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公开(公告)号：CN102915747B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201210397232.6
申请日：2009-02-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 史蒂文·维哈维伯克 , 马耶德·A·福阿德 , 尼蒂·M·克里希纳 , 奥姆卡拉姆·诺拉马苏 , 马哈林加姆·文卡特桑 , 卡迈什·吉里德哈
CPC classification number: G11B5/855 , G11C11/161 , H01L27/222
Abstract: 一种用于在基板上磁性薄膜中限定多个磁畴的方法，包含下列步骤：将该磁性薄膜涂覆以抗蚀剂；图案化该抗蚀剂，其中该磁性薄膜的多个区域实质未被覆盖住；以及将该磁性薄膜暴露于等离子体，其中等离子体离子穿透该磁性薄膜的该些实质未覆盖的区域，使得该些实质未覆盖的区域变为非磁性。一种用于此工艺的工具，包含：真空腔室，该真空腔室维持在接地电势；气体入口阀件，配置以将受控的气体量引入腔室；磁盘承载装置，配置以(1)设置在该腔室内、(2)固持多个磁盘，使该些磁盘相隔，其中各磁盘的两侧面皆暴露出、及(3)电接触于该些磁盘；以及射频信号产生器，该射频信号产生器电气耦接到该磁盘承载装置与该腔室，由此可以在该腔室中点燃等离子体，并且该些磁盘在两侧面上皆均匀地暴露于等离子体离子。此工艺可以用来制造存储器件，包括磁阻式随机存取存储器件。
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公开(公告)号：CN102046832B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN200980120088.8
申请日：2009-04-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 斯蒂芬·班格特 , 乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波 , 迈克尔·柯尼格 , 尼蒂·M·克里希纳 , 秉-圣·利奥·郭
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C14/24 , H01M4/1395 , H01M4/382 , H01M6/40 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及经由蒸汽分配器(3)而对基板(4)进行镀膜的设备。此蒸汽分配器(3)经由入口(5)而与汽化坩埚(7)连接。在所述坩埚(7)与所述入口(5)之间设有至少一个阀门(13)。所述汽化坩埚(7)位于腔室(12)中，腔室(12)可经由真空阀门(11)来进行抽空或充气。
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公开(公告)号：CN102326260B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN200980157049.5
申请日：2009-12-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 考施·K·辛格 , 奥姆卡拉姆·诺拉马苏 , 尼蒂·M·克里希纳 , 迈克尔·斯努尔 , 阿什托西·缇瓦瑞
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L51/4226 , C25B1/003 , H01G9/2031 , Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种用于制造铜铁矿铜材料的方法，包括：一用于合成CuBO2粉末的低温溶胶-凝胶工艺；及一用于使用由所述CuBO2粉末制成的靶材形成CuBO2薄膜的脉冲激光沉积(PLD)工艺。所述CuBO2薄膜是光学透明的p型半导体氧化物薄膜。具有CuBO2薄膜的器件包括：包含CuBO2薄膜作为一通道层的p型透明薄膜晶体管(TTFT)；及具有CuBO2p层的薄膜太阳能电池。本文也描述固态染料敏化太阳能电池(SS-DSSC)及制造方法，该太阳能电池包含呈各种形式的CuBO2，所述形式包括“核心-壳”及“纳米耦合”粒子。
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公开(公告)号：CN102326260A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200980157049.5
申请日：2009-12-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 考施·K·辛格 , 奥姆卡拉姆·诺拉马苏 , 尼蒂·M·克里希纳 , 迈克尔·斯努尔 , 阿什托西·缇瓦瑞
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L51/4226 , C25B1/003 , H01G9/2031 , Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种用于制造铜铁矿铜材料的方法，包括：一用于合成CuBO2粉末的低温溶胶-凝胶工艺；及一用于使用由所述CuBO2粉末制成的靶材形成CuBO2薄膜的脉冲激光沉积(PLD)工艺。所述CuBO2薄膜是光学透明的p型半导体氧化物薄膜。具有CuBO2薄膜的器件包括：包含CuBO2薄膜作为一通道层的p型透明薄膜晶体管(TTFT)；及具有CuBO2p层的薄膜太阳能电池。本文也描述固态染料敏化太阳能电池(SS-DSSC)及制造方法，该太阳能电池包含呈各种形式的CuBO2，所述形式包括“核心-壳”及“纳米耦合”粒子。
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公开(公告)号：CN102915747A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210397232.6
申请日：2009-02-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 史蒂文·维哈维伯克 , 马耶德·A·福阿德 , 尼蒂·M·克里希纳 , 奥姆卡拉姆·诺拉马苏 , 马哈林加姆·文卡特桑 , 卡迈什·吉里德哈
CPC classification number: G11B5/855 , G11C11/161 , H01L27/222
Abstract: 一种用于在基板上磁性薄膜中限定多个磁畴的方法，包含下列步骤：将该磁性薄膜涂覆以抗蚀剂；图案化该抗蚀剂，其中该磁性薄膜的多个区域实质未被覆盖住；以及将该磁性薄膜暴露于等离子体，其中等离子体离子穿透该磁性薄膜的该些实质未覆盖的区域，使得该些实质未覆盖的区域变为非磁性。一种用于此工艺的工具，包含：真空腔室，该真空腔室维持在接地电势；气体入口阀件，配置以将受控的气体量引入腔室；磁盘承载装置，配置以(1)设置在该腔室内、(2)固持多个磁盘，使该些磁盘相隔，其中各磁盘的两侧面皆暴露出、及(3)电接触于该些磁盘；以及射频信号产生器，该射频信号产生器电气耦接到该磁盘承载装置与该腔室，由此可以在该腔室中点燃等离子体，并且该些磁盘在两侧面上皆均匀地暴露于等离子体离子。此工艺可以用来制造存储器件，包括磁阻式随机存取存储器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101946282B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200980104827.4
