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公开(公告)号：CN102206581B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201110076327.3
申请日：2011-03-28
CPC classification number: C12M35/02
Abstract: 一种细胞电融合芯片，可以准确高效的完成细胞一对一电融合，可在生物医学工程领域的科研中应用。本细胞电融合芯片包括的细胞融合室，室中排有许多细胞通道单元。其中，每个单元由平行的两个单细胞通道组成，每个通道分别通过不同的细胞。两个通道中间的隔断上每隔一定距离有一个微孔道，细胞可以通过微孔道接触，但是不能通过。在交流电的作用下，隔断两侧的细胞相互靠近，通过微孔道接触；随后在直流电作用下发生融合。本发明可大大提高异种细胞配对和融合的概率，操作简单，一次可完成大量细胞融合。
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公开(公告)号：CN101962614B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201010251182.1
申请日：2010-08-11
IPC: C12M3/00
Abstract: 本发明公开了一种生物芯片及其制备方法，该生物芯片包括离心分离器、富集器和进样口，所述离心分离器和富集器上分别具有排放口，所述离心分离器上具有离心分离器出口，所述富集器上具有富集器入口，所述离心分离器出口与所述富集器入口相连接；其中，所述离心分离器包括涡旋式微流体通道和沿流体流动方向布置于所述微流体通道内的若干微立柱，所述微立柱将微流体通道分成内流道和外流道。本发明生物芯片的结构紧凑，芯片的总面积减小，分离效率提高。该芯片的分离、富集过程耗时短，支持原位培养，减少细胞消化次数，该芯片还可以用于其他功能微粒分离。
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公开(公告)号：CN102336386A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110301733.5
申请日：2011-09-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种三维实体针尖柔性微电极阵列及其制作方法。该微电极阵列包括：包裹在绝缘的柔性衬底中分立绝缘柱阵列、电极、导电引线，其中绝缘柱头部呈针尖状，被电极包裹，针尖电极裸露在外，导电引线沿着绝缘柱和绝缘的柔性衬底铺设，一端与电极相连，另外一端裸露在外，所述绝缘柱为实心结构，从而保证电极能扎入刺激部位，有效提供电刺激和记录。为制得该三维实体针尖柔性微电极阵列对硅材料采用硅划片-腐蚀法，以制得三维实体针尖柔性微电极阵列。该发明提供的三维实体针尖柔性微电极阵列可应用于神经电刺激和记录，并广泛应用于神经疾病治疗、神经康复、神经生物学基础研究等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101086504B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200610012117.7
申请日：2006-06-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种微流体离心芯片及其制备方法。本发明所提供的微流体离心芯片，包括芯片基质和盖片，在所述芯片基质上含有：一具有弯曲且连续展开特性的平面曲线线形的微槽道，所述曲线的曲率半径为20微米-1000微米；至少一个进口，位于微槽道的中心；至少两个出口，位于微槽道的尾部。本发明微流体离心芯片采用硅微加工工艺制作，含有一个具有微小曲率半径的螺旋线型微槽道，当流体样品在该槽道内做高速运动时，由于弯曲通道的作用，将会产生离心加速度，从而实现片上离心操作。实验证明本发明所提出的芯片适于微加工，能够实现非常好的离心效果，同时具有成本低、速度快、便于与其他生物或化学操作进行片上集成等优点。
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公开(公告)号：CN101540295B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910082236.3
申请日：2009-04-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/312 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种TSV通孔的侧壁绝缘层的制备方法。属于微电子封装技术。该方法包括：在普通硅片、SOI片或表面加工有集成电路的标准硅片上刻蚀的TSV通孔内淀积一绝缘层；在绝缘层上淀积一有机薄膜；利用各向异性刻蚀，去除TSV通孔底部的有机薄膜；然后刻蚀掉TSV通孔底部的绝缘层；再次利用各向异性刻蚀，将剩余的有机薄膜全部去除，从而获得完整的TSV通孔的侧壁绝缘层。本发明利用了有机薄膜作为刻蚀保护层，极大的提高了TSV通孔侧壁绝缘层的质量和性能，很好的保证了通孔内金属与硅片之间的绝缘性能，从而提高了TSV互连的可靠性。
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公开(公告)号：CN101717062A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910237300.0
申请日：2009-11-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及用于生物MEMS领域的悬空聚对二甲苯薄膜结构及其制备工艺。本发明的悬空聚对二甲苯薄膜结构是在有孔衬底上化学气相沉积聚对二甲苯形成聚合物悬空薄膜，因此其薄膜厚度可以精确控制，并且，由于沉积聚对二甲苯时的要求很低，不需要牺牲层填充物，对制备有孔衬底的材料并无具体的限制，孔径尺寸和深宽比亦无特殊要求，故可以根据实际需要和成本考量选取适当材料，使得工艺的应用范围大大扩展。
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公开(公告)号：CN101211861A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610170724.6
申请日：2006-12-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种基于SOI技术的集成微传感器的制备方法，属于微机电系统和集成电路技术领域。该方法基于Post－CMOS或Intermediate－CMOS工艺，利用SOI CMOS工艺和SOI微机械加工技术，在SOI硅片上实现微传感器阵列与信号调理等电路的单片集成。本发明工艺简单、加工成本低、体积小、可靠性高，该集成传感器在医学、环境、食品、军事等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN100389508C
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200410101832.9
申请日：2004-12-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种薄膜气体传感器的制备方法，属于气体传感器工艺技术领域。该方法包括：基片清洗和腐蚀，采用溅射和剥离方法制备铬/铂电极，得到表面平整的带有电极图形的基片；在带有电极图形的基片上使用直流反应磁控技术淀积氧化锡纳米敏感薄膜，并且剥离薄膜敏感材料，使之图形化；高温退火后，划片、封装。由于在表面较平坦的基片上使用直流磁控反应溅射的方法制得氧化锡薄膜，薄膜敏感材料厚度及成分均匀可控、灵敏度高、响应快、一致性好、稳定性好。该制备加工方法对传感器自身的污染小、使用的薄膜材料较少，可降低对环境的污染、与集成电路工艺相兼容，工艺重复性好、适合于批量生产。
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