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公开(公告)号：CN103717376A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201280027116.3
申请日：2012-05-24
Applicant: SCIVAX股份有限公司
IPC: B29C59/02 , G11B5/84 , H01L21/027
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 本发明提供一种能够切实地除去模具与被成型物之间的气体的压印装置以及压印方法。用于将模具（100）的成型图案转印到被成型物（200）的压印装置包括：加压部（5），其具有用于利用流体对模具（100）与被成型物（200）加压的加压室（51）；载物台（2），其支撑受到加压部（5）的压力的模具（100）以及被成型物（200）；加压机构（6），其用于调节加压室（51）内的流体的压力；减压部（9），其具有用于对模具（100）与被成型物（200）的周围环境进行减压的减压室（91）；以及分离机构（7），其用于在减压室91内将模具（100）与被成型物（200）分离。
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公开(公告)号：CN101913554B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN200911000142.3
申请日：2009-11-19
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/84 , B05D1/322 , B05D3/00 , B05D3/06 , B05D5/00 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y10/00 , G03F7/0002 , G11B5/59633 , G11B5/743 , G11B5/746 , G11B5/82 , G11B5/855 , Y10T428/24802
Abstract: 一种方法包括：提供具有多个化学反差对准部件的衬底，以及在该衬底的至少一部分上沉积自组装材料，其中该自组装材料的大致球状或圆柱状域的位置和/或取向由该对准部件指引，以形成纳米结构图案，而且其中该对准部件的周期在该球状或圆柱状域的周期的约2倍至约10倍之间。还提供了根据该方法制造的装置。
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公开(公告)号：CN103219014A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310024847.9
申请日：2013-01-18
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/84 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , G11B5/855 , H01L21/31116 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048
Abstract: 一种磁记录介质的制造方法，其包括：在非磁性基板（1）上形成磁性层（2）的工序；在磁性层（2）上形成掩模层（3）的工序；在掩模层（3）上形成被图案化为规定的形状的抗蚀剂层（4）的工序；使用抗蚀剂层（4），将掩模层（3）图案化为与该抗蚀剂层（4）对应的形状的工序；使用被图案化了的掩模层（3），将磁性层（2）图案化为与该掩模层（3）对应的形状的工序；和通过反应性等离子体蚀刻除去残存于磁性层（2）上的掩模层（3）的工序，反应性等离子体蚀刻在含有有机化合物的气氛中进行，所述有机化合物具有选自羟基、羰基、羟基羰基、烷氧基、醚基之中的至少一种或多种官能团。
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公开(公告)号：CN103180903A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180051627.4
申请日：2011-09-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: G11B5/855
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 本发明揭示一种用于制造位元图案化媒体的技术。在一个特定示范性实施例中，所述技术可实现为一种用于制造位元图案化媒体的方法。所述方法可包括：形成中间层，所述中间层包括彼此邻近的改质区和第一区，其中所述改质区和所述第一区可具有至少一种不同的性质；在所述中间层的所述第一区上沉积磁性物质以形成有源区；以及在所述中间层的所述改质区上沉积非铁磁物质以形成分离体。
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公开(公告)号：CN101159139B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200710136235.3
申请日：2007-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质以及制造该磁记录介质的方法。该磁记录介质包括：基底；软磁下层，形成在基底上；纹理层，形成在软磁下层上，并包括均匀的图案；记录层，包括磁性颗粒和将磁性颗粒隔离的非磁边界区域。记录层的磁性颗粒和非磁边界区域根据纹理层的规则的图案通过分离形成规则的粒状结构。因此，可在记录层上形成规则的粒状结构，而不需要例如对记录层进行蚀刻的工艺，从而可显著地提高磁记录介质的记录密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102915747A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210397232.6