申请日：2009-02-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 史蒂文·维哈维伯克 , 马耶德·A·福阿德 , 尼蒂·M·克里希纳 , 奥姆卡拉姆·诺拉马苏 , 马哈林加姆·文卡特桑 , 卡迈什·吉里德哈
IPC: G11B5/84 , G11B5/39 , G11C11/15 , H01L27/105
CPC classification number: G11B5/855 , G11C11/161 , H01L27/222
Abstract: 一种用于在基板上磁性薄膜中限定多个磁畴的方法，包含下列步骤：将该磁性薄膜涂覆以抗蚀剂；图案化该抗蚀剂，其中该磁性薄膜的多个区域实质未被覆盖住；以及将该磁性薄膜暴露于等离子体，其中等离子体离子穿透该磁性薄膜的该些实质未覆盖的区域，使得该些实质未覆盖的区域变为非磁性。一种用于此工艺的工具，包含：真空腔室，该真空腔室维持在接地电势；气体入口阀件，配置以将受控的气体量引入腔室；磁盘承载装置，配置以(1)设置在该腔室内、(2)固持多个磁盘，使该些磁盘相隔，其中各磁盘的两侧面皆暴露出、及(3)电接触于该些磁盘；以及射频信号产生器，该射频信号产生器电气耦接到该磁盘承载装置与该腔室，由此可以在该腔室中点燃等离子体，并且该些磁盘在两侧面上皆均匀地暴露于等离子体离子。此工艺可以用来制造存储器件，包括磁阻式随机存取存储器件。
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公开(公告)号：CN102414900A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019026.0
申请日：2010-04-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 秉-圣·利奥·郭 , 尼蒂·M·克里希纳 , 奥姆卡拉姆·诺拉马苏 , 考施·K·辛格 , 史蒂文·维哈维伯克
CPC classification number: H01M10/0436 , H01G9/0029 , H01G9/012 , H01G9/15 , H01M10/052 , H01M10/0585 , Y02E60/13 , Y10T29/49115
Abstract: 描述了一种容易制造、高功率、高能量、大面积的能量存储器件。所述能量存储器件使用与大面积处理工具兼容的工艺，所述大面积处理工具诸如为大面积涂覆系统和与柔性薄膜基板兼容的线性处理系统。所述能量存储器件可包括电池、超电容和超级电容。一种能量存储器件包括形成在单个基板上的多个薄膜电池，所述多个电池串联电连接，多个电池中的每一个都包括：在基板表面上的集电极；在集电极上的第一电极；在第一电极上方的第二电极；和在第一电极和第二电极之间的电解质层。而且，一种能量存储器件可包括形成在单个基板上的多个薄膜电池，所述多个电池电连接成网络，所述网络包括多个电池中单个电池之间的并联和串联电连接。
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公开(公告)号：CN102576898B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201080045805.8
申请日：2010-09-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01M10/04 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/139 , H01M4/0421 , H01M4/13 , H01M4/62 , H01M6/40 , H01M10/0404 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/0585
Abstract: 本发明叙述一种降低复杂度的薄膜电池方法。在此还叙述适用于支援降低复杂度的薄膜电池方法的处理设备配置。在此还描述支援降低复杂度的薄膜电池方法的群组工具(cluster tool)。
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公开(公告)号：CN102057323B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200980121020.1
申请日：2009-05-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: G02F1/15
CPC classification number: G02F1/1533 , G02F1/1523 , G02F1/155 , G02F2001/1536
Abstract: 本发明构思在电色装置制造中利用激光图案化/切割，激光图案化/切割用于制造工艺期间的任何地方且视为电色装置可制造性、产率、功能性的适当必要手段，同时整合所述激光切割以确保保护所述装置的有源层，进而保证长期可靠性。设想采用激光直接移除(剥离)部件层材料而图案化电色装置的部件层。本发明包括制造电色装置的方法，所述方法包含一或多个聚焦激光图案化步骤。为最少化激光剥离材料再沉积和微粒形成在装置表面，可采用若干方法：(1)可在装置材料的所述激光剥离附近用真空抽吸及/或惰性气体喷射移除所述聚焦激光图案化产生的剥离材料；(2)在空间上隔开各层边缘及在沉积上层之前图案化下层；及(3)所述激光图案化步骤由直接聚焦在所述沉积层上方的激光束、导引穿过透明基板的激光束或二者的组合来进行。
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公开(公告)号：CN102046833B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200980120576.9
申请日：2009-04-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 斯蒂芬·班格特 , 乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波 , 迈克尔·柯尼格 , 尼蒂·M·克里希纳 , 秉-圣·利奥·郭
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 本发明涉及一种清洁方法，所述方法用于将碱金属或碱土金属残余物从向基板(2)上镀碱金属或碱土金属的镀膜设备(1)的真空镀膜室(3)中移除。为达此目的，将选自由N2、O2、或空气所组成的组的气体引入至所述腔室(3)中，所述气体与所述碱金属或碱土金属反应形成相对应的固体化合物。可另外将水引入到所述真空镀膜室(3)中。在所述碱金属或碱土金属与所述气体反应之后，将所产生的相对应的固体化合物从所述真空镀膜室中移除。
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