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公开(公告)号：CN119364839A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411292813.2
申请日：2024-09-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上一次刻蚀形成堆叠结构，堆叠结构包括有源结构和第一牺牲层；在栅极区域内，形成覆盖堆叠结构的伪栅结构；刻蚀未被伪栅结构覆盖的堆叠结构，以形成第一深槽；基于栅极区域内的第一有源结构，在第一深槽内外延生长出第一源漏结构；去除伪栅结构和第一牺牲层，以暴露栅极区域内的有源结构；在被暴露出的有源结构上沉积栅极介质材料，以形成栅介质层；在第一栅介质层之上沉积金属材料，以形成第一栅电极层；倒片并去除半导体衬底；基于栅极区域内的第二有源结构，在第一深槽内外延生长出第二源漏结构；在第二栅介质层之上沉积金属材料，以形成第二栅电极层。
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公开(公告)号：CN119325273A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411295018.9
申请日：2024-09-14
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成鳍状结构；对鳍状结构和衬底进行热氧化处理，以形成输入/输出氧化绝缘层；在输入/输出氧化绝缘层上沉积第一绝缘材料，形成绝缘隔离层；基于第一鳍状结构，形成第一晶体管；倒片并减薄衬底，直至暴露第二鳍状结构的第一表面和输入/输出氧化绝缘层的一部分；刻蚀预设高度的第二鳍状结构，以形成第一凹槽；去除暴露出来的输入/输出氧化绝缘层和位于第一凹槽侧壁的输入/输出氧化绝缘层，以暴露绝缘隔离层；在第一凹槽中沉积第一绝缘材料，以形成绝缘隔离结构；基于第二鳍状结构，形成第二晶体管。
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公开(公告)号：CN119317172A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411221468.3
申请日：2024-09-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成鳍状结构；在鳍状结构和衬底上沉积氧化物，以形成氧化隔离层；在氧化隔离层上沉积第一绝缘材料，形成绝缘隔离层；绝缘隔离层覆盖氧化隔离层的表面；基于第一鳍状结构，形成第一晶体管；倒片并减薄衬底，直至暴露第二鳍状结构的第一表面；刻蚀预设高度的第二鳍状结构，以形成第一凹槽；在第一凹槽中沉积氧化物，以形成氧化隔离结构；刻蚀预设高度的氧化隔离结构，以形成第二凹槽；在第二凹槽中沉积第一绝缘材料，以形成绝缘隔离结构；基于第二鳍状结构，形成第二晶体管。通过本申请，可以降低制备堆叠晶体管的过程中产生的热预算。
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公开(公告)号：CN119317131A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411234319.0
申请日：2024-09-04
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：提供一衬底；在衬底的横向扩散区域进行离子注入，以形成P型阱区和N型漂移区；刻蚀P型阱区和衬底的核心区域，以形成鳍状结构和平面块状结构；平面块状结构基于横向扩散区域中未被刻蚀的N型漂移区形成；基于第一鳍状结构，形成第一晶体管；倒片并去除衬底；基于第二鳍状结构，形成第二晶体管；对第一鳍状结构进行第一鳍切处理，以形成第一鳍切沟槽，和/或，对第二鳍状结构进行第二鳍切处理，以形成第二鳍切沟槽；第一鳍切沟槽的刻蚀深度为鳍状结构的高度的一半或等于鳍状结构的高度；第二鳍切沟槽的刻蚀深度为鳍状结构的高度的一半或等于鳍状结构的高度。
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公开(公告)号：CN119153404A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411135779.8
申请日：2024-08-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本申请提供一种倒装堆叠晶体管的制备方法、晶体管、器件及设备，方法包括：在衬底上形成有源结构，有源结构具有第一部分和第二部分，第一部分相比于第二部分靠近衬底；刻蚀源漏区域内的有源结构，并在第一源漏区域内填充绝缘材料，以形成填充结构，源漏区域包括第一源漏区域和第二源漏区域，第一源漏区域与第一部分对应，第二源漏区域与第二部分对应；基于第二源漏区域，形成第一晶体管的第一源漏结构和第一源漏金属；对第一晶体管进行倒片并去除衬底；通过材料的选择性刻蚀填充结构，以暴露第一源漏区域；基于第一源漏区域，形成第二晶体管的第二源漏结构和第二源漏金属。本申请可以实现正背面晶体管的完全自对准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119133107A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411101564.4
