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公开(公告)号：CN103839944A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310585436.7
申请日：2013-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/4966 , H01L29/66492 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7833 , H01L29/7836
Abstract: 本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。
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公开(公告)号：CN103839890A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310585778.9
申请日：2013-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/02636 , H01L21/30604 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L21/823468 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823864 , H01L27/088 , H01L29/045 , H01L29/0603 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66568 , H01L29/66575 , H01L29/66636 , H01L29/7833 , H01L29/7834
Abstract: 公开了包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。该方法可以包括在有源区中形成包含磷的快刻蚀区、以及通过使快刻蚀区凹进来在有源区中形成第一沟槽。该方法还可以包括通过使用定向刻蚀处理扩大第一沟槽来在有源区中形成第二沟槽、以及在第二沟槽中形成应力源。第二沟槽可以包括有源区的凹口部分。
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公开(公告)号：CN118633273A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202380019128.X
申请日：2023-01-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L67/148 , H04L67/146 , H04L67/52 , H04L67/289 , H04L67/62 , H04L67/63
Abstract: 本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。在无线通信系统中，由边缘使能器服务器(EES)执行的方法包括以下步骤：从边缘使能器客户端(EEC)接收包括与预测的包括EEC的终端的移动路径相关的信息的请求消息；以及基于与预测的终端的移动路径相关的信息来确定应用上下文存储时间。
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公开(公告)号：CN103839944B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201310585436.7
申请日：2013-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。
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公开(公告)号：CN119366166A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202380047274.3
申请日：2023-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L67/10 , H04L67/52 , H04L67/567 , H04L67/563
Abstract: 公开了一种由边缘计算系统中与第一边缘计算服务提供商相关联的边缘配置服务器（ECS）执行的方法，包括向与第二边缘计算服务提供商相关联的伙伴ECS发送用于请求与边缘数据网络（EDN）相关联的信息的请求消息，以及从伙伴ECS接收包括与EDN相关联的信息的响应消息，其中，EDN基于请求消息被识别。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118303017A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202380014696.0
申请日：2023-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L67/51 , H04L67/148 , H04L67/289 , H04L67/30 , H04L61/4511
Abstract: 本公开涉及用于支持较高数据传输速率的5G或6G通信系统。根据各种实施例，一种由移动通信系统中的边缘使能服务器(EES)执行的方法包括：从第一边缘应用服务器(EAS)接收注册请求消息，该注册请求消息包括指示第一EAS是否提供联合功能的指示符；从第一EAS接收由第一EAS请求的用于第二EAS的发现请求消息；基于发现请求消息识别第二EAS；以及向第一EAS发送发现响应消息，该发现响应消息包括关于所识别的第二EAS的上下文信息，其中关于第二EAS的上下文信息包括指示第二EAS是否提供联合功能的指示符。
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公开(公告)号：CN103839890B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201310585778.9
申请日：2013-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234
Abstract: 公开了包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。该方法可以包括在有源区中形成包含磷的快刻蚀区、以及通过使快刻蚀区凹进来在有源区中形成第一沟槽。该方法还可以包括通过使用定向刻蚀处理扩大第一沟槽来在有源区中形成第二沟槽、以及在第二沟槽中形成应力源。第二沟槽可以包括有源区的凹口部分。
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公开(公告)号：CN104241142A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410095174.0
申请日：2014-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/441
CPC classification number: H01L21/28008 , H01L21/31138 , H01L21/32139 , H01L21/823431 , H01L21/82345 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66545
Abstract: 本发明提供了制造半导体器件的方法。制造半导体器件的方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽和第二沟槽；沿第一沟槽的侧壁表面和底表面形成第一导电层以及沿第二沟槽的侧壁表面和底表面形成第二导电层；在第二导电层上形成掩模图案，该掩模图案填充第二沟槽并且是底部抗反射涂层（BARC）；以及利用掩模图案除去第一导电层。
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公开(公告)号：CN119817086A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202480003866.X
申请日：2024-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L67/10 , H04L41/0813 , H04W8/02
Abstract: 本公开涉及用于支持更高数据速率的5G或6G通信系统。本公开提供了一种边缘计算系统中通过应用触发来提供边缘计算服务信息的方法。更具体地，本公开提供了一种用于利用设备触发或应用触发的方法和设备，在无线通信系统中在构成边缘计算系统的边缘使能器客户端（EEC）、边缘使能器服务器和边缘配置服务器（ECS）之间提供互通。
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公开(公告)号：CN118077228A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202280067769.8
申请日：2022-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种在支持边缘计算的无线通信系统中由用户设备(UE)的边缘使能器客户端(EEC)执行的通信方法。该通信方法包括：从在UE中执行的应用客户端(AC)接收AC注册请求消息，该AC注册请求消息包括AC简档、边缘配置服务器(ECS)地址以及关于是否允许AC简档的外部暴露的用户同意；基于AC注册请求消息选择用于执行服务供应的ECS；对所选择的ECS执行服务供应过程；对通过服务供应过程获得的边缘使能器服务器(EES)执行EEC注册和边缘应用服务器(EAS)发现；以及向AC发送通过EAS发现从EES获得的EAS信息。
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