公开(公告)号：CN102640314B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201080055227.6

申请日：2010-12-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 刘小虎 ,  D.纽恩斯 ,  L.克鲁辛-伊-鲍姆 ,  G.J.马丁纳 ,  B.G.埃尔姆格林 ,  陈冠能

IPC: H01L41/08

CPC classification number: H01L49/00 ,  H01C10/103

Abstract: 用于将压电材料产生的应力耦合到集成电路的致动器件的耦合结构包括：形成在压电(PE)材料和所述致动器件周围的刚硬的刚性体结构，所述致动器件包括具有取决于施加至其上的压力的电阻的压阻(PR)材料；和形成在PE材料和PR材料周围的软的缓冲结构，所述缓冲结构设置在所述PE及PR材料与所述刚性体结构之间，其中对于所述PE和PR材料形成于其上的基底，所述刚性体结构夹住所述PE和PR材料两者，且其中所述软的缓冲结构允许所述PE材料相对于所述PR材料运动的自由，由此将由向所述PE材料施加的电压产生的应力耦合到所述PR材料以改变所述PR材料的电阻。

公开(公告)号：CN102197434A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201080003079.3

申请日：2010-08-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 友谷裕司 ,  岛川一彦 ,  河合贤

IPC: G11C13/00 ,  H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/0064 ,  G11C2013/0066 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/82 ,  H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

Abstract: 提供一种减小电阻变化元件的低电阻状态的电阻值的偏差、进行稳定的动作的电阻变化型非易失性存储装置。该电阻变化型非易失性存储装置具备对存储单元(102)施加电压、以使包含在该存储单元(102)中的电阻变化元件(100)等从高电阻状态转变为低电阻状态的LR写入电路(500)；LR写入电路(500)具有对存储单元(102)施加电压的、输出端子相互连接的第1驱动电路(510)及第2驱动电路(520)；第1驱动电路(510)在对存储单元(102)施加电压时输出第1电流，第2驱动电路(520)在对存储单元(102)施加电压时，在第1驱动电路(510)的输出端子处的电压比预先确定的基准电压VREF高的情况下输出第2电流，在输出端子处的电压比基准电压VREF低的情况下为高阻抗状态。

公开(公告)号：CN106104831A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580014108.9

申请日：2015-03-06

Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构

Inventor： 菅原聪 ,  周藤悠介 ,  黑泽实 ,  舟洼浩 ,  山本修一郎

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/15 ,  G11C13/00 ,  H03K3/356

CPC classification number: H01L49/00 ,  G11C11/16 ,  G11C14/0081 ,  G11C14/009 ,  H01L27/226 ,  H01L27/2436 ,  H03K3/356

Abstract: 一种晶体管，具备：压电电阻体(10)，其传导载流子；源极(14)，其将所述载流子注入所述压电电阻体；漏极(16)，其从所述压电电阻体接受所述载流子；压电体(12)，其以包围所述压电电阻体的方式进行设置，对所述压电电阻体施加压力；以及栅极(18)，其对所述压电体施加电压，以使所述压电体对所述压电电阻体施加压力。

公开(公告)号：CN104025329A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201180074544.7

申请日：2011-10-30

Applicant: 株式会社日本精密 ,  刮拉技术有限公司

Inventor： 工藤拓夫 ,  中泽明 ,  寺门信明

IPC: H01L49/00

CPC classification number: H01M14/005 ,  H01L31/022425 ,  H01L49/00 ,  H01M10/00 ,  H01M10/02 ,  H01M14/00 ,  H02J7/324

Abstract: 本发明提供一种防止通过使n型金属氧化物半导体进行光激发结构变化而充电且能够低成本化及进行稳定动作的量子电池的电极的氧化，并防止历经长期经年变化而能够反复充放电的量子电池。能够反复使用的量子电池，是将具有抗氧化功能的第1金属电极12、通过使被绝缘性物质覆盖了的n型金属氧化物半导体进行光激发结构变化从而在带隙中形成能级而捕获电子的充电层14、p型金属氧化物半导体层16、以及具有抗氧化功能的第2金属电极18进行层叠而构成，电极具备抗氧化功能。金属电极12及18是为了保持抗氧化功能而由具有钝态特性的金属所构成的钝态金属层。

公开(公告)号：CN103794494A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310524587.1

申请日：2013-10-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 曹庆 ,  李正文 ,  刘菲 ,  章贞

