公开(公告)号：CN118380320A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410489812.0

申请日：2024-04-23

Applicant: 北京大学 ,  北京知识产权运营管理有限公司

Inventor： 吴恒 ,  付麒力 ,  滕飞宇 ,  卜伟海 ,  武咏琴 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请提供一种底部介质隔离的制备方法、半导体结构、器件及电子设备，方法包括：在衬底上形成鳍状结构；在鳍状结构上沉积第一绝缘材料，以形成第一浅沟槽隔离层；刻蚀第一浅沟槽隔离层至牺牲层与衬底的交界处，暴露鳍状结构；在鳍状结构上形成伪栅结构；在伪栅结构和未被伪栅结构包裹的鳍状结构上沉积第一绝缘材料，形成第二浅沟槽隔离层；刻蚀第二浅沟槽隔离层至牺牲层与叠层的交界处，以暴露未被伪栅结构包裹的鳍状结构；刻蚀未被伪栅结构包裹的鳍状结构，并形成源漏结构；刻蚀第二浅沟槽隔离层至牺牲层与衬底的交界处，暴露牺牲层；去除牺牲层，在叠层、源漏结构与衬底之间形成第一间隙；在第一间隙中填充隔离材料，以形成底部介质隔离层。

公开(公告)号：CN119325273A

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202411295018.9

申请日：2024-09-14

Applicant: 北京大学 ,  北京知识产权运营管理有限公司

Inventor： 吴恒 ,  彭莞越 ,  付麒力 ,  吴旭升 ,  周发龙 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H10D84/01 ,  H10D84/85 ,  H10D88/00

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成鳍状结构；对鳍状结构和衬底进行热氧化处理，以形成输入/输出氧化绝缘层；在输入/输出氧化绝缘层上沉积第一绝缘材料，形成绝缘隔离层；基于第一鳍状结构，形成第一晶体管；倒片并减薄衬底，直至暴露第二鳍状结构的第一表面和输入/输出氧化绝缘层的一部分；刻蚀预设高度的第二鳍状结构，以形成第一凹槽；去除暴露出来的输入/输出氧化绝缘层和位于第一凹槽侧壁的输入/输出氧化绝缘层，以暴露绝缘隔离层；在第一凹槽中沉积第一绝缘材料，以形成绝缘隔离结构；基于第二鳍状结构，形成第二晶体管。

公开(公告)号：CN119317172A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411221468.3

申请日：2024-09-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  付麒力 ,  郭睿 ,  黎明 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H10D84/01 ,  H10D84/85 ,  H10D88/00

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成鳍状结构；在鳍状结构和衬底上沉积氧化物，以形成氧化隔离层；在氧化隔离层上沉积第一绝缘材料，形成绝缘隔离层；绝缘隔离层覆盖氧化隔离层的表面；基于第一鳍状结构，形成第一晶体管；倒片并减薄衬底，直至暴露第二鳍状结构的第一表面；刻蚀预设高度的第二鳍状结构，以形成第一凹槽；在第一凹槽中沉积氧化物，以形成氧化隔离结构；刻蚀预设高度的氧化隔离结构，以形成第二凹槽；在第二凹槽中沉积第一绝缘材料，以形成绝缘隔离结构；基于第二鳍状结构，形成第二晶体管。通过本申请，可以降低制备堆叠晶体管的过程中产生的热预算。