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公开(公告)号：CN103703574B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201280036154.5
申请日：2012-07-17
Applicant: 麦克德米德尖端有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/18 , C23C18/08 , C23C18/14 , C23C18/1608 , C23C18/1667 , C23C18/44 , C23C18/54 , H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 本发明描述了一种在光伏打太阳能电池上镀敷金属触点的方法及组合物。该电池被浸入到水性镀浴中，该水性镀浴含有可镀金属离子及使从太阳能电池背面溶出的铝或铝合金离子增溶的增溶剂。接着将该电池曝露在光线中，使电池两侧成为带有相反的电荷。不需要外部的电触点即可镀敷金属离子。
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公开(公告)号：CN103209774B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201180054576.0
申请日：2011-09-12
Applicant: 凯密特尔有限责任公司
CPC classification number: B05D3/002 , B05D1/18 , B05D7/142 , B05D7/16 , B05D7/51 , B05D7/54 , C09D5/088 , C23C18/54 , C25D13/00 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
Abstract: 一种无电流涂覆基材的方法，包括以下步骤：I.提供基材，II.任选地清洁基材，III.用第一含水组合物（=活化剂）施涂由聚电解质和/或盐形成的活化层，IV.任选地将活化层中间干燥，V.漂洗所述活化层，其中所述活化层未被完全除去，VI.在漂洗后保留的活化表面与溶液、乳液和/或悬浮液形式的含水组合物接触和涂覆，形成有机后续层（=沉淀层），VII．任选地漂洗所述后续层，VIII.干燥，其中用溶液、乳液和/或悬浮液形式的含水活化剂形成活化层，所述活化剂包含至少一种阳离子聚电解质和/或至少一种溶解在水中的阳离子盐，其中用于形成后续层的含水组合物具有可以沉淀、沉积和/或盐析并且是阴离子性、两性离子、空间和/或阳离子稳定化的组分，其中阴离子性和阳离子性稳定化的组分不会相互损害，和其中在该方法中形成的由活化层和后续层形成的干膜具有的厚度至少为1μm。
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公开(公告)号：CN105612643A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201380078331.0
申请日：2013-07-19
Applicant: 奥迪股份公司
CPC classification number: H01M4/8825 , B22F1/0018 , B22F1/025 , B82Y30/00 , C23C18/54 , C25D7/006 , C25D17/12 , C25D17/16 , H01M4/8657 , H01M4/8853 , H01M4/9075 , H01M4/92 , H01M4/921 , H01M4/926
Abstract: 根据一实施例，一种处理催化剂的材料的方法包括在多孔电极上建立电势。核粒子被指引通过所述多孔电极。当所述粒子穿过所述多孔电极时，金属层被沉积在所述核粒子上。根据一实施例，一种用于处理催化剂的材料的示例组装件包括箱体，其建立粒子移动通过所述箱体的通道。多孔电极处于所述箱体内以便允许核粒子移动通过所述多孔电极。当所述粒子穿过所述多孔电极时，金属层能够被沉积在所述核粒子上。
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公开(公告)号：CN103879084B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310707883.5
申请日：2013-12-20
Applicant: 阿尔斯通技术有限公司
CPC classification number: C23C18/54 , C09D183/04 , C23C18/1662 , C23C18/1692 , C23C18/36 , C23C28/027 , C23C30/00 , C25D3/12 , C25D5/50 , C25D15/00 , F01D5/288 , F05D2230/31 , F05D2230/80 , Y02T50/672 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明涉及用于涡轮部件的涂层。一种方法和涡轮部件，该涡轮部件包括具有基质层的涂层，该基质层包括耐高温疏水聚硅氧烷填料，其中，涂层具有优良的机械强度和耐热性。
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公开(公告)号：CN105308220A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480009479.3
申请日：2014-02-18
Applicant: 铝镀公司
CPC classification number: C25D5/10 , B32B15/016 , C23C18/1653 , C23C18/54 , C23C28/023 , C23C28/028 , C23C28/322 , C23C28/345 , C25D3/44 , C25D5/44 , C25D5/48 , C25D11/04 , C25D11/12 , C25D11/16 , C25D17/008 , C25D17/08
Abstract: 所描述的实施例总体上涉及铝薄膜和用于改善铝薄膜在衬底表面上的粘附的预处理。方法涉及在衬底上提供三维粘附表面，这些表面促进了对随后沉积的铝薄膜的粘附。这些方法可避免使用在传统的促粘附处理中所使用的冲击性材料，如镍和铜。根据一些实施例，方法涉及在沉积铝之前在该衬底上提供一个氧化铝粘附层。根据一些实施例，方法涉及在沉积铝之前在该衬底上提供一个浸锌层。根据一些实施例，方法涉及在沉积铝之前使该衬底表面粗化。一些实施例涉及两种或更多种衬底预处理的组合。描述的方法可以用于在随后的阳极氧化处理中提供更多的灵活性。在一些实施例中，方法涉及阳极氧化该铝薄膜和该衬底的一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103774126B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410062341.1