申请日：2009-02-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 史蒂文·维哈维伯克 , 马耶德·A·福阿德 , 尼蒂·M·克里希纳 , 奥姆卡拉姆·诺拉马苏 , 马哈林加姆·文卡特桑 , 卡迈什·吉里德哈
CPC classification number: G11B5/855 , G11C11/161 , H01L27/222
Abstract: 一种用于在基板上磁性薄膜中限定多个磁畴的方法，包含下列步骤：将该磁性薄膜涂覆以抗蚀剂；图案化该抗蚀剂，其中该磁性薄膜的多个区域实质未被覆盖住；以及将该磁性薄膜暴露于等离子体，其中等离子体离子穿透该磁性薄膜的该些实质未覆盖的区域，使得该些实质未覆盖的区域变为非磁性。一种用于此工艺的工具，包含：真空腔室，该真空腔室维持在接地电势；气体入口阀件，配置以将受控的气体量引入腔室；磁盘承载装置，配置以(1)设置在该腔室内、(2)固持多个磁盘，使该些磁盘相隔，其中各磁盘的两侧面皆暴露出、及(3)电接触于该些磁盘；以及射频信号产生器，该射频信号产生器电气耦接到该磁盘承载装置与该腔室，由此可以在该腔室中点燃等离子体，并且该些磁盘在两侧面上皆均匀地暴露于等离子体离子。此工艺可以用来制造存储器件，包括磁阻式随机存取存储器件。
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公开(公告)号：CN101946282B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200980104827.4
申请日：2009-02-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 史蒂文·维哈维伯克 , 马耶德·A·福阿德 , 尼蒂·M·克里希纳 , 奥姆卡拉姆·诺拉马苏 , 马哈林加姆·文卡特桑 , 卡迈什·吉里德哈
IPC: G11B5/84 , G11B5/39 , G11C11/15 , H01L27/105
CPC classification number: G11B5/855 , G11C11/161 , H01L27/222
Abstract: 一种用于在基板上磁性薄膜中限定多个磁畴的方法，包含下列步骤：将该磁性薄膜涂覆以抗蚀剂；图案化该抗蚀剂，其中该磁性薄膜的多个区域实质未被覆盖住；以及将该磁性薄膜暴露于等离子体，其中等离子体离子穿透该磁性薄膜的该些实质未覆盖的区域，使得该些实质未覆盖的区域变为非磁性。一种用于此工艺的工具，包含：真空腔室，该真空腔室维持在接地电势；气体入口阀件，配置以将受控的气体量引入腔室；磁盘承载装置，配置以(1)设置在该腔室内、(2)固持多个磁盘，使该些磁盘相隔，其中各磁盘的两侧面皆暴露出、及(3)电接触于该些磁盘；以及射频信号产生器，该射频信号产生器电气耦接到该磁盘承载装置与该腔室，由此可以在该腔室中点燃等离子体，并且该些磁盘在两侧面上皆均匀地暴露于等离子体离子。此工艺可以用来制造存储器件，包括磁阻式随机存取存储器件。
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公开(公告)号：CN101883797B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN200880117412.6
申请日：2008-11-11
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C08F30/08 , B29C59/02 , C08G59/20 , C08G77/38 , C08L83/06 , C08L83/07 , G11B5/65 , G11B5/84 , G11B5/855 , H01L21/027
CPC classification number: B29D17/00 , C08F220/40 , C08G77/045 , C08G77/14 , C08G77/38 , G11B5/855
Abstract: 本发明的目的在于提供一种转印材料用固化性组合物，其适合用于可以高生产量形成微细图案的工艺即紫外纳米压印法，有时还适合用于热纳米压印法，并且可以形成氟类气和氧气的蚀刻速度选择性高的微细图案。本发明的转印材料用固化性组合物，其特征在于，含有在同一分子内具有特定倍半硅氧烷骨架和固化性官能团的含倍半硅氧烷骨架的化合物。
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公开(公告)号：CN102682790A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210070782.7
申请日：2012-03-16
Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司
IPC: G11B5/82
CPC classification number: G11B5/746 , G11B5/7325 , G11B5/855
Abstract: 本发明涉及图案化垂直磁记录介质和磁记录盘、以及磁记录盘驱动器。该图案化垂直磁记录盘具有Co合金记录层，该Co合金记录层被图案化成离散的数据岛，该岛布置成同心道，该磁记录盘呈现窄的翻转场分布(SFD)。该盘包括：衬底；在该衬底上的NiTa合金平坦化层；在该平坦化层上的非磁含Ru衬层；钨氧化物Co合金磁记录层；以及在该含Ru层和该Co合金磁记录层之间的超薄氧化物膜。该氧化物膜可以是选自Ta氧化物、Co氧化物和Ti氧化物的氧化物，且是超薄的从而其可视为不连续膜。该平坦化层和超薄氧化物膜改善了Co合金记录层的生长均质性，从而具有数据岛的图案化盘表现出显著减小的SFD。
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