公开(公告)号：CN101107206A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200580015618.4

申请日：2005-05-12

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： L·波利亚斯尼科瓦 ,  V·德米登科 ,  E·戈罗克霍瓦 ,  O·奥夫延尼科瓦 ,  O·克里斯蒂奇 ,  H·维措勒克 ,  C·R·隆达 ,  G·蔡特勒

IPC: C04B35/547 ,  C09K11/77 ,  C04B35/053 ,  C04B35/50

CPC classification number: C04B35/645 ,  C04B35/547 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/9653 ,  C09K11/7771

Abstract: 本发明涉及用M掺杂的具有通式Gd2O2S的荧光陶瓷，其中M代表至少一种选自Ce、Pr、Eu、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho的元素，其中所述荧光陶瓷在其体积内包括单相；本发明还涉及采用单轴热压制备荧光陶瓷的方法；用于检测电离辐射的检测器和所述检测器用于检测电离辐射的用途。所述采用单轴热压制造荧光陶瓷材料的方法包括下列步骤：a)选择用M掺杂的Gd2O2S颜料粉末，且M代表至少一种选自Eu、Tb、Yb、Dy、Sm、Ho、Ce和/或Pr的元素，其中所述用于热压的粉末的晶粒大小为1μm，且所述热压在1000－1400℃温度下进行；和/或在100MPa－300MPa压力下进行；在700℃－1200℃下空气退火0.5小时至30小时。

公开(公告)号：CN1205586C

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN00818292.2

申请日：2000-12-21

Applicant: 西柏控股有限公司

Inventor： P·埃格尔 ,  E·米勒

IPC: G06K7/12 ,  G06K19/14

CPC classification number: C09K11/7771 ,  C09K11/777 ,  C09K11/7772 ,  G07D7/12 ,  G07D7/1205 ,  G07D7/121

Abstract: 本发明涉及一种先进的产品安全系统，包括至少一种作为安全标记的上变换材料和至少一种认证设备，特别是一个阅读器。认证设备包括至少一种第一预选波长的至少一个第一电磁辐射源，和至少一种第二预选波长的至少一个第二源，它们是相互不同的。第一和第二波长的辐射被这样选取，使得上变换材料根据利用所述的第一和第二波长的组合辐射释放发射谱。所述的上变换材料的电磁发射谱包括至少一种这样的波长的辐射，它对于至少一个电子从一个能级返回到该电子被至少所述的第一和所述的第二波长的组合辐射所提升到的能级是特有的。

公开(公告)号：CN1197932C

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN01124929.3

申请日：2001-07-06

Applicant: 威斯特姆公司

Inventor： 矢野义彦 ,  大池智之

IPC: C09K11/00

CPC classification number: H05B33/14 ,  C09K11/7771 ,  C09K11/7774 ,  C09K11/7789 ,  C09K11/7792 ,  Y10S428/917

Abstract: 本发明的目的是提供不需要滤色片、色纯度良好的、特别适宜全色EL用RGB、进而简化了全色EL板的制造过程、辉度偏差小、提高合格率、降低制造费用的荧光体薄膜及其制造方法，和EL板，为达到此目的，母体材料是在从稀土类硫代铝酸盐、稀土类硫代镓酸盐和稀土类硫代胺酸盐中至少选出一种的化合物中含有氧的氧代硫化物，进而制成含有形成发光中心元素的构成荧光体薄膜，其制造方法和EL板。

公开(公告)号：CN1461335A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN02801296.8

申请日：2002-04-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 矢野义彦 ,  大池智之

IPC: C09K11/62 ,  H05B33/14 ,  H05B33/10

CPC classification number: C09K11/7706 ,  C09K11/7703 ,  C09K11/7731 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7771 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明提供一种高辉度、且由于颜色纯度良好而不需要采用滤波片、并且辉度寿命长、特别适用于全色EL面板用的RGB的各元件的荧光体薄膜。本发明的荧光体薄膜包含母体材料和发光中心。母体材料为至少含有碱土类元素、Ga和/或In、硫(S)和氧(O)的氧硫化物。在母体材料中，相对于氧和硫的总和的氧的原子比0/(S+O)为0.1～0.85。

公开(公告)号：CN1232856A

公开(公告)日：1999-10-27

申请号：CN99105229.3

申请日：1999-04-22

Applicant: 奥斯兰姆施尔凡尼亚公司

Inventor： R·T·麦斯威奈伊

IPC: C09K11/84 ,  G21K4/00 ,  H01J31/50 ,  H01J9/20

CPC classification number: C01F17/0093 ,  C01P2002/70 ,  C09K11/7771 ,  C09K11/7789 ,  G21K2004/06

Abstract: 本发明提供一种改进散聚的含氧硫化钆X射线荧光粉的X射线荧光屏亮度的方法。该方法按特定的顺序在荧光粉散聚之后进行退火和酸洗步骤,以补偿由散聚引起的亮度损失。

公开(公告)号：CN1108681A

公开(公告)日：1995-09-20

申请号：CN94119597.X

申请日：1994-12-17

Applicant: 东芝株式会社

Inventor： 松田直寿 ,  玉谷正昭 ,  惠子 ,  奥村美和 ,  高原武 ,  伊藤武夫

IPC: C09K11/00 ,  H01J29/20 ,  F21V9/16

CPC classification number: H01J29/20 ,  C09K11/00 ,  C09K11/671 ,  C09K11/7769 ,  C09K11/7771 ,  C09K11/7787 ,  C09K11/7789 ,  G21K4/00 ,  G21K2004/06 ,  H01J61/42 ,  H01J61/44 ,  H01J61/70

