公开(公告)号：CN114639734A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202111326140.4

申请日：2021-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑㥠珍 ,  高到贤 ,  金锡勳 ,  金正泽 ,  朴判贵 ,  梁炆承 ,  崔珉姬 ,  河龙

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源图案，包括下图案和多个片图案；栅极结构，设置在下图案上并且围绕多个片图案；以及源极/漏极图案，填充源极/漏极凹陷并且形成在栅极结构的至少一侧上。源极/漏极图案包括沿着源极/漏极凹陷延伸并且接触下图案的第一半导体图案以及依次地设置在第一半导体图案上的第二半导体图案和第三半导体图案，第三半导体图案的下表面设置在最下面的片图案的下表面下方，第三半导体图案的侧表面包括平面部分，并且在第三半导体图案的下表面上的第二半导体图案的厚度与在第三半导体图案的侧表面的平面部分上的第二半导体图案的厚度不同。

公开(公告)号：CN114597252A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202111388186.9

申请日：2021-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金正泽 ,  金锡勋 ,  河龙 ,  朴判贵 ,  申东石

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体装置，包括：有源图案，其包括在第一方向上延伸的下图案和在垂直于第一方向的第二方向上与下图案间隔开的多个片图案；多个栅极结构，其位于下图案上以在第一方向上彼此间隔开，并且包括包围多个片图案的栅电极和栅极绝缘膜；源极/漏极凹部，其限定在彼此相邻的栅极结构之间；以及源极/漏极图案，其位于源极/漏极凹部内部，并且包括沿着源极/漏极凹部连续地形成的半导体阻挡膜，其中，源极/漏极凹部包括多个宽度延伸区域，并且宽度延伸区域中的每一个在第一方向上的宽度随着其远离下图案的上表面而增大并且随后减小。

公开(公告)号：CN114078948A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110534075.8

申请日：2021-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉姬 ,  赵槿汇 ,  姜明吉 ,  金锡勳 ,  金洞院 ,  朴判贵 ,  申东石

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02

Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：鳍型有源区，在基底上沿着第一水平方向；器件隔离层，位于鳍型有源区的相对的侧壁上；栅极结构，沿着与第一水平方向交叉的第二水平方向，栅极结构位于鳍型有源区上并位于器件隔离层上；以及源极/漏极区，位于鳍型有源区上，源极/漏极区与栅极结构相邻并包括顺序地堆叠在鳍型有源区上的外阻挡层、内阻挡层和主体层，并且外阻挡层和主体层中的每个包括Si1‑xGex层，其中，x≠0，并且内阻挡层包括Si层。

公开(公告)号：CN109003914A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201810567895.5

申请日：2018-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴金锡 ,  金傔 ,  金利桓 ,  金善政 ,  朴判贵 ,  柳廷昊

IPC: H01L21/67

CPC classification number: C30B25/12 ,  C23C16/4585 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L21/67011

Abstract: 半导体工艺室包括基座、围绕基座的基底板、在基底板的内侧壁上的衬垫、以及在基座与基底板之间且与基座共面的预热环。工艺室还包括联接到基底板并覆盖基座的上表面的上部圆顶。上部圆顶包括在基底板的上表面上的第一部分和从第一部分延伸并交叠基座的第二部分。第一部分包括在基底板的上表面上的第一区域、从第一区域延伸超过基底板的第二区域、以及从第二区域以减小的厚度延伸以接触第二部分的第三区域。

公开(公告)号：CN103839944A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310585436.7

申请日：2013-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  姜显澈 ,  卢东贤 ,  朴判贵 ,  慎居明 ,  李来寅 ,  李哲雄 ,  郑会晟 ,  金永倬

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7836

Abstract: 本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。

公开(公告)号：CN119403189A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411004238.1

申请日：2024-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许洋 ,  金傔 ,  朴判贵 ,  河龙 ,  许伦

IPC: H10D62/13 ,  H10D30/62 ,  H10D84/83 ,  H10D84/03

Abstract: 一种半导体装置包括：基底；有源区域，在基底上沿着第一水平方向延伸，并且包括第一有源图案、第二有源图案和过渡有源图案，第一有源图案在基底的底表面上方沿着竖直方向的第一高度处并且在水平的第二方向上具有第一宽度，第二有源图案在第二方向上具有不同于第一宽度的第二宽度，过渡有源图案将第一有源图案连接到第二有源图案；栅极结构，与有源区域交叉，每个栅极结构在第二方向上横跨基底延伸；源极/漏极区域，设置在栅极结构的侧面上，并且包括设置在第一有源图案上的第一源极/漏极区域、设置在第二有源图案上的第二源极/漏极区域和设置在过渡有源图案上的过渡源极/漏极区域。

公开(公告)号：CN118352356A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202311574033.2

申请日：2023-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 边晓训 ,  金锡勋 ,  金彦起 ,  朴判贵 ,  林圣根 ,  曹裕英

IPC: H01L27/088

Abstract: 一种集成电路器件包括：后布线结构；绝缘衬底，设置在所述后布线结构上并且包括在第一水平方向上延伸的鳍结构；器件隔离层，设置在所述鳍结构之间；下绝缘层，覆盖所述鳍结构；栅极结构，在与所述第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；多个纳米片堆叠件，设置在所述下绝缘层上；第一源极/漏极区，设置在所述绝缘衬底上并且包括主体部分和垂直延伸部分，其中，所述主体部分设置在所述多个纳米片堆叠件之间，并且所述垂直延伸部分穿过所述下绝缘层并且至少部分地穿过对应的所述鳍结构；半导体外延结构，至少部分地围绕所述第一源极/漏极区的所述垂直延伸部分；以及下接触，将所述半导体外延结构与所述后布线结构连接。

公开(公告)号：CN110060999B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201910156871.5

申请日：2013-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  姜显澈 ,  卢东贤 ,  朴判贵 ,  慎居明 ,  李来寅 ,  李哲雄 ,  郑会晟 ,  金永倬

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/02 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。

公开(公告)号：CN109003914B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201810567895.5

申请日：2018-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴金锡 ,  金傔 ,  金利桓 ,  金善政 ,  朴判贵 ,  柳廷昊

IPC: H01L21/67

Abstract: 半导体工艺室包括基座、围绕基座的基底板、在基底板的内侧壁上的衬垫、以及在基座与基底板之间且与基座共面的预热环。工艺室还包括联接到基底板并覆盖基座的上表面的上部圆顶。上部圆顶包括在基底板的上表面上的第一部分和从第一部分延伸并交叠基座的第二部分。第一部分包括在基底板的上表面上的第一区域、从第一区域延伸超过基底板的第二区域、以及从第二区域以减小的厚度延伸以接触第二部分的第三区域。

公开(公告)号：CN116364719A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211712947.6

申请日：2022-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵南奎 ,  金锡勋 ,  李相吉 ,  朴判贵

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括第一有源图案，第一有源图案具有第一下图案和在第一下图案上的第一片图案。第一栅极结构包括第一栅电极。第二有源图案包括第二下图案。第二片图案在第二下图案上。第二栅极结构包括围绕第二片图案的第二栅电极。第一源极/漏极凹陷在相邻的第一栅极结构之间。第二源极/漏极凹陷在相邻的第二栅极结构之间。第一源极/漏极图案沿着第一源极/漏极凹陷延伸。第一硅锗填充膜在第一硅锗衬垫上。第二源极/漏极图案包括沿着第二源极/漏极凹陷延伸的第二硅锗衬垫。第二硅锗填充膜在第二硅锗衬垫上。