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公开(公告)号：CN113437189A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110596386.7
申请日：2021-05-30
Abstract: 本发明涉及一种可寻址纳米LED发光显示阵列结构及其制备方法，该结构包括纳米LED发光像元阵列以及像元与像元独立部分之间的隔离区域，所述纳米LED发光像元包括纳米LED发光像元阵列共用的衬底、n型半导体层和公共n接触电极，以及各个纳米LED发光像元独立的多量子阱、p型半导体层和p接触电极，所述多量子阱、p型半导体层和p接触电极自下而上依次层叠在n型半导体层上，所述公共n接触电极从n型半导体层引出，所述像元与像元独立部分之间的隔离区域包括为使其不能发光而被破坏的多量子阱结构，以及具有高电阻率的p型半导体层。该结构及其制备方法简化了制备工艺流程，可以减少刻蚀工艺中可能会产生的边缘效应和尺寸效应。
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公开(公告)号：CN111724699B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010536411.8
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种NLED像素设置及修复方法。每个发光像素单元包括n个NLED芯片，每个像素单元包括至少m个NLED发光体；所述NLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和备用区域，通过Au‑In键合、非Au‑In互连或Au‑In键合和非Au‑In互连的复合方式将所述NLED芯片电极的互连区域与驱动背板像素电极的互连区域相连后，采用实时监测电极区域进行检测，在相应不良区域通过原位非Au‑In连接方式将NLED芯片电极备用区域连接到驱动背板电极的对应备用区域上以进行修复，不必去除键合和连接不可靠的NLED芯片。本发明有效地降低了LED器件的制作周期和制作成本，并且大大提高了LED显示器件的良品率。
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公开(公告)号：CN112904621A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110108677.7
申请日：2021-01-27
IPC: G02F1/1337
Abstract: 本发明涉及一种液晶显示三畴配向层的光配向光路系统。包括：光源模组，用于提供入射方向不同的三组三畴配向光源；掩膜版模组，掩膜版模组包括掩膜版，掩膜版包括透光区、非透光区；装载平台，用于装载待配向基板；待配向基板包括三组不同配向角的配向区；配向角与三畴配向光源的入射方向相对应；掩膜版设置于装载平台与光源模组之间，且掩膜版的透光区在待配向基板的投影位于同一个显示像素中间的配向区；其中，在维持掩膜版与待配向基板相对位置保持不变的情况下，光源模组提供的三组三畴配向光源在同一时间透过掩膜版的透光区且投射到不同组别的配向区。本发明可以解决在三畴光配向过程中掩膜版的对位误差问题以及减少曝光次数增加产能。
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公开(公告)号：CN112817213A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110106957.4
申请日：2021-01-27
IPC: G03F7/20 , G09F9/33 , G09F9/302 , H01L21/67 , H01L25/00 , H01L25/16 , H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/56
Abstract: 本发明提出一种基于RGBW的Micro‑LED制备系统，包括显影机、刻蚀机、光源模组，还包括在光源模组发光方向上顺序设置的掩膜版和覆有光刻胶的阵列基板；光源模组包括四组光源，每组光源对应显示像素内的一个子像素结构，掩膜版包括多个透光区，每个透光区的中心在阵列基板上的投影均位于与该透光区相对应的子像素结构的中心；当对光刻胶曝光时，四组光源同时透过掩膜版透光区对子像素结构处的光刻胶进行曝光，各组光源的曝光光照强度、曝光光照时长根据与该光源对应的子像素结构需填充的量子点胶体体积决定；显影机、刻蚀机对曝光后的阵列基板进行后续加工以使储液槽成型；本发明可解决由于对量子点的封胶厚度不同导致子像素发光亮度不均衡的问题。
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公开(公告)号：CN111146367B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202010062209.6
申请日：2020-01-20
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种微纳复合结构光提取膜的制备方法，包括步骤：步骤S1：采用软印刷方法制备具有有序微米结构的PDMS模板；步骤S2：将有序微米结构的PDMS模板进行拉伸，并进行等离子处理，在微米结构的PDMS模板上获得不同形状和尺寸的纳米图案，形成具有与所需微纳米复合结构相反的PDMS微纳米复合图案；步骤S3：将PDMS微纳米复合图案转移到所需聚合物上，得到光提取膜。本发明制作效率高，成本低，同时制备的光提取膜在有序微米结构图案嵌套无序纳米结构，可以避免器件衬底与空气界面的光损失，在不改变OLED器件的视角特性的同时，具有较强的光提取效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111145636B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202010070300.2