Abstract: 本发明公开了一种荧光体，该荧光体由平均粒径0.5-20μm、且各个粒子的长、短径之比为1.0-1.5的透明球状粒子和，5％(重量)以下的粒径小于0.2μm的超细微粒组成。本发明的荧光体适用于阴极射线管、荧光灯及辐射增感纸等。

公开(公告)号：CN107868662A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201610854641.2

申请日：2016-09-27

Applicant: 韩山师范学院

Inventor： 郑桦 ,  宋超 ,  李桐霞 ,  林泽键 ,  黄锐 ,  王祥 ,  郭艳青 ,  宋捷

IPC: C09K11/84 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08

CPC classification number: C09K11/7789 ,  C09K11/7771 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/352

Abstract: 本发明公开了一种上转换发光材料的制造方法，形成步骤包括：步骤一、提供多靶磁控溅射设备；步骤二、安装靶材，靶材根据所要形成的稀土掺杂硫氧化物进行选取，包括：稀土掺杂硫氧化物的硫氧化物基质材料对应的基质稀土氧化物靶和基质稀土硫化物靶，稀土掺杂硫氧化物的稀土掺杂材料对应的掺杂稀土靶；步骤三、将衬底放入到共溅射反应室的基片座上；步骤四、将对共溅射反应室进行抽真空；步骤五、通入溅射气体并进行衬底温度为室温～400摄氏度的溅射工艺在衬底表面形成所述稀土掺杂硫氧化物。本发明能在较低温度下实现材料的大面积生长，能与微电子工艺技术相兼容，工艺简单、成本低，并能有效的与太阳能电池的制备过程相结合。

公开(公告)号：CN106947465A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710188710.5

申请日：2017-03-27

Applicant: 大连海事大学

Inventor： 邢明铭 ,  罗昔贤 ,  付姚 ,  田莹 ,  彭勇

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/84 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C09K11/02 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/7771 ,  C09K11/7789

Abstract: 本发明公开了一种核‑壳结构稀土硫氧化物X射线发光纳米粒子及其制备方法，所述X射线发光纳米粒子包括核层和至少一层壳层，所述核层和壳层均为稀土离子掺杂的稀土硫氧化物，核层和壳层的基质稀土硫氧化物的阳离子为La、Gd、Y、Yb、Ce、Nd、Pr、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Lu中的至少一种，核层和壳层掺杂的稀土离子为Ce、Nd、Pr、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm中的至少一种。本发明所述的X射线发光纳米粒子具有核‑壳结构，在增加发光中心数量的同时有效降低离子间的交叉弛豫，实现材料的多色发光。本发明所述的制备方法通过二次沉淀实现，壳层沉积在核层外部，避免了外延法的苛刻条件，成本低廉，适合于大批量生产。

公开(公告)号：CN106796822A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580046362.7

申请日：2015-09-24

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 足达祥卓 ,  齐藤昭久 ,  丰岛正规 ,  小柳津英二 ,  森本一光 ,  六反田贵史

IPC: G21K4/00 ,  A61B6/03 ,  C09K11/00 ,  C09K11/84 ,  G01N23/04 ,  G01T1/20

CPC classification number: G01T1/2018 ,  A61B6/03 ,  C09K11/00 ,  C09K11/7771 ,  G01N23/04 ,  G01T1/20 ,  G21K4/00

Abstract: 抑制闪烁体的光输出的降低。闪烁体具备含有稀土氧硫化物的1mm3以下的烧结体。通过扫描电子显微镜进行的烧结体的断面的观察而得到的组成图像中，在500μm×500μm的单位面积内存在的、含有与稀土氧硫化物不同的稀土氧化物和杂质金属氧化物的至少一者的氧化物区域、和含有与稀土氧硫化物不同的稀土硫化物和杂质金属硫化物的至少一者的硫化物区域的合计数为5个以下(包括0)。氧化物区域和硫化物区域分别具有100μm以下(包括0)的长径。

公开(公告)号：CN103718063B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201280037639.6

申请日：2012-07-03

Applicant: 皇家飞利浦有限公司

Inventor： C·R·龙达 ,  N·康拉茨 ,  H·奥兰德 ,  H·施赖讷马赫尔

IPC: G01T1/202 ,  C09K11/77 ,  G21K4/00

CPC classification number: G01T1/2006 ,  C09K11/7771 ,  G01N23/046 ,  G01T1/2023 ,  G21K4/00

Abstract: 一种成像系统（100）包括辐射源（110）和辐射敏感探测器阵列（116），所述辐射敏感探测器阵列包括闪烁体阵列（118）和被光学耦合到所述闪烁体阵列的光传感器阵列（120），其中，所述闪烁体阵列包括Gd2O2S：Pr，Tb，Ce。一种方法，包括利用成像系统（100）的辐射敏感探测器阵列（116）探测辐射，其中，所述辐射敏感探测器阵列包括基于Gd2O2S：Pr，Tb，Ce的闪烁体阵列（118）。一种辐射敏感探测器阵列（116）包括闪烁体阵列（118）和被光学耦合到所述闪烁体阵列的光传感器阵列（120），其中，所述闪烁体阵列包括Gd2O2S：Pr，Tb，Ce，并且Gd2O2S：Pr，Tb，Ce中Tb3+的量等于或小于200摩尔百万分率。