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L49/00 ,  B82Y10/00 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00166 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明涉及制造机电晶体管的方法。提供了使用Janus微/纳米部件的机电晶体管及其制造方法。在一个方面，一种制造机电晶体管的方法包括以下步骤。提供晶片。在所述晶片的表面上形成彼此相对的源极电极和漏极电极，其中在所述源极电极和所述漏极电极之间存在间隙。在所述晶片的所述表面上在所述源极电极和所述漏极电极之间的所述间隙的相对侧上形成第一栅极电极和第二栅极电极。将至少一个Janus部件设置在所述源极电极和所述漏极电极之间的所述间隙中，其中所述Janus部件包括具有导电材料的第一部分和具有电绝缘材料的第二部分。

公开(公告)号：CN103373072A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310152570.8

申请日：2013-04-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 小宫山裕登 ,  伊部智 ,  山室纯 ,  长谷川宏治 ,  朱雀史朗 ,  田川义则

IPC: B41J2/16

CPC classification number: H01L49/00 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1634 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1645

Abstract: 一种液体喷出头的制造方法，其包括：在基板的一个表面上形成第一保护层；在基板的另一表面上形成配线层；在配线层上形成绝缘层，接着将绝缘层部分地去除以使配线层部分地露出；在配线层的露出部分上形成电极焊盘；在基板的另一表面上形成流路构件；在流路构件的形成之后，在基板的一个表面上形成第二保护层；并且将第一保护层和第二保护层中的至少一方部分地去除，接着形成从基板的一个表面通向基板的另一表面的供给口。

公开(公告)号：CN1381073A

公开(公告)日：2002-11-20

申请号：CN01801360.0

申请日：2001-05-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 宇贺神隆一

IPC: H01L49/00

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F1/0036 ,  H01F41/30 ,  H01L49/00

Abstract: 提供具有多个分部维数不同的区域的分部结构及其制造方法,该分部维数具有自相似性的特征。具体地,在星形分部结构中,围绕高分部维数的核芯形成低分部维数的区域。通过调整这些区域的体积与分部结构总体积之比,控制在分部结构中发生的相变的性质,如Mott转变或铁磁相变的磁化曲线、电子状态中的量子浑沌等。为了增强控制能力,核芯的分部维数优选大于2.7,围绕核芯的区域的分部维数优选小于2.3。

公开(公告)号：CN108496251A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201780007514.1

申请日：2017-01-20

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  国立大学法人鸟取大学

Inventor： 上代洋 ,  永井徹 ,  木下健太郎

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/28 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L27/28 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L51/05

Abstract: 一种微小开关，其特征在于，其由第1电极、第2电极及多孔性高分子金属络合物导电体构成，上述多孔性高分子金属络合物导电体以下述式(1)表示，构成上述第1电极的金属与构成上述第2电极的金属的氧化还原电位不同。[MLx]n(D)y(1)，其中，M表示选自元素周期表的2～13族中的金属离子，L表示在其结构内含有2个以上的可与上述M配位的官能团且可与2个上述M交联的配体，D表示不包含金属元素的导电性助剂。x为0.5～4，y相对于1个x为0.0001～20。n表示由[MLx]构成的结构单元的重复数，n为5以上。

公开(公告)号：CN108370250A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680068300.0

申请日：2016-09-16

Applicant: 索尼公司

Inventor： 神田泰夫 ,  横山孝司

IPC: H03K19/003 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8244 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/04 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H03K19/0948 ,  H03K19/177

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C14/0081 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/2436 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H03K19/003 ,  H03K19/00315 ,  H03K19/00392 ,  H03K19/0948 ,  H03K19/177

Abstract: 本技术涉及能够提高成品率的半导体装置。本发明的易失性存储电路具有存储节点，并且存储输入的信息。多个非易失性元件通过相同的连接门连接到易失性存储电路的存储节点，并且用于控制非易失性元件的控制线分别连接到非易失性元件。这样，非易失性元件通过相同的连接门连接到易失性逻辑电路，从而提高成品率。本技术可适用于半导体装置。

公开(公告)号：CN108028317A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680052124.1

申请日：2016-08-03

Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司

Inventor： 斋藤友和 ,  佐藤祐树

IPC: H01L49/00 ,  H01M2/20 ,  H01M10/04

CPC classification number: H01L49/00 ,  H01M2/20 ,  H01M10/04 ,  Y02E10/549

Abstract: 本实施方式所涉及的二次电池的制造方法是具有并联连接的多个单位电池(21)的二次电池的制造方法，该制造方法具有：准备具有第一电极层(1)、金属氧化物半导体层(2)、充电层(3)以及第二电极层(5)层叠而成的结构的片状的单位电池(21)的工序；将层叠的多个单位电池(21)并联连接，来形成电池片(30)的工序；测定电池片(30)的容量的工序；以及在容量小于标准值的情况下，将调整容量用的单位电池(21a)与电池片(30)并联连接的工序。