申请日：2024-08-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成有源结构，有源结构包括第一部分和第二部分，第二部分相对于第一部分靠近半导体衬底；基于第一部分，形成正面垂直堆叠晶体管，正面垂直堆叠晶体管包括：第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管的极性不同，第一晶体管和第二晶体管在第一方向上自对准，第一方向为垂直于半导体衬底的方向；倒片并去除半导体衬底；基于第二部分，形成反面垂直堆叠晶体管，反面垂直堆叠晶体管包括：第三晶体管和第四晶体管，第三晶体管和第四晶体管的极性不同，第三晶体管和第四晶体管在第一方向上自对准。
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公开(公告)号：CN118900556A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410984338.9
申请日：2024-07-22
Applicant: 北京大学
IPC: H10B10/00
Abstract: 本申请提供一种半导体器件、制备方法、存储器及电子设备。该半导体器件包括：沿第一方向依次堆叠的第一半导体结构、第一隔离层和第二半导体结构；其中，第一方向是与第一隔离层垂直的方向；第一半导体结构包括至少一个第一标准单元，每一个第一标准单元包括两个子单元，每一个子单元包括两个第一晶体管；第二半导体结构包括至少一个第二标准单元，每一个第二标准单元包括两个第二晶体管；电源轨，位于每一个子单元的两个第一晶体管之间，且电源轨与第一晶体管的第一源漏结构连接；导电通道，位于第二半导体结构内，且导电通道的第一端与第二半导体结构内的供电金属结构连接，导电通道的第二端沿第一方向延伸，并穿过第一隔离层与电源轨连接。
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公开(公告)号：CN118690691A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410726251.1
申请日：2024-06-06
Applicant: 北京大学
IPC: G06F30/30 , G06F30/27 , G06N5/04 , G06F17/16 , G06F7/57 , G06F119/02 , G06F117/02
Abstract: 本发明提供了一种基于统计特征的大语言模型推理近似容错方法，属于电子设计自动化与计算系统的可靠性设计技术领域。本发明利用大语言模型错误统计特征，划定模型不同计算单元的错误危险区域，将大语言模型部署在基于统计ABFT电路的脉动阵列加速器上，在模型推理中，利用统计ABFT电路收集错误的统计信息，并计算判定错误的严重程度以决定是否触发纠错重算，从而减少模型重算开销；本发明统计ABFT电路能实现低成本的错误统计特征收集和错误的严重程度的判定，实现可靠、高效的模型推理，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118507460A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410422818.6
申请日：2024-04-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/535 , H01L21/48 , H01L27/02 , H01L27/085
Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，解决了目前堆叠晶体管中漏极互连结构占用版图面积并会产生较大电阻的技术问题。该半导体器件包括第一晶体管、第二晶体管、绝缘层、漏极导电结构；其中，第一晶体管和第二晶体管位于绝缘层的两侧，第一晶体管和第二晶体管在第一方向上自对准，第一方向垂直于绝缘层；漏极导电结构贯穿绝缘层，并连接第一晶体管的漏极外延结构和第二晶体管的漏极外延结构。本申请提供的半导体器件具有漏极导电结构，漏极导电结构不会占用半导体器件的版图面积，并且缩短了漏极互连路径，减小了漏极互联电阻。
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公开(公告)号：CN118352305A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410301043.7
申请日：2024-03-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/76 , H01L23/52 , H01L27/02
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的互连方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成有源结构；采用切除工艺去除有源结构的第一部分，以暴露双扩散隔离区域内的半导体衬底；双扩散隔离区域位于有源结构的第二部分的一侧；在双扩散隔离区域内的半导体衬底上形成双扩散隔离结构；基于被保留的有源结构的第二部分，形成沿第一方向自对准的第一晶体管和第二晶体管，以及单扩散隔离结构；单扩散隔离结构位于第一晶体管和第二晶体管的同一侧，并与双扩散隔离结构相对；刻蚀双扩散隔离结构，以形成第一凹槽，并在第一凹槽内填充金属材料，以形成互连通孔结构；互连通孔结构用于连通第一晶体管的第一金属互连层与第二晶体管的第二金属互连层。
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