申请日：2014-02-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C23C18/36 , C23C18/1671 , C23C18/1844 , C23C18/54 , C25D3/562 , C25D5/18
Abstract: 电脉冲提高化学镀镍磷合金层厚度的方法，本发明涉及提高化学镀镍磷合金层厚度的方法。本发明要解决现有化学镀镍工艺存在镀层厚度一般不超过100微米的问题。方法：一、预处理；二、电脉冲及镀镍处理，即得到提高化学镀镍磷合金层厚度的被镀零件。本发明使化学镀厚镍磷合金层的厚度可以达到200微米以上，适用于要求化学镀镍磷合金层厚度超过200微米以上场合。本发明用于电脉冲提高化学镀镍磷合金层厚度的方法。
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公开(公告)号：CN105074050A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480013826.X
申请日：2014-03-10
Applicant: 瑞蔻医药有限公司
CPC classification number: H01L41/297 , B06B1/0662 , C23C18/1651 , C23C18/1675 , C23C18/1893 , C23C18/36 , C23C18/38 , C23C18/54 , H01L41/29
Abstract: 根据一些实施例，将至少一个电极沉积于超声换能器的基础构件上的方法包括，使用第一腐蚀剂至少部分地腐蚀所述基础构件的表面，使用第一催化剂催化所述基础构件的表面，使用化学电镀法在所述基础构件的表面上电镀铜，检查电镀于所述基础构件表面上的铜，使用第二腐蚀剂至少部分地腐蚀所述镀有铜的表面，使用第二催化剂催化所述镀有铜的表面，使用化学电镀法在所述镀有铜的表面上电镀镍，以及在所述镀有镍的表面上沉积至少一个金层。
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公开(公告)号：CN104955990A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201380071752.0
申请日：2013-02-05
Applicant: 不二商事株式会社
IPC: C25D21/18
CPC classification number: C23C18/1617 , C02F1/5272 , C02F1/542 , C02F1/64 , C02F1/722 , C02F1/78 , C02F2101/203 , C02F2103/16 , C23C18/31 , C23C18/38 , C23C18/48 , C23C18/54 , C25D21/18
Abstract: 本发明所解决的问题是提供用于促进由废镀液再生镀液的方法。这种镀液再生方法通过从包含作为离子的Fe以及至少一种选自Cu、Ni、Zn、Co和Mn的镀覆金属元素的酸性废镀液中移除Fe来再生镀液，所述方法的特征在于包括：添加步骤，其中向废镀液中添加植酸以产生使Fe离子在其中沉淀的含植酸溶液；以及移除步骤，其中从含植酸溶液中移除沉淀物以产生再生镀液。
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公开(公告)号：CN103774127A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410049533.9
申请日：2006-09-22
Applicant: 上村工业株式会社
IPC: C23C18/44
CPC classification number: C23C18/44 , C23C18/1651 , C23C18/54 , H01L24/43 , H01L24/745 , H01L2224/45664
Abstract: 本发明公开了包含钯化合物、至少一种选自氨和胺化合物的络合剂、至少一种选自次膦酸和亚膦酸盐的还原剂、和至少一种选自不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、不饱和羧酸盐和不饱和羧酸衍生物的不饱和羧酸化合物的无电镀钯浴。这种无电镀钯浴具有高的浴稳定性，并且几乎不会发生浴分解。因此，本发明的无电镀钯浴比传统的无电镀钯浴具有较长的浴寿命。此外，这种无电镀钯浴能够获得优异焊接结合性能和引线接合性能，因为即使当它使用了很长时间，它也不影响镀层的性能。
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公开(公告)号：CN103415918A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201280012452.0
申请日：2012-03-08
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L24/29 , C23C18/165 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/36 , C23C18/54 , C23C28/02 , C23C28/022 , C23C28/023 , C25D5/12 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/84 , H01L2224/29 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/371 , H01L2224/40091 , H01L2224/40225 , H01L2224/73263 , H01L2224/83203 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/84203 , H01L2224/84801 , H01L2224/8484 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011
Abstract: 在设置于半导体晶片上的导电部（1）的表面上执行电镀工艺前执行电镀预先处理。然后，通过NiP合金电镀工艺，在导电部（1）的表面上形成第一金属膜（2）。随后，通过替换Ag电镀工艺在第一金属膜（2）室的表面上形成第二金属膜（3）。然后半导体晶片被划块且切割为半导体芯片（20）。此后，向已经形成在半导体芯片（20）的前表面上的第二金属膜（3）的表面上施加包含Ag颗粒的导电组合物。通过加热来烧结该导电组合物来形成包含Ag颗粒的结合层（4），且然后经由包含Ag颗粒的结合层（4）来将金属板（5）结合至第二金属膜（3）的表面。因此，可以提供具有高结合强度、良好耐热性、和热辐射性质的电子组件，以及制造电子组件的方法。
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