公开(公告)号：CN107390474A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710431031.6

申请日：2017-06-09

Applicant: 宁波信泰机械有限公司

Inventor： 石丽娜

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  B21D31/00

CPC classification number: G03F7/20 ,  B21D31/00 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明涉及一种车用门槛饰条的制备工艺，尤其涉及一种铝门槛饰条的制备工艺，属于汽车配件制备技术领域。所述制备工艺包括以下步骤：坯料预处理和打印菲林；将打印后的菲林固定于预处理后的坯料上，进行曝光和显影去油墨；将显影去油墨后的坯料进行机械蚀刻拉丝和去油墨；将机械蚀刻拉丝和去油墨后的坯料经过冲压成型制成铝门槛饰条。本发明采用蚀刻工艺与冲压成型工艺相结合，先通过蚀刻在坯件上形成所需的图形或文字，然后通过冲压把所需要的图案或文字成型，使成型后的图案或文字在面上及深度或高度方向圆润过渡，即带工艺“R”，且无过渡缺陷、精度高。

公开(公告)号：CN107290929A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201710191261.X

申请日：2017-03-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 涂志强 ,  陈俊郎

IPC: G03F1/76

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/54 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F1/76

Abstract: 在一些实施例中，图案化的光刻胶具有多个屏蔽层。在一些实施例中，描述了用于掩模图案化的光掩模。光掩模包括位于透明层上方的相移层。光掩模还包括位于相移层上方的第一屏蔽层。第一屏蔽层具有第一厚度和第一光密度。光掩模还包括位于第一屏蔽层上方的第二屏蔽层。第二屏蔽层具有第二厚度和第二光密度。第二厚度小于第一薄度，并且第二光密度小于第一光密度。本发明实施例涉及具有多个屏蔽层的光掩模。

公开(公告)号：CN106954346A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201611207609.1

申请日：2016-12-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 杉本悠 ,  田边浩之

IPC: H05K3/06

CPC classification number: H05K3/064 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H05K1/056 ,  H05K3/108 ,  H05K3/44 ,  H05K3/4661 ,  H05K2203/0562 ,  H05K3/06 ,  H05K2201/09045 ,  H05K2203/0551

Abstract: 本发明提供一种配线电路基板的制造方法，其是具有绝缘层和设置在绝缘层之上的导体图案的配线电路基板的制造方法。包括如下工序：设置绝缘层的第1工序；在绝缘层的倾斜面之上设置金属薄膜的第2工序；在金属薄膜之上设置光致抗蚀剂的第3工序；以光致抗蚀剂中的应该设置导体图案的部分被遮光的方式配置光掩模、隔着光掩模对光致抗蚀剂进行曝光的第4工序；将光致抗蚀剂的被光掩模遮光的部分去除而使金属薄膜的与所述部分相对应的部分暴露的第5工序；在金属薄膜的从光致抗蚀剂暴露的部分之上设置导体图案的第6工序。在对光致抗蚀剂进行曝光时，减少由金属薄膜的位于倾斜面之上的部分反射而朝向所述部分的光。

公开(公告)号：CN105517648B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201480003728.8

申请日：2014-12-10

Applicant: 互应化学工业株式会社

Inventor： 酒井善夫 ,  滨田亘人 ,  樋口伦也 ,  三宅得山

IPC: G03F7/027

CPC classification number: G03F7/031 ,  G03F7/0042 ,  G03F7/0043 ,  G03F7/029 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0385 ,  G03F7/0388 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2006 ,  G03F7/26 ,  G03F7/322 ,  H05K1/02 ,  H05K1/0274 ,  H05K1/0353 ,  H05K3/282 ,  H05K3/287 ,  H05K3/3452 ,  H05K2201/0166 ,  H05K2201/068

Abstract: 一种液体阻焊剂组合物，所述液体阻焊剂组合物含有含羧基树脂、含有选自由可光聚合单体和可光聚合预聚物组成的组中的至少一种化合物的可光聚合化合物、光聚合引发剂和二氧化钛。光聚合引发剂含有双酰基氧化膦系光聚合引发剂、在25℃为液体的第一α‑羟烷基苯酮系光聚合引发剂和在25℃为固体的第二α‑羟烷基苯酮系光聚合引发剂。

公开(公告)号：CN106814556A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201611076231.6

申请日：2016-11-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·巴巴扬 ,  D·A·小布齐伯格 ,  梁奇伟 ,  L·戈代 ,  S·D·耐马尼 ,  D·J·伍德洛夫 ,  R·哈里斯 ,  R·B·摩尔

IPC: G03F7/40

CPC classification number: G03F7/2035 ,  G03F7/168 ,  G03F7/26 ,  G03F7/38 ,  H01L21/68764 ,  G03F7/40

