101/40 , H10K101/30
Abstract: 公开了薄膜晶体管、包括其的电子器件、和其制造方法。所述薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极、和漏电极。所述半导体层与所述栅电极重叠。所述源电极和所述漏电极电连接至所述半导体层。所述半导体层包括包含第一有机半导体材料的第一半导体层和包含第二有机半导体材料的第二半导体层。所述第二半导体层相比于所述第一半导体层与所述栅电极间隔得更远。所述第二有机半导体材料的HOMO能级不同于所述第一有机半导体材料的HOMO能级。
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公开(公告)号：CN114716457A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210014471.2
申请日：2022-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D517/16 , C07D517/20 , C07D517/22 , C07F7/08 , H01L51/46 , H01L27/30
Abstract: 提供用于光电器件的组合物、以及包括其的光电器件、图像传感器和电子设备，所述用于光电器件的组合物包括n型半导体化合物和由化学式1表示的p型半导体化合物，在化学式1中，各基团与详述的说明书中定义的相同。[化学式1]
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公开(公告)号：CN112645944A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011077898.4
申请日：2020-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D421/04 , C07D421/14 , H01L51/42 , H01L27/32 , H01L51/46
Abstract: 公开了化合物以及包括其的有机光电器件、图像传感器和电子设备，所述化合物具有化学式1。在化学式1中，各基团和参数的定义如具体实施方式中所描述的。[化学式1]。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105837597B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201610064600.3
申请日：2016-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/22 , C07D487/22 , H01L51/54 , H01L51/30 , H01L51/46
CPC classification number: H01L51/0074 , C07D495/22 , C07D517/22 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 提供稠合多环杂芳族化合物、包括所述化合物的有机薄膜和包括有机薄膜的电子器件。所述稠合多环杂芳族化合物由化学式1A或1B表示，且具有其中八个或更多个环高度地稠合在一起的紧凑的平面结构，并且因此呈现出高的在分子之间的电荷迁移率。所述有机薄膜包括所述稠合多环杂芳族化合物且所述电子器件包括所述薄膜作为载流子传输层。
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公开(公告)号：CN109309160A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201810762263.4
申请日：2018-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了薄膜晶体管、包括其的电子器件、和其制造方法。所述薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极、和漏电极。所述半导体层与所述栅电极重叠。所述源电极和所述漏电极电连接至所述半导体层。所述半导体层包括包含第一有机半导体材料的第一半导体层和包含第二有机半导体材料的第二半导体层。所述第二半导体层相比于所述第一半导体层与所述栅电极间隔得更远。所述第二有机半导体材料的HOMO能级不同于所述第一有机半导体材料的HOMO能级。
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公开(公告)号：CN108428795A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810126979.5
申请日：2018-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L21/28158 , H01L27/3274 , H01L29/41733 , H01L51/0533 , H01L51/0541 , H01L51/055 , H01L51/0512 , H01L51/102 , H01L51/105
Abstract: 本发明构思涉及薄膜晶体管、其制造方法和包括其的电子设备。一种薄膜晶体管包括在半导体层上的栅电极、在半导体层与栅电极之间的第一绝缘层、在栅电极上的第二绝缘层、以及在半导体层上的源电极和漏电极。栅电极包括第一部分和邻近于第一部分的第二部分。第二部分的宽度大于第一部分的宽度。源电极和漏电极在半导体层上并布置为使得栅电极的第一部分位于源电极与漏电极之间。源电极和漏电极分别穿过第一绝缘层和第二绝缘层电连接到半导体层。源电极与漏电极之间的空间大于第一部分的宽度。
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公开(公告)号：CN102585173B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201210001157.7
申请日：2012-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0036 , B82Y10/00 , C08G61/122 , C08G61/123 , C08G2261/124 , C08G2261/3223 , C08G2261/3241 , C08G2261/3243 , C08G2261/414 , C08G2261/91 , C08G2261/92 , C09B69/109 , H01L51/0043 , H01L51/0047 , H01L51/0558 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及低带隙有机半导体化合物、及包括其的晶体管和电子器件。所述有机半导体化合物包含由化学式1表示的结构单元。[化学式1]。
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公开(公告)号：CN105837597A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610064600.3
申请日：2016-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/22 , C07D487/22 , H01L51/54 , H01L51/30 , H01L51/46
CPC classification number: H01L51/0074 , C07D495/22 , C07D517/22 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , C07D487/22 , H01L51/0071 , H01L51/5048
Abstract: 提供稠合多环杂芳族化合物、包括所述化合物的有机薄膜和包括有机薄膜的电子器件。所述稠合多环杂芳族化合物由化学式1A或1B表示，且具有其中八个或更多个环高度地稠合在一起的紧凑的平面结构，并且因此呈现出高的在分子之间的电荷迁移率。所述有机薄膜包括所述稠合多环杂芳族化合物且所述电子器件包括所述薄膜作为载流子传输层。
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