-
公开(公告)号：CN118155683A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311553881.5
申请日：2023-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储器装置、操作非易失性存储器装置的方法和存储装置。非易失性存储器装置包括：具有串联连接的泵单元的电荷泵电路，电荷泵电路接收用于电荷泵送的外部电压，并根据级控制信号输出级中的泵电压；开关电路，其响应于开关控制信号控制电荷泵电路输出泵送电压；级控制器，其基于温度码输出级控制信号和开关控制信号；以及数字温度传感器，其生成温度码。
-
公开(公告)号：CN109801917B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201811358189.6
申请日：2018-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件及其制造方法，该器件包括：第一半导体层，该第一半导体层包括上基板和存储单元阵列，该存储单元阵列包括堆叠在上基板上的多个栅极导电层以及穿过所述多个栅极导电层并在垂直于上基板的顶表面的方向上延伸的多个柱；以及在第一半导体层下面的第二半导体层，第二半导体层包括下基板、在下基板和上基板之间的至少一个接触插塞以及在下基板上并配置为通过所述至少一个接触插塞输出用于所述多个柱的公共源极电压的公共源极线驱动器。
-
公开(公告)号：CN108231103B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201710674849.0
申请日：2017-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了具有虚设单元的非易失性存储器装置及控制其的方法。非易失性存储器装置包括单元串、地选择晶体管和至少一个虚设单元。单元串包括至少一个存储器单元。所述至少一个虚设单元设置在至少一个存储器单元与地选择晶体管之间并连接到位线。控制器运行虚设单元控制逻辑，虚设单元控制逻辑被配置为在预充电周期的至少一部分中将至少一个虚设单元的栅极电压控制为低于至少一个虚设单元的阈值电压。
-
公开(公告)号：CN108399931B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201711282951.2
申请日：2017-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储装置。所述非易失性存储装置包括：存储单元阵列，具有多个面；多个页缓冲器，布置为与多个面中的每个面对应；以及控制逻辑电路，被配置为向多个页缓冲器中的每个页缓冲器传输位线设定信号。多个页缓冲器中的每个包括被配置为响应于位线设定信号对感测节点和位线进行预充电的预充电电路以及被配置为响应于位线截止信号执行位线截止操作的截止电路。控制逻辑电路被配置为当位线设定信号的电平根据位线截止信号的梯度而改变时来控制转换时间，其中，位线截止信号从第一电平改变为第二电平。
-
公开(公告)号：CN109979944A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811540991.7
申请日：2018-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L27/11551 , H01L27/11521
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：多条栅极线，在第一方向上延伸且在第二方向上堆叠以形成存储器块，其中，第二方向垂直于第一方向；地址解码器，设置在多条栅极线的第一侧处以驱动多条栅极线；电压补偿线，在第一方向上基本平行于多条栅极线地延伸，并且在第二方向上与多条栅极线之中的目标栅极线叠置；上升竖直接触件，在第二方向上延伸以使地址解码器和电压补偿线的第一部分连接；导电路径，在第二方向上使电压补偿线的第一部分和第二部分与目标栅极线的近端部分和远端部分连接。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109801917A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811358189.6
申请日：2018-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 一种非易失性存储器件及其制造方法，该器件包括：第一半导体层，该第一半导体层包括上基板和存储单元阵列，该存储单元阵列包括堆叠在上基板上的多个栅极导电层以及穿过所述多个栅极导电层并在垂直于上基板的顶表面的方向上延伸的多个柱；以及在第一半导体层下面的第二半导体层，第二半导体层包括下基板、在下基板和上基板之间的至少一个接触插塞以及在下基板上并配置为通过所述至少一个接触插塞输出用于所述多个柱的公共源极电压的公共源极线驱动器。
-
公开(公告)号：CN109961820B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201811556056.X
申请日：2018-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 为了在非易失性存储器装置中编程，存储器块设有在竖直方向上布置的多个子块，其中存储器块包括多个单元串，每个单元串包括串联连接并且在竖直方向上布置的多个存储器单元。多个中间开关晶体管在竖直方向上布置在两个相邻子块之间的边界部分中。在编程操作期间基于编程地址选择性地激活所述多个中间开关晶体管中的每一个。选择性地激活所述多个中间开关晶体管中的每一个包括：基于编程地址选择性地导通选择的单元串中的一个或多个中间开关晶体管。
-
公开(公告)号：CN108231103A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710674849.0
申请日：2017-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/227 , G11C7/12 , G11C7/14 , G11C7/18 , G11C7/22 , G11C7/225 , G11C8/14 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/32 , G11C29/02
Abstract: 提供了具有虚设单元的非易失性存储器装置及控制其的方法。非易失性存储器装置包括单元串、地选择晶体管和至少一个虚设单元。单元串包括至少一个存储器单元。所述至少一个虚设单元设置在至少一个存储器单元与地选择晶体管之间并连接到位线。控制器运行虚设单元控制逻辑，虚设单元控制逻辑被配置为在预充电周期的至少一部分中将至少一个虚设单元的栅极电压控制为低于至少一个虚设单元的阈值电压。
-
公开(公告)号：CN106683702A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610984661.1
申请日：2016-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5671 , G11C11/5642 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/28 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/52 , G11C16/26 , G11C16/24
Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储器装置。该非易失性存储器装置包括：包括多个存储器单元的单元阵列、包括多个锁存集的页缓冲器和控制逻辑。页缓冲器通过位线连接至单元阵列。锁存集分别被构造为通过位线从存储器单元中的所选择的存储器单元中感测数据。锁存集分别被构造为执行多次读操作，以确定一个数据状态。锁存集分别被构造为存储读操作的结果。控制逻辑被构造为控制页缓冲器，以使得锁存集按次序分别存储读操作的结果，以将存储在锁存集中的数据彼此比较，以及基于比较结果选择锁存集中的一个锁存集。
-
公开(公告)号：CN103943149A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410024917.5
申请日：2014-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/30
CPC classification number: G11C16/30 , G11C16/0483 , G11C16/12
Abstract: 外部电源控制方法包括：根据第一外部电压的下降确定是否向第一节点施加第二外部电压；当向第一节点施加第二外部电压时根据第二外部电压的下降来生成标志信号；响应于标志信号向第二节点传送第一节点的电压；以及响应于标志信号对连接至第二节点的内部电路的至少一个电压放电。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
32
records
(took 0.024 seconds)