申请日：2020-01-21
Applicant: 福州大学
IPC: G09F3/02
Abstract: 本发明涉及一种双重防伪标识及其制备和识别方法，所述双重防伪标识为宏观上透明隐藏的初级图案标识，通过紫外光照观察识别，微观上该图案标识由微观点阵组成，且每个微观点阵包含随机褶皱子图案作为高级图案标识，采用带有高倍放大镜头的手机获取图像进行人工智能识别；高级防伪图案标识采用高温下无机材料填充引起高热膨胀系数聚合物应力重新分配产生随机褶皱图案制备而成，该双重防伪标识可通过软印刷进行复制，提高制作效率，降低成本，同时可采用具有不同折射率材料进行填平，保证防伪标识不可被重复制作或者复制，增加防伪性能。
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公开(公告)号：CN109545154B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910076098.1
申请日：2019-01-26
Applicant: 福州大学
IPC: G09G3/34
Abstract: 本发明涉及一种保持电润湿电子纸直流平衡的驱动方法。根据所需显示画面的显示状态产生控制信号，并根据控制信号查询驱动波形表，查询所需显示画面的显示状态对应的驱动波形信息，并传递给时序控制器，时序控制器调制后传递给驱动芯片和公共电极，以控制驱动芯片向电润湿电子纸显示屏的驱动电极发送图像数据和选通数据，实现画面的显示；在子帧的驱动方式下，对每一子帧进行切分成子子帧，在每一子子帧内，根据所需显示面画的显示状态/灰阶，调整驱动电极和公共电极的极性翻转，在保证施加在像素电极上的电压差不变，即灰度不变的情况下，使施加正电压的总时间等于施加负电压的总时间，从而保持电润湿电子纸的直流平衡。
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公开(公告)号：CN107767354B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201711298831.1
申请日：2017-12-08
Applicant: 福州大学
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明公开了一种基于暗原色先验的图像去雾方法，其包括以下步骤：步骤1：求出有雾降质图像的暗原色图；步骤2：由暗原色图求出图像的粗略透射率；步骤3：采用改进的基于颜色衰减先验的容差机制透射率调整算法对天空等明亮区域透射率进行放大修正，得到修正后的透射率。步骤4：采用引导滤波细化透射率；步骤5：结合晕光算子和暗原色图像获取大气光值；步骤6：利用大气散射模型得到复原图像J。本发明设计的去雾算法能够有效地解决传统去雾算法存在的复原图像中天空等明亮区域产生色偏的问题，同时解决传统大气光值求取方法易受白色物体干扰的问题，提高图像质量。
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公开(公告)号：CN111145636A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010070300.2
申请日：2020-01-21
Applicant: 福州大学
IPC: G09F3/02
Abstract: 本发明涉及一种双重防伪标识及其制备和识别方法，所述双重防伪标识为宏观上透明隐藏的初级图案标识，通过紫外光照观察识别，微观上该图案标识由微观点阵组成，且每个微观点阵包含随机褶皱子图案作为高级图案标识，采用带有高倍放大镜头的手机获取图像进行人工智能识别；高级防伪图案标识采用高温下无机材料填充引起高热膨胀系数聚合物应力重新分配产生随机褶皱图案制备而成，该双重防伪标识可通过软印刷进行复制，提高制作效率，降低成本，同时可采用具有不同折射率材料进行填平，保证防伪标识不可被重复制作或者复制，增加防伪性能。
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公开(公告)号：CN108231011B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201810043141.X
申请日：2018-01-17
Applicant: 福州大学
IPC: G09G3/34
Abstract: 本发明提供一种量子点电润湿显示装置，其特征在于：包括显示屏和亮度调节控制装置；所述显示屏包括多个电润湿显示单元和多个量子点发光单元；所述多个量子点发光单元连接所述亮度调节控制装置；所述亮度调节控制装置包括光采集器和控制模块，根据显示屏正面环境光照强度反向调节所述多个电致发光量子点的亮度，以补偿所述多个电润湿显示单元显示需求的光照度。本发明可以精确到每一个显示单元能根据环境光亮度自动补偿调节电湿润显示屏接受到的光照度，该种装置的调节精度高、均匀性好，能够使电湿润显示屏无论出于何种光照度情况下的环境中，都能够整体保持稳定的显示效果。
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