Abstract: 本文所述的实施方式涉及用于执行浸没场引导的曝光后烘烤工艺的方法和装置。本文所述的装置的实施方式包括腔室主体，所述腔室主体限定处理容积。基座可设置在所述处理容积内，并且第一电极可耦接到所述基座。可移动杆可延伸穿过所述腔室主体且与所述基座相对，并且第二电极可耦接到所述可移动杆。在某些实施方式中，流体容纳环可耦接到所述基座，并且电介质容纳环可耦接到所述第二电极。

公开(公告)号：CN106463355A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580022420.2

申请日：2015-05-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 谢鹏 ,  L·戈黛 ,  T·马 ,  J·C·欧尔森 ,  C·本彻

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/38 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/70

Abstract: 提供用于使在由光刻法形成线中的线边缘/宽度粗糙度最小化的方法和设备。在光刻工艺期间由光酸产生剂产生的随机的酸扩散对于线边缘/宽度粗糙度有所贡献。本文中公开的方法在光刻工艺期间施加电场和/或磁场。场的施加控制由光酸产生剂产生的酸沿线和间隔方向的扩散，从而防止源自随机扩散的线边缘/宽度粗糙度。本文中也公开了用于进行前述方法的设备。

公开(公告)号：CN106371295A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201510994042.6

申请日：2015-12-25

Applicant: 株式会社平间理化研究所

Inventor： 中川俊元

IPC: G03F7/26

CPC classification number: G03F7/26

Abstract: 提供一种显影液的管理方法及装置，能够实现可维持期望的显影性能且可维持期望的线宽及剩余膜厚的显影处理。显影液管理装置(D)具备控制单元(21)，该控制单元具备：数据存储部反复使用的呈碱性的显影液的溶解光致抗蚀剂浓度及吸收二氧化碳浓度作为指标的每个浓度区域已被预先确认会达到给定的显影性能的显影液的导电率值；和控制部(31)，将由显影液的溶解光致抗蚀剂浓度的测定值及吸收二氧化碳浓度的测定值确定的浓度区域的保存在数据存储部(23)中的导电率值设为控制目标值，向设置在输送补给到显影液中的补充液的流路上的控制阀(41～43)发送控制信号，使得显影液的导电率成为控制目标值。(23)，保存导电率数据，该导电率数据具有在确定

公开(公告)号：CN106133601A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580017751.7

申请日：2015-03-12

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 望月英宏 ,  高桥孝太郎 ,  土村智孝

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039

CPC classification number: G03F7/0397 ,  G03F1/22 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/70283

Abstract: 本发明的课题在于提供一种经时稳定性优异、且解析性也优异的感光化射线性或感放射线性树脂组合物的制造方法、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、感光化射线性或感放射线性膜、具备该膜的空白掩模、光掩模及图案形成方法、以及电子器件的制造方法及电子器件。本发明的感光化射线性或感放射线性树脂组合物的制造方法是关于含有树脂、酸产生剂、有机酸及溶剂的感光化射线性或感放射线性树脂组合物的制造方法，其特征在于包含选自下述工序(i)、工序(ii)及工序(iii)的任意工序，且所述感光化射线性或感放射线性树脂组合物中的有机酸的含有率是以该组合物中的所有固体成分为基准而言大于5质量％。(i)在实质上不含树脂及酸产生剂的溶液中溶解有机酸的工序，(ii)在含有酸产生剂、且实质上不含树脂的溶液中溶解有机酸的工序，及(iii)在含有树脂、且实质上不含酸产生剂的溶液中溶解有机酸的工序。

公开(公告)号：CN105552241A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610021323.8

申请日：2016-01-13

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 李延钊 ,  陈卓 ,  何月娣 ,  孙杰

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/0018 ,  G03F7/094 ,  G03F7/162 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/26 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L27/3211 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0079 ,  H01L51/0092 ,  H01L51/50 ,  H01L51/502 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L51/0032

Abstract: 提供一种可交联的量子点(QD)及其制备方法、一种利用该可交联的量子点(QD)制备的阵列基板及该阵列基板的制备方法。所述可交联量子点的表面具有可发生反应从而形成交联网络的基团对R1和R2，或者所述可交联量子点的表面具有可由交联剂交联从而形成交联网络的基团R3。

公开(公告)号：CN105527801A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201610125151.9

申请日：2016-03-04

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 郑奉官 ,  王伟杰 ,  曾庆慧

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L27/12

CPC classification number: G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明公开了一种膜层的图案化方法、基板及其制作方法、显示装置，用以在不需要购买新的掩膜板的情况下制作高解析度的基板，降低生产成本。膜层的图案化方法包括：在衬底基板上形成一层膜层，对膜层进行曝光；对曝光后的膜层进行显影，形成初步图案化的膜层；在显影过程中控制显影时长，使得初步图案化的膜层在与衬底基板接触的一侧形成向内凹的缺口；对完成上述步骤的衬底基板在预设温度下进行后烘烤，缺口上方位置处的膜层发生塌陷，使得初步图案化的膜层形成包括位于塌陷位置处的第一厚度的膜层和非塌陷位置处的第二厚度的膜层；去除第一厚度的膜层，得到图案化的